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    STRAHLUNGSEMITTIERENDES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES STRAHLUNGSEMITTIERENDEN BAUELEMENTS
    1.
    发明申请
    STRAHLUNGSEMITTIERENDES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES STRAHLUNGSEMITTIERENDEN BAUELEMENTS 审中-公开

    公开(公告)号：WO2021244851A1

    公开(公告)日：2021-12-09

    申请号：PCT/EP2021/063303

    申请日：2021-05-19

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： KREINER, Laura

    IPC: H01L33/58 ,  H01L2933/0058

    Abstract: Das strahlungsemittierende Bauelement umfasst einen strahlungsemittierenden Emitter mit einer Vorderseite und ein an der Vorderseite angeordnetes optisches Element. Das optische Element umfasst eine Vielzahl von Reflexionsflächen und eine Vielzahl von Strahlungsaustrittsflächen. Jede der Reflexionsflächen weist gegenüber der Vorderseite einen Neigungswinkel zwischen einschließlich 45° und einschließlich 80° auf. Im bestimmungsgemäßen Betrieb des strahlungsemittierenden Bauelements wird von dem Emitter erzeugte elektromagnetische Strahlung an den Reflexionsflächen zu den Strahlungsaustrittsflächen hin reflektiert und tritt über diese aus dem optischen Element aus. Eine Hauptabstrahlrichtung des strahlungsemittierenden Bauelements schließt mit der Vorderseite einen Austrittswinkel zwischen einschließlich 10° und 80° ein.

    STRAHLUNGSEMITTIERENDE VORRICHTUNG UND PROJEKTOR DAMIT
    2.
    发明申请
    STRAHLUNGSEMITTIERENDE VORRICHTUNG UND PROJEKTOR DAMIT 审中-公开

    公开(公告)号：WO2021204511A1

    公开(公告)日：2021-10-14

    申请号：PCT/EP2021/056952

    申请日：2021-03-18

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： KREINER, Laura ,  GÖÖTZ, Britta

    IPC: H01L33/46 ,  H01L33/50 ,  H01L33/44

    Abstract: In mindestens einer Ausführungsform der strahlungsemittierende Vorrichtung (100) umfasst diese ein optoelektronisches Bauelement (1) zur Emission einer ersten elektromagnetischen Strahlung, ein Konversionselement (2) mit einer Eintrittsfläche (20) und einer Austrittsfläche (21) und einen dielektrischen Spiegel (3)auf der Austrittsfläche. Die Vorrichtung ist so eingerichtet, dass im Betrieb vom Bauelement emittierte erste Strahlung über die Eintrittsfläche in das Konversionselement eintritt. Das Konversionselement ist zur Konversion der ersten Strahlung in eine zweite elektromagnetische Strahlung eingerichtet, die anschließend über die Austrittsfläche aus dem Konversionselement austritt. Der dielektrische Spiegel ist für zweite Strahlung, die mit Einfallswinkeln in einem vorgegebenen ersten Winkelbereich auftrifft, durchlässig und für zweite Strahlung, die mit Einfallswinkel in einem vorgegebenen zweiten Winkelbereich auftrifft, reflektierend.

    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT
    3.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开

