公开(公告)号：DE10344592A1

公开(公告)日：2005-05-19

申请号：DE10344592

申请日：2003-09-25

Applicant: EUPEC GMBH & CO KG ,  INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KELLER-WERDEHAUSEN UWE ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  NIEDERNOSTHEIDE FRANZ-JOSEF ,  BARTHELMESS REINER

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/332 ,  H01L29/74

Abstract: A positive-doped collector (8), a negative-doped base (NDB) (7), a positive-doped base (PDB) (6) and a negative-doped emitter (5,51) fit consecutively in a semiconductor body (1). A reverse breakdown structure is formed by a section of the PDB and a linked section (3) of the NDB.

公开(公告)号：DE10339691B3

公开(公告)日：2005-04-07

申请号：DE10339691

申请日：2003-08-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  EUPEC GMBH & CO KG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  NIEDERNOSTHEIDE FRANZ-JOSEF ,  BARTHELMESS REINER

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: The power semiconductor component has 2 emitter zones (2,3) of opposite conductivity type separated by a base zone (4) with the same conductivity as one of the emitter zones and a weaker doping concentration, for providing a P/N junction (5) with the other emitter zone, which incorporates island zones (6) of opposite conductivity fully embedded in the emitter zone.

公开(公告)号：DE10250609A1

公开(公告)日：2004-05-19

申请号：DE10250609

申请日：2002-10-30

Applicant: EUPEC GMBH & CO KG ,  INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  KELLNER-WERDEHAUSEN UWE ,  NIEDERNOSTHEIDE FRANZ-JOSEF ,  BARTHELMESS REINER

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/74

Abstract: A thyristor component comprises four semiconductor zones (20,30,50,40) with oppositely doped first and second regions having an inclined transition zone at an edge. The fourth zone (40) contains oppositely doped third zones (50) and is interrupted in the edge region by part of the second zone which extends to the front. Independent claims are also included for the following: (a) a thyristor as above in which the dopant concentration in the first zone decreases towards the edge;and (b) a semiconductor element as above

公开(公告)号：DE10240107A1

公开(公告)日：2004-03-11

申请号：DE10240107

申请日：2002-08-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAUDER ANTON ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  NIEDERNOSTHEIDE FRANZ-JOSEF ,  FALCK ELMAR

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/861 ,  H01L29/87 ,  H01L21/328 ,  H01L29/70 ,  H01L29/739 ,  H01L29/745

Abstract: Edge end comprises a semiconductor body (21) having a first conductivity type with two opposing main surfaces (30,31), a first region (22) of opposing conductivity type embedded in the first main surface, a second region (24) of a first conductivity type provided in the first region, a region (23) of different conductivity type provided in the region of the second main surface, a first electrode (6) arranged on the first main surface, and a second electrode (8) on the second main surface. A first zone (17) of different conductivity extends from the edge of the third and/or first region in the semiconductor body. Independent claims are also included for: (1) process for the production of an n-conducting zone, preferably an edge end, in a p-conducting semiconductor body; and (2) diode having a p-conducting semiconductor body.

公开(公告)号：DE102015017270B3

公开(公告)日：2022-12-15

申请号：DE102015017270

申请日：2015-10-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAUDER ANTON ,  NIEDERNOSTHEIDE FRANZ-JOSEF ,  SANDOW CHRISTIAN PHILIPP

