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    OPTOELEKTRONISCHE VORRICHTUNG UND APPARATUR MIT EINER SOLCHEN VORRICHTUNG
    91.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHE VORRICHTUNG UND APPARATUR MIT EINER SOLCHEN VORRICHTUNG 审中-公开
    亚光电子装置和设备的具有这样的装置

    公开(公告)号：WO2013182351A1

    公开(公告)日：2013-12-12

    申请号：PCT/EP2013/058643

    申请日：2013-04-25

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： HALBRITTER, Hubert

    IPC: H03K17/94 ,  H03K17/96 ,  G01S17/02 ,  H01L31/173

    CPC classification number: G01S7/4813 ,  G01S17/026 ,  G01S17/08 ,  H01L31/173 ,  H03K17/941 ,  H03K17/9631 ,  H03K2217/94108

    Abstract: Es wird eine optoelektronische Vorrichtung (1) mit einem zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen ersten Bauelement (21), einem zum Empfangen von Strahlung vorgesehenen zweiten Bauelement (22), einem Anschlussträger (4) und einem Rahmen (3) angegeben. Das erste Bauelement und das zweite Bauelement sind auf dem Anschlussträger angeordnet. Der Rahmen ist auf dem Anschlussträger angeordnet. Das erste Bauelement ist in einer ersten Öffnung (31) des Rahmens angeordnet. Das zweite Bauelement ist in einer zweiten Öffnung (32) des Rahmens angeordnet. Die erste Öffnung und die zweite Öffnung erstrecken sich von einer dem Anschlussträger gegenüberliegenden Hauptfläche (30) des Rahmens in Richtung des Anschlussträgers. Die Hauptfläche zwischen der ersten Öffnung und der zweiten Öffnung weist einen Zwischenbereich (5) auf, in dem eine Reflexion von auf die Hauptfläche auftreffender Strahlung vermindert ist.

    Abstract translation: 它是设置有用于产生所述第一部件（21）的辐射的光电器件（1），用于接收辐射第二部件（22），一个连接载体（4）和（3）帧。 所述第一部件和第二部件被布置在连接载体上。 该框架被设置在连接载体上。 第一部件布置在所述框架的第一开口（31）。 第二组件被布置在所述框架的第二开口（32）。 所述第一开口和从相反侧在连接载体的方向上的框架的连接载体主表面（30）延伸的第二开口。 所述第一开口和所述第二开口之间的主表面具有在其中的反射率是由撞击在主表面辐射减小的中间区域（5）。

    HALBLEITERLASER UND OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERKONVERTERELEMENT
    93.
    发明申请
    HALBLEITERLASER UND OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERKONVERTERELEMENT 审中-公开

    公开(公告)号：WO2022243297A1

    公开(公告)日：2022-11-24

    申请号：PCT/EP2022/063298

    申请日：2022-05-17

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： HALBRITTER, Hubert ,  JENTZSCH, Bruno ,  RUEGHEIMER, Tilman ,  WALTER, Christoph

    IPC: H01S5/18 ,  H01S5/20

    Abstract: Ein Halbleiterlaser (10) umfasst eine Halbleiterschichtanordnung (112), die eine aktive Zone (115) zur Strahlungserzeugung aufweist, einen ersten Resonatorspiegel (125), einen zweiten Resonatorspiegel (130) und einen zwischen dem ersten und dem zweiten Resonatorspiegel (125, 130) angeordneten optischen Resonator (105), der sich in einer Richtung parallel zu einer Hauptoberfläche (101) der Halbleiterschichtanordnung (112) erstreckt. Seitliche Begrenzungsflächen (103) der Halbleiterschichtanordnung (112) verlaufen schräg, so dass eine Reflexion von erzeugter elektromagnetischer Strahlung (15) in Richtung der ersten Hauptoberfläche (101) der Halbleiterschichtanordnung (112) erfolgt. Der erste und der zweite Resonatorspiegel (125, 130) sind über der ersten Hauptoberfläche (101) der Halbleiterschichtanordnung (112) angeordnet. Der Halbleiterlaser (10) weist ferner ein Konverterelement (135, 225) über einer von der Halbleiterschichtanordnung (112) abgewandten Seite des ersten Resonatorspiegels (125) auf.

    METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE
    94.
    发明申请
    METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开

    公开(公告)号：WO2022243014A1

    公开(公告)日：2022-11-24

    申请号：PCT/EP2022/061595

    申请日：2022-04-29

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： KREINER, Laura ,  HALBRITTER, Hubert ,  VARGHESE, Tansen

    IPC: H01S5/02 ,  H01S5/183 ,  H01L21/02

    Abstract: A method of manufacturing a semiconductor device (10) comprises epitaxially growing (S100) a sacrificial layer (105) over a GaN substrate (100), epitaxially growing (S110) a first semiconductor layer (120) over the sacrificial layer (105) and forming (S120) a first layer (124) over a first main surface (121) of the first semiconductor layer (120), the first main surface (121) being on a side of the first semiconductor layer (120) remote from the GaN substrate (100). The method further comprises forming (S130) a fluid channel or trench (130, 108) extending through the first layer (124) and the first semiconductor layer (120) to the sacrificial layer (105), etching (S140) the sacrificial layer (105), comprising introducing an etchant into the fluid channel or trench (130, 108), to remove the GaN substrate (100) and forming (S150) a second dielectric layer (137) over a second main surface (122) of the first semiconductor layer (120).

    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERBAUTEILS ZUR DETEKTION ELEKTROMAGNETISCHER STRAHLUNG UND HALBLEITERBAUTEIL
    99.
    发明申请
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERBAUTEILS ZUR DETEKTION ELEKTROMAGNETISCHER STRAHLUNG UND HALBLEITERBAUTEIL 审中-公开

    公开(公告)号：WO2019170609A1

    公开(公告)日：2019-09-12

    申请号：PCT/EP2019/055331

    申请日：2019-03-04

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： HALBRITTER, Hubert

    IPC: G01J3/28 ,  H01L25/16 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/109 ,  H01L31/173 ,  G01J3/02 ,  G01J3/10 ,  G01J3/12

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils (1) für eine Spektrometeranwendung und ein Halbleiterbauteil (1) offenbart. Das Verfahren umfasst das Aufbringen von Halbleiterkomponenten (5) mittels Mikrotransferdruck auf einen Bauteilkörper (3) mit einem Substrat (7) und einem integrierten Schaltkreis (9). Dabei werden Halbleiterkomponenten von einem Opferwafer mit einem Stempel zu einem Zielwafer (54) transferiert. Die Halbleiterkomponenten (5) weisen eine aktive Zone zum Strahlungsempfang auf. Zumindest eine Halbleiterkomponente (5) hat einen sensitiven Spektralbereich der sich von dem einer anderen Halbleiterkomponente (5) unterscheidet. Halbleiterkomponenten mit einer aktiven Zone zur Strahlungserzeugung können ebenfalls mit dem genannte Verfahren auf den Bauteilkörper (3) aufgebracht sein. Bedingt durch das Herstellungsverfahren weisen die Halbleiterkomponenten des Halbleiterbauteils (1) Abrissstellen (40) auf.

    BAUTEILVERBUND AUS OPTISCHEN BAUTEILEN, VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES BAUTEILVERBUNDS UND BAUELEMENT MIT EINEM OPTISCHEN BAUTEIL
    100.
    发明申请
    BAUTEILVERBUND AUS OPTISCHEN BAUTEILEN, VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES BAUTEILVERBUNDS UND BAUELEMENT MIT EINEM OPTISCHEN BAUTEIL 审中-公开

    公开(公告)号：WO2019166195A1

    公开(公告)日：2019-09-06

    申请号：PCT/EP2019/052779

    申请日：2019-02-05

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： SINGER, Frank ,  HALBRITTER, Hubert

    IPC: H01S5/18

    Abstract: Es wird ein Bauteilverbund (100) mit einer Mehrzahl von optischen Bauteilen (10), einer entfernbaren Opferschicht (4), einer Haltestruktur (3) und einem gemeinsamen Zwischenträger (90) angegeben, wobei die optischen Bauteile jeweils ein optisches Element (10E) zur Formung eines Lichtstrahls aufweisen und die Opferschicht in vertikaler Richtung zumindest bereichsweise zwischen dem Zwischenträger und den optischen Bauteilen angeordnet ist. Die Haltestruktur weist eine Mehrzahl von Halteelementen (3A, 3B) auf, wobei die Haltestruktur und die Opferschicht eine mechanische Verbindung zwischen dem Zwischenträger und den optischen Bauteilen bilden. Die optischen Bauteile sind ohne die Opferschicht nur noch über die Haltestruktur mit dem Zwischenträger mechanisch verbunden, wobei die Halteelemente unter mechanischer Belastung derart ausgebildet sind, dass diese die optischen Bauteile freigeben, sodass die optischen Bauteile von dem Zwischenträger ablösbar und somit transferierbar ausgeführt sind. Des Weiteren werden ein Bauelement mit einem optischen Bauteil insbesondere aus dem Bauteilverbund und ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Bauteilverbunds angegeben.

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