    公开(公告)号：WO2021204654A1

    公开(公告)日：2021-10-14

    申请号：PCT/EP2021/058575

    申请日：2021-04-01

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： KREINER, Laura

    IPC: H01L33/46 ,  H01L33/50 ,  H01L33/58

    Abstract: Das optoelektronische Bauelement (10) umfasst einen Halbleiterkörper (1) mit einem aktiven Bereich und einer Austrittsfläche, sowie einen ersten (3a) und einen zweiten (3b) dielektrischen Spiegel jeweils auf der Austrittsfläche (2) und weiter ein Konversionselement (4) zwischen dem zweiten dielektrische Spiegel (3b) und der Austrittsfläche (2). Eine vom Bauelement emittierte Strahlung weist einen ersten Peak bei einer ersten Wellenlänge und einen zweiten Peak bei einer zweiten Wellenlänge auf. Der zweite Peak resultiert zumindest teilweise aus der Konversion von im Bauelement erzeugter Strahlung durch das Konversionselement. Die spektrale Breite des ersten und des zweiten Peaks beträgt jeweils höchstens 50 nm. Der erste dielektrische Spiegel ist für Strahlung der ersten Wellenlänge, die in einem ersten Winkelbereich auftrifft, durchlässig und für Strahlung der ersten Wellenlänge, die in einem zweiten Winkelbereich auftrifft, reflektierend. Der zweite dielektrische Spiegel ist für Strahlung der zweiten Wellenlänge, die in dem ersten Winkelbereich auftrifft, durchlässig und für Strahlung der zweiten Wellenlänge, die in dem zweiten Winkelbereich auftrifft, reflektierend.

    STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERCHIP, RÜCKLICHT FÜR EIN KRAFTFAHRZEUG, KRAFTFAHRZEUG UND OPTISCHE ABSTANDSMESSVORRICHTUNG
    6.
    发明申请
    STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERCHIP, RÜCKLICHT FÜR EIN KRAFTFAHRZEUG, KRAFTFAHRZEUG UND OPTISCHE ABSTANDSMESSVORRICHTUNG 审中-公开

    公开(公告)号：WO2021228855A1

    公开(公告)日：2021-11-18

    申请号：PCT/EP2021/062484

    申请日：2021-05-11

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： KREINER, Laura ,  JENTZSCH, Bruno

    IPC: H01L33/00 ,  H01L33/60 ,  H01S5/02255 ,  H01S5/10 ,  H01S5/185

    Abstract: Der strahlungsemittierende Halbleiterchip umfasst eine Halbleiterschichtenfolge mit einer aktiven Schicht zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung. Weiter umfasst der Halbleiterchip an einer Seitenfläche der Halbleiterschichtenfolge einen Reflektor mit einer der Halbleiterschichtenfolge zugewandten und schräg zur aktiven Schicht verlaufenden Reflektorfläche sowie eine quer zur Reflektorfläche verlaufende Deckfläche mit einem ersten Emissionsbereich. Der Halbleiterchip ist so eingerichtet, dass im Betrieb in der aktiven Schicht erzeugte elektromagnetische Strahlung von dem Reflektor reflektiert wird und über den Emissionsbereich der Deckfläche aus dem Halbleiterchip austritt. Eine Hauptabstrahlrichtung der austretenden elektromagnetischen Strahlung schließt dabei mit der aktiven Schicht einen Austrittswinkel zwischen einschließlich 30° und 80° ein. Das Rücklicht, das Kraftfahrzeug und die optische Abstandsmessvorrichtung umfassen jeweils mindestens einen strahlungsemittierenden Halbleiterchip.

    HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERBAUELEMENTS
    7.
    发明申请
    HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERBAUELEMENTS 审中-公开