IPC: H01L21/331 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739

Abstract: Leistungshalbleitertransistor (1), der einen mit einem ersten Lastanschluss (11) gekoppelten Halbleiterkörper (10) umfasst, wobei der Transistor (1) zudem Folgendes aufweist:- eine Halbleiter-Drift-Region (100), die im Halbleiterkörper (10) umfasst ist und Dotierstoffe eines ersten Leitfähigkeitstyps aufweist;- einen ersten Graben (13-1), der sich entlang einer vertikalen Richtung (Z) in den Halbleiterkörper (10) erstreckt, wobei der erste Graben (13-1) eine erste Steuerelektrode (131-1) aufweist, die durch einen ersten Isolator (132-1) vom Halbleiterkörper (10) elektrisch isoliert ist, wobei der erste Graben (13-1) durch zwei erste Grabenseitenwände (133-1) seitlich begrenzt und durch einen ersten Grabenboden (134-1) vertikal begrenzt ist;- eine erste Source-Region (101-1), die zu einer der ersten Grabenseitenwände (133-1) seitlich angrenzend angeordnet und mit dem ersten Lastanschluss (11) elektrisch verbunden ist;- eine erste Halbleiterkanalregion (102-1), die im Halbleiterkörper (10) umfasst und zu derselben ersten Grabenseitenwand (133-1) wie die erste Source-Region (101-1) seitlich angrenzend angeordnet ist, wobei die erste Halbleiterkanalregion (102-1) Dotierstoffe eines zweiten Leitfähigkeitstyps aufweist und die erste Source-Region (101-1) von der Drift-Region (100) isoliert; und- eine Führungszone (103) mit Dotierstoffen des zweiten Leitfähigkeitstyps, die- mit dem ersten Lastanschluss (11) elektrisch verbunden ist und sich von diesem ausgehend tiefer als der erste Grabenboden (134-1) in den Halbleiterkörper (10) erstreckt,- von der ersten Halbleiterkanalregion (102-1) getrennt und zu der anderen der zwei ersten Grabenseitenwände (133-1) und/oder zu einer von zweiten Grabenseitenwände (133-2) eines zweiten Grabens (13-2) angrenzend angeordnet ist,- sich in einem tiefer als der erste Grabenboden (134-1) angeordneten Plateauabschnitt (1033) seitlich zur ersten Halbleiterkanalregion (102-1) erstreckt; und die- wenigstens eine Öffnung (1033a, 1033b, 1033c) aufweist, die in erster seitlicher Richtung (X) mit der ersten Halbleiterkanalregion (102-1) überlappt.

公开(公告)号：DE102016112019B4

公开(公告)日：2020-03-12

申请号：DE102016112019

申请日：2016-06-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAUDER ANTON ,  PFIRSCH FRANK ,  NIEDERNOSTHEIDE FRANZ-JOSEF ,  SANDOW CHRISTIAN

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: Eine Leistungshalbleitervorrichtung (1), umfassend:- einen Halbleiterkörper (10), der an eine erste Lastanschlussstruktur (11) und an eine zweite Lastanschlussstruktur (12) gekoppelt ist und ausgebildet ist, einen Laststrom (15) zu führen;- eine erste Zelle (141) und eine zweite Zelle (142), die jeweils ausgebildet sind, den Laststrom (15) zu steuern, und die jeweils auf der einen Seite elektrisch mit der ersten Lastanschlussstruktur (11) verbunden sind und auf der anderen Seite elektrisch mit einer Driftregion (100) des Halbleiterkörpers (10) verbunden sind, wobei die Driftregion (100) Dotanden eines ersten Leitfähigkeitstyps umfasst;- eine erste Mesa (101), die in der ersten Zelle (141) enthalten ist, wobei die erste Mesa (101) enthält: eine erste Anschlussregion (1011), die Dotanden des ersten Leitfähigkeitstyps hat und elektrisch mit der ersten Lastanschlussstruktur (11) verbunden ist, und eine erste Kanalregion (1012), die an die Driftregion (100) gekoppelt ist;- eine zweite Mesa (102), die in der zweiten Zelle (142) enthalten ist, wobei die zweite Mesa (102) enthält: eine zweite Anschlussregion (1021), die Dotanden eines zweiten Leitfähigkeitstyps hat und elektrisch mit der ersten Lastanschlussstruktur (11) verbunden ist, und eine zweite Kanalregion (1022), die an die Driftregion (100) gekoppelt ist;- wobei jede der ersten Mesa (101) und der zweiten Mesa (102) durch eine erste Isolationsstruktur (133) in einer Richtung (X) senkrecht zu einer Richtung (Z) des Laststroms (15) innerhalb der jeweiligen Mesa (101,102) räumlich begrenzt ist und in dieser Richtung (X) eine totale Ausdehnung (DX13; DX23) von weniger als 100 nm aufweist; wobei die Leistungshalbleitervorrichtung (1) ferner eine dritte Zelle (143) umfasst, die auf der einen Seite elektrisch mit der zweiten Lastanschlussstruktur (12) verbunden ist und auf der anderen Seite elektrisch mit der Driftregion (100) verbunden ist; wobei die dritte Zelle (143) eine dritte Mesa (105) enthält, die Folgendes umfasst: eine dritte Anschlussregion (1051), die Dotanden des ersten Leitfähigkeitstyps hat und elektrisch mit der zweiten Lastanschlussstruktur (12) verbunden ist; eine dritte Kanalregion (1052), die an die Driftregion (100) gekoppelt ist; und eine dritte Steuerelektrode (135), die durch eine zweite Isolationsstruktur (134) von der dritten Mesa (105) isoliert ist.

