公开(公告)号：CN109553064A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201811119874.3

申请日：2018-09-25

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： M·库恩克 ,  H·施塔尔 ,  S·马约尼

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00 ,  H01L21/768 ,  H01L23/528

CPC classification number: B81C1/00293 ,  B81B7/0041 ,  B81C1/00333 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0145 ,  G01D5/06 ,  B81C1/00095 ,  B81B7/0006 ,  B81B2207/07 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/5283

Abstract: 本发明涉及一种用于制造微机械元件的方法，所述方法包括以下步骤：-制造具有用于微机械元件的功能层、至少部分包围功能层的牺牲层和在牺牲层上的封闭罩的微机械结构，-将覆盖层施加到微机械结构上，-在覆盖层中制造栅格结构，-在栅格结构下方制造空腔作为通向牺牲层的通道，-至少部分地移除牺牲层，-将封闭层至少施加到覆盖层的栅格结构上用于封闭通向空腔的通道。

公开(公告)号：CN108946655A

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201710366980.0

申请日：2017-05-23

Applicant: 北京大学

Inventor： 赵前程 ,  李美杰 ,  闫桂珍

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00531 ,  B81C1/00563 ,  B81C2201/0132

Abstract: 一种单片集成惯性器件工艺兼容方法，该工艺兼容方法用于包含离面运动器件和面内运动器件的单片多轴集成惯性器件，离面运动器件包含离面检测部分和其他部分，其特征在于，工艺加工时通过多次刻蚀在体背面形成多个背腔和不同高度的台阶，离面运动器件的离面检测部分的结构层厚度与离面运动器件的其他部分的结构层厚度不同，离面运动器件的其他部分结构层厚度与面内运动器件结构层厚度相同。工艺加工中进行结构释放时，离面运动器件的其他部分结构层与面内运动器件的结构层同时被刻蚀穿。

公开(公告)号：CN108495810A

公开(公告)日：2018-09-04

申请号：CN201680069999.2

申请日：2016-09-29

Applicant: 麦穆斯驱动有限公司

Inventor： 罗曼·古铁雷斯 ,  托尼·唐 ,  刘晓磊 ,  马修·恩格 ,  王桂芹

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00476 ,  B81B2201/033 ,  B81C1/00484 ,  B81C1/00515 ,  B81C1/00619 ,  B81C99/0095 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/056

Abstract: 提供了一种简化的MEMS制造工序和MEMS装置，允许制造更便宜和更轻的MEMS装置。该工序包括将多个孔或其它特征图案蚀刻到MEMS装置中，然后蚀刻掉下面的晶片，使得在蚀刻工序之后，MEMS装置是所需的厚度并且单独的模具被分离，从而避免晶片减薄和模具切割的额外步骤。通过将沟槽蚀刻到衬底晶片中，并用MEMS基材将其填充，具有较大力的精密较高的MEMS装置可以被制造。

公开(公告)号：CN105609433B

公开(公告)日：2018-07-10

申请号：CN201510755359.4

申请日：2015-11-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑钧文 ,  朱家骅 ,  彭荣辉

IPC: H01L21/60 ,  B81C3/00 ,  H01L21/8238

CPC classification number: B81C1/00238 ,  B81B3/001 ,  B81B7/007 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2207/012 ,  B81B2207/07 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2203/035 ,  B81C2203/037 ,  B81C2203/0792 ,  H01L2224/16

Abstract: 本发明涉及形成MEMS器件的方法以缓解上述困难。在一些实施例中，本发明涉及形成MEMS器件的方法，该方法在载体衬底的第一侧内形成一个或多个腔体。然后将载体衬底的第一侧接合至设置于微机电系统(MEMS)衬底上的介电层，并且随后图案化MEMS衬底以限定位于一个或多个腔体上方的软机械结构。然后，使用干蚀刻工艺选择性地去除介电层以释放一个或多个软机械结构。使用低温接合工艺，通过设置在CMOS衬底和MEMS衬底之间的接合结构将CMOS衬底接合至MEMS衬底的第二侧。本发明还提供一种集成芯片。

公开(公告)号：CN106082108B

公开(公告)日：2018-05-04

申请号：CN201510736299.1

申请日：2015-11-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 周仲彥 ,  詹志仁 ,  蔡嘉雄 ,  李汝谅 ,  谢元智

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00595 ,  B81B7/007 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2201/0292 ,  B81B2203/0109 ,  B81C1/00357 ,  B81C1/00801 ,  B81C2201/0132

Abstract: 本发明提供了一种形成IC(集成电路)器件的方法。方法包括：接收第一晶圆，第一晶圆包括第一衬底并且包括设置在其上表面上的等离子体反射层。等离子体反射层配置为从其反射等离子体。在第二晶圆的下表面上形成介电保护层，其中，第二晶圆包括第二衬底。将第二晶圆接合至第一晶圆，从而在等离子体反射层和介电保护层之间形成腔体。利用等离子体实施蚀刻工艺以形成从第二晶圆的上表面延伸并且穿过介电保护层进入腔体内的开口。也提供了通过上述方法形成的结构。本发明实施例涉及用于减少背侧硅损坏的结构。