    公开(公告)号：WO2021204653A1

    公开(公告)日：2021-10-14

    申请号：PCT/EP2021/058573

    申请日：2021-04-01

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： KREINER, Laura

    IPC: H01L33/46 ,  H01L33/50 ,  H01L33/00 ,  H01L33/60

    Abstract: Das Halbleiterbauelement (1) erzeugt und emittiert im Betrieb Strahlung eines ersten und eines zweiten Wellenlängenbereichs. Das Halbleiterbauelement umfasst einen Halbleiterkörper (2) mit einem aktiven Bereich zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung Primärstrahlung und eine Emissionsfläche (7). Weiter umfasst das Halbleiterbauelement (1) eine erste dielektrische Spiegelschicht (3), eine Konverterschicht (4) zur Umwandlung von einer in dem Halbleiterbauelement erzeugten Strahlung in Strahlung eines zweiten Wellenlängenbereichs und eine zweite dielektrische Spiegelschicht (5). Die erste dielektrische Spiegelschicht (3) und die Konverterschicht (4) sind zwischen der Emissionsfläche (7) und der zweiten dielektrischen Spiegelschicht (5) angeordnet. Die erste dielektrische Spiegelschicht (3) ist für Strahlung des ersten Wellenlängenbereichs, die mit Einfallswinkeln in einem vorgegebenen ersten Winkelbereich auftrifft, durchlässig und für Strahlung des ersten Wellenlängenbereichs, die mit Einfallswinkeln in einem vorgebebenen zweiten Winkelbereich auftrifft, reflektierend. Die zweite dielektrische Spiegelschicht (5) ist für Strahlung des zweiten Wellenlängenbereichs, die mit Einfallswinkeln in dem ersten Winkelbereich auftrifft, durchlässig und für Strahlung des zweiten Wellenlängenbereichs, die mit Einfallswinkeln in dem zweiten Winkelbereich auftrifft, reflektierend.

    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER VIELZAHL OBERFLÄCHENEMITTIERENDER HALBLEITERLASERDIODEN
    9.
    发明申请
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER VIELZAHL OBERFLÄCHENEMITTIERENDER HALBLEITERLASERDIODEN 审中-公开

    公开(公告)号：WO2023285059A1

    公开(公告)日：2023-01-19

    申请号：PCT/EP2022/066167

    申请日：2022-06-14

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： KREINER, Laura ,  HALBRITTER, Hubert

    IPC: H01S5/183 ,  H01S5/02 ,  H01S5/024 ,  H01S5/20 ,  H01S5/323

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl oberflächenemittierender Halbleiterlaserdioden mit den folgenden Schritten angegeben: - Bereitstellen eines Wachstumssubstrats (1), - Aufbringen einer Maskenschicht (2) mit einer Vielzahl von Öffnungen (21) auf das Wachstumssubstrat (1), so dass Bereiche des Wachstumssubstrats (1) durch die Öffnungen (21) freiliegen, - Aufbringen einer ersten Zwischenschicht (3) zumindest auf die freiliegenden Bereiche des Wachstumssubstrats (1), wobei die erste Zwischenschicht (3) ein quasi-zweidimensionales Material aufweist, und - epitaktisches Aufwachsen einer epitaktischen Halbleiterschichtenfolge (42) auf der ersten Zwischenschicht (3), wobei die epitaktische Halbleiterschichtenfolge eine aktive Schicht (5) zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung aufweist.

    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND BELEUCHTUNGSVORRICHTUNG
    10.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND BELEUCHTUNGSVORRICHTUNG 审中-公开

    公开(公告)号：WO2021204652A1

    公开(公告)日：2021-10-14

    申请号：PCT/EP2021/058572

    申请日：2021-04-01

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： KREINER, Laura

    IPC: H01L33/46 ,  H01L33/50 ,  H01L33/58 ,  H01L33/44

    Abstract: In mindestens einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Bauelement (10) einen Halbleiterkörper (1) mit einem aktiven Bereich zur Erzeugung elektromagnetischer Primärstrahlung und eine Austrittsfläche (2). Ferner umfasst das Bauelement ein der Austrittsfläche nachgeordnetes optisches Element (4, 5, 7) zur Umlenkung und/oder Konversion von im Bauelement erzeugter Strahlung sowie einen dielektrischen Spiegel (3) zwischen der Austrittsfläche und dem optischen Element. Der dielektrische Spiegel ist für eine im Bauelement erzeugte Strahlung einer vorgegebenen Wellenlänge, die mit Einfallswinkel in einem vorgegebenen ersten Winkelbereich auftrifft, durchlässig und für die Strahlung der vorgegebenen Wellenlänge, die mit Einfallswinkel in einem vorgegebenen zweiten Winkelbereich auftrifft, reflektierend.

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