公开(公告)号：DE102016112017B4

公开(公告)日：2020-03-12

申请号：DE102016112017

申请日：2016-06-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAUDER ANTON ,  NIEDERNOSTHEIDE FRANZ-JOSEF ,  SANDOW CHRISTIAN

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Eine Leistungshalbleitervorrichtung (1), umfassend:- einen Halbleiterkörper (10), der an eine erste Lastanschlussstruktur (11) und an eine zweite Lastanschlussstruktur (12) gekoppelt ist und ausgebildet ist, einen Laststrom (15) zu führen;- eine erste Zelle (141) und eine zweite Zelle (142), die jeweils ausgebildet sind, den Laststrom (15) zu steuern, und die jeweils auf der einen Seite elektrisch mit der ersten Lastanschlussstruktur (11) verbunden sind und auf der anderen Seite elektrisch mit einer Driftregion (100) des Halbleiterkörpers (10) verbunden sind, wobei die Driftregion (100) Dotanden eines ersten Leitfähigkeitstyps umfasst;- eine erste Mesa (101), die in der ersten Zelle (141) enthalten ist, wobei die erste Mesa (101) enthält: eine erste Anschlussregion (1011), die Dotanden des ersten Leitfähigkeitstyps hat und elektrisch mit der ersten Lastanschlussstruktur (11) verbunden ist, und eine erste Kanalregion (1012), die an die Driftregion (100) gekoppelt ist;- eine zweite Mesa (102), die in der zweiten Zelle (142) enthalten ist, wobei die zweite Mesa (102) enthält: eine zweite Anschlussregion (1021), die Dotanden eines zweiten Leitfähigkeitstyps hat und elektrisch mit der ersten Lastanschlussstruktur (11) verbunden ist, und eine zweite Kanalregion (1022), die an die Driftregion (100) gekoppelt ist;- wobei jede der ersten Mesa (101) und der zweiten Mesa (102) durch eine Isolationsstruktur (133) in einer Richtung (X) senkrecht zu einer Richtung (Z) des Laststroms (15) innerhalb der jeweiligen Mesa (101,102) räumlich begrenzt ist und in dieser Richtung (X) eine totale Ausdehnung (DX13; DX23) von weniger als 100 nm aufweist; wobei:- die erste Zelle (141) ausgebildet ist, innerhalb der ersten Kanalregion (1012) einen Inversionskanal zu induzieren und wobei die zweite Zelle (142) ausgebildet ist, innerhalb der zweiten Kanalregion (1022) einen Akkumulationskanal zu induzieren, wobei die Abschaltspannung des Akkumulationskanals größer als die Abschaltspannung des Inversionskanals ist.