公开(公告)号：CN106029554B

公开(公告)日：2018-04-24

申请号：CN201580009172.8

申请日：2015-02-05

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： J·克拉森 ,  T·克拉默 ,  D·C·迈泽尔 ,  H·本泽尔 ,  J·弗莱 ,  C·舍林

IPC: B81B7/00 ,  B81C3/00

CPC classification number: B81B7/0048 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2207/017 ,  B81C3/001 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/019 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/15311

Abstract: 本发明提出一种传感器单元，其具有第一半导体器件和第二半导体器件，其中，所述第一半导体器件具有第一衬底和传感器结构，其中，所述第二半导体器件具有第二衬底，其中，所述第一和第二半导体器件通过晶圆连接部彼此连接，其中，所述传感器单元具有脱耦结构，该脱耦结构配置为，使得所述传感器结构热机械地和/或机械地与所述第二半导体器件脱耦。

公开(公告)号：CN107032292A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201610945347.2

申请日：2016-11-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈志明 ,  谢元智 ,  喻中一

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02

CPC classification number: B81C1/00269 ,  B81B7/0041 ,  B81B2207/093 ,  B81C1/00 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/019 ,  B81C2203/036 ,  H01L23/488 ,  H01L25/50 ,  B81C1/00261 ,  B81B7/02 ,  B81C2203/01

Abstract: 本发明涉及封装方法及相关的封装结构。本发明提供一种封装方法，其包括提供第一半导体衬底；在所述第一半导体衬底上形成接合区，其中所述第一半导体衬底的所述接合区包括第一接合金属层与第二接合金属层；提供具有接合区的第二半导体衬底，其中所述第二半导体衬底的所述接合区包括第三接合金属层；以及通过使所述第一半导体衬底的所述接合区接触所述第二半导体衬底的所述接合区，将所述第一半导体衬底接合到所述第二半导体衬底；其中所述第一与第三接合金属层包括铜(Cu)，且所述第二接合金属层包括锡(Sn)。本发明还提供一种相关的封装结构。

公开(公告)号：CN106379857A

公开(公告)日：2017-02-08

申请号：CN201611043128.1

申请日：2016-11-24

Applicant: 陕西启源科技发展有限责任公司

Inventor： 张淑芬

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00055 ,  B81B2201/0264 ,  B81C2201/0101 ,  B81C2201/0132

Abstract: 本发明谐振式硅微传感器上膜片加工方法，涉及传感器领域，具体涉及谐振式硅微传感器下膜片的加工方法包括以下步骤：选取一片重掺杂的P型硅晶片，利用外延工艺，在硅晶片衬底上，外延10um厚的轻掺杂的N型层，然后，将N型外延层进行化学机械抛光，接着，在硅衬底的正面，热氧化生长一层1um厚的SiO2薄膜，涂覆上光刻胶，利用光刻工艺生成图形，开出腐蚀掩膜窗口，利用反应离子腐蚀，腐蚀出两个深度为10um，长度为1800um，宽度为860um的凹槽；利用BHF酸溶液除去硅衬底上的SiO2薄层，在此之后进行化学机械抛光。本发明兼容性好，且加工效率高，有利于提高传感器的可靠性，降低生产成本，可批量生产。

公开(公告)号：CN103832965B

公开(公告)日：2017-02-08

申请号：CN201210482401.6

申请日：2012-11-23

Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司

Inventor： 蒋中伟

IPC: B81C1/00

CPC classification number: H01L21/32137 ,  B81C1/00531 ,  B81C2201/0112 ,  B81C2201/0132 ,  H01L21/30655

Abstract: 本发明提供一种基片刻蚀方法，其包括以下步骤：沉积作业，用以在硅槽侧壁上沉积聚合物；刻蚀作业，用以对所述硅槽侧壁进行刻蚀；重复所述沉积作业和刻蚀作业至少两次；其中，在完成所述刻蚀作业的所有循环次数的过程中，反应腔室的腔室压力按预设规则由预设的最高压力值降低至最低压力值。本发明提供的基片刻蚀方法能够避免产生侧壁伤害的问题，从而可以使侧壁形貌光滑。

公开(公告)号：CN106044700A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201610230215.1

申请日：2016-04-13

Applicant: 德州仪器公司

Inventor： 肖恩·克里斯托弗·奥布莱恩

IPC: B81C1/00

CPC classification number: G02B26/0833 ,  B81B2201/042 ,  B81C1/00809 ,  B81C2201/0132 ,  G03F7/26 ,  B81C1/00 ,  B81C1/00388

Abstract: 本发明涉及制造MEMS装置的方法。在所描述的实例中，微机电系统MEMS包含附接到半导体装置(602)的微镜装置(604)。第一间隔层(700)经形成且经图案化以形成铰链(622)通孔开口。铰链金属沉积于第一间隔层(700)上方以形成所述铰链(622)及铰链通孔(620)。覆盖层(702)形成于所述铰链金属上方。第二间隔层(704)形成于所述覆盖层(702)上方且经图案化以形成镜通孔(624)。使用显影液清洗所述装置。所述覆盖层(702)保护所述铰链金属不受所述显影液的影响。将所述覆盖层(702)从所述镜通孔(624)开口内移除。另一金属层沉积于所述第二间隔层(704)上方及所述镜通孔(624)内以形成镜(626)。