公开(公告)号：DE102018102279A1

公开(公告)日：2019-08-01

申请号：DE102018102279

申请日：2018-02-01

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAUDER ANTON ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  PFAFFENLEHNER MANFRED ,  DAINESE MATTEO ,  NIEDERNOSTHEIDE FRANZ-JOSEF ,  FALCK ELMAR

IPC: H01L29/06

Abstract: Ein Halbleiterbauelement (100) umfasst einen Halbleiterkörper (101) mit einer ersten Oberfläche (102), einer der ersten Oberfläche (102) gegenüberliegenden zweiten Oberfläche (104) und einer den Halbleiterkörper (101) umgebenden Seitenfläche (106). Das Halbleiterbauelement (100) weist zudem einen aktiven Bereich (AB) auf, der ein erstes Halbleitergebiet (108) von einem ersten Leitfähigkeitstyp umfasst, das über die erste Oberfläche (102) elektrisch kontaktiert ist, sowie ein zweites Halbleitergebiet (110) von einem zweiten Leitfähigkeitstyp, das über die zweite Oberfläche (104) elektrisch kontaktiert ist. Das Halbleiterbauelement (100) umfasst ferner einen Randabschlussbereich (RB), der in einer lateralen Richtung (x) zwischen dem ersten Halbleitergebiet (108) des aktiven Bereichs (AB) und der Seitenfläche (106) angeordnet ist und eine erste Randabschlussstruktur (112) und eine zweite Randabschlussstruktur (114) aufweist, wobei die zweite Randabschlussstruktur (114) in der lateralen Richtung (x) zwischen der ersten Randabschlussstruktur (112) und der Seitenfläche (106) angeordnet ist und von der ersten Oberfläche (102) aus in einer vertikalen Richtung (z) tiefer in den Halbleiterkörper (101) reicht als die erste Randabschlussstruktur (112).

公开(公告)号：DE102017128247A1

公开(公告)日：2019-05-29

申请号：DE102017128247

申请日：2017-11-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  NIEDERNOSTHEIDE FRANZ-JOSEF ,  SPULBER OANA ,  VOSS STEPHAN

IPC: H01L21/329 ,  H01L21/265 ,  H01L21/304 ,  H01L21/322 ,  H01L21/324 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung in einem Halbleiterkörper umfasst ein Ausbilden eines ersten Feldstoppzonenbereichs eines ersten Leitfähigkeitstyps auf einem Halbleitersubstrat. Eine Driftzone des ersten Leitfähigkeitstyps wird auf dem ersten Feldstoppzonenbereich ausgebildet. Eine durchschnittliche Dotierungskonzentration der Driftzone wird kleiner als 80 % einer durchschnittlichen Dotierungskonzentration des ersten Feldstoppzonenbereichs festgelegt. Der Halbleiterkörper wird an einer ersten Oberfläche des Halbleiterkörpers bearbeitet. Der Halbleiterkörper wird abgedünnt, indem Material des Halbleitersubstrats von einer der ersten Oberfläche gegenüberliegenden zweiten Oberfläche des Halbleiterkörpers entfernt wird. Ein zweiter Feldstoppzonenbereich des ersten Leitfähigkeitstyps wird gebildet, indem Protonen bei einer oder mehreren Energien durch die zweite Oberfläche in den Halbleiterkörper implantiert werden. Eine tiefste Spitze am Ende einer Reichweite der Protonen wird in dem ersten Feldstoppzonenbereich in einer vertikalen Distanz zu einem Übergang zwischen der Driftzone und dem ersten Feldstoppzonenbereich in einem Bereich von 3 µm bis 60 µm festgelegt. Der Halbleiterkörper wird mittels thermischer Bearbeitung ausgeheilt.

公开(公告)号：DE102017105713A1

公开(公告)日：2018-09-20

申请号：DE102017105713

申请日：2017-03-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BASLER THOMAS ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  NIEDERNOSTHEIDE FRANZ-JOSEF ,  LAVEN JOHANNES GEORG ,  BABURSKE ROMAN

IPC: H01L27/07 ,  H01L23/62 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Transistorbauelemente werden beschrieben, die einen ersten Transistor (10) und einen zweiten Transistor (11) umfassen. Der zweite Transistor (11) basiert auf einem Halbleitermaterial mit hoher Bandlücke. Der zweite Transistor besitzt eine niedrigere Durchbruchspannung als der erste Transistor über einen vorbestimmten Arbeitsbereich hinweg. Der vorbestimmte Arbeitsbereich umfasst mindestens einen Arbeitsbereich, für den das Transistorbauelement spezifiziert ist.