公开(公告)号：US5496668A

公开(公告)日：1996-03-05

申请号：US340617

申请日：1994-11-16

Applicant: Henry Guckel ,  Todd R. Christenson ,  Kenneth Skrobis

Inventor： Henry Guckel ,  Todd R. Christenson ,  Kenneth Skrobis

IPC: G03F7/027 ,  B81B1/00 ,  B81C1/00 ,  G03F7/00 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  G03F7/30 ,  G03F7/38 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027 ,  H05K3/18

CPC classification number: G03F7/38 ,  B81C1/0038 ,  G03F7/00 ,  G03F7/0035 ,  B81C2201/0128 ,  B81C2201/0159 ,  B81C2201/019 ,  B81C2201/032 ,  Y10S430/168 ,  Y10T428/31504

Abstract: In the formation of microstructures, a preformed sheet of photoresist, such as polymethylmethacrylate (PMMA), which is strain free, may be milled down before or after adherence to a substrate to a desired thickness. The photoresist is patterned by exposure through a mask to radiation, such as X-rays, and developed using a developer to remove the photoresist material which has been rendered susceptible to the developer. Micrometal structures may be formed by electroplating metal into the areas from which the photoresist has been removed. The photoresist itself may form useful microstructures, and can be removed from the substrate by utilizing a release layer between the substrate and the preformed sheet which can be removed by a remover which does not affect the photoresist. Multiple layers of patterned photoresist can be built up to allow complex three dimensional microstructures to be formed.

公开(公告)号：US5378583A

公开(公告)日：1995-01-03

申请号：US66988

申请日：1993-05-24

Applicant: Henry Guckel ,  Todd R. Christenson ,  Kenneth Skrobis

Inventor： Henry Guckel ,  Todd R. Christenson ,  Kenneth Skrobis

IPC: G03F7/027 ,  B81B1/00 ,  B81C1/00 ,  G03F7/00 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  G03F7/30 ,  G03F7/38 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027 ,  H05K3/18 ,  G03C5/00

CPC classification number: G03F7/38 ,  B81C1/0038 ,  G03F7/00 ,  G03F7/0035 ,  B81C2201/0128 ,  B81C2201/0159 ,  B81C2201/019 ,  B81C2201/032 ,  Y10S430/168 ,  Y10T428/31504

Abstract: In the formation of microstructures, a preformed sheet of photoresist, such as polymethylmethacrylate (PMMA), which is strain free, may be milled down before or after adherence to a substrate to a desired thickness. The photoresist is patterned by exposure through a mask to radiation, such as X-rays, and developed using a developer to remove the photoresist material which has been rendered susceptible to the developer. Micrometal structures may be formed by electroplating metal into the areas from which the photoresist has been removed. The photoresist itself may form useful microstructures, and can be removed from the substrate by utilizing a release layer between the substrate and the preformed sheet which can be removed by a remover which does not affect the photoresist. Multiple layers of patterned photoresist can be built up to allow complex three dimensional microstructures to be formed.

Abstract translation: 在微结构的形成中，可以在将粘附到基底上之前或之后将预成型的光致抗蚀剂片材（例如无甲基丙烯酸甲酯（PMMA））磨碎到期望的厚度。 光致抗蚀剂通过掩模通过掩模曝光到例如X射线的辐射而被图案化，并且使用显影剂显影以除去已经对显影剂易感的光致抗蚀剂材料。 微米结构可以通过将金属电镀到已经除去光致抗蚀剂的区域中而形成。 光致抗蚀剂本身可以形成有用的微结构，并且可以通过利用基材和预成型片材之间的剥离层从基材上除去，该剥离层可以通过不影响光致抗蚀剂的去除剂去除。 可以构建多层图案化的光致抗蚀剂，以形成复杂的三维微结构。

公开(公告)号：WO2015170958A1

公开(公告)日：2015-11-12

申请号：PCT/MY2015/000026

申请日：2015-04-29

Applicant: MIMOS BERHAD

Inventor： LEE, Hing Wah ,  BIEN, Daniel Chia Sheng ,  ABD WAHID, Khairul Anuar ,  ATAN@MOHAM, Khairom Nizam ,  ZAKARIA, Anifah

IPC: H01L21/027

CPC classification number: B81C1/00031 ,  B81C2201/0153 ,  B81C2201/0159 ,  H01L51/0023

Abstract: The present invention provides an etch-free method for conductive electrode formation. The method comprises depositing an insulating layer (104) on a substrate (102), spin coating a first polymer layer (106) on the substrate (102), patterning the first polymer layer (106) by photo-lithography and depositing a conductive metal layer by physical deposition to form a top metallic layer (108) and a bottom metallic layer (110).

Abstract translation: 本发明提供了一种用于导电电极形成的无蚀刻方法。 该方法包括在衬底（102）上沉积绝缘层（104），在衬底（102）上旋涂第一聚合物层（106），通过光刻法图案化第一聚合物层（106）并沉积导电金属 层，通过物理沉积形成顶部金属层（108）和底部金属层（110）。

公开(公告)号：WO2012163702A1

公开(公告)日：2012-12-06

申请号：PCT/EP2012/059295

申请日：2012-05-18

Applicant: COMMISSARIAT À L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES ,  TIRON, Raluca ,  GAUGIRAN, Stéphanie ,  CHEVALIER, Xavier ,  TEDESCO, Serge

Inventor： TIRON, Raluca ,  GAUGIRAN, Stéphanie ,  CHEVALIER, Xavier ,  TEDESCO, Serge

IPC: H01L21/027 ,  B82Y10/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B05D5/00 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  B81C2201/0159 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0337

Abstract: L'invention concerne un procédé de réalisation de motifs à la surface d'un substrat par graphoépitaxie comportant les étapes suivantes : - une étape de dépôt d'une couche de résine à la surface du substrat; - une étape de réalisation de motifs en résine à la surface d'un substrat; - une étape de durcissement des motifs en résine par création d'une couche de carbone amorphe à la surface des motifs en résine; - une étape de dépôt d'une couche de copolymère statistique après l'étape de durcissement des motifs en résine; - une étape de greffage de la couche de copolymère statistique sur les motifs en résine par recuit; - une étape de dépôt d'une couche d'un copolymère à bloc dans les espaces définis par les motifs en résine après l'étape de durcissement des motifs et le greffage de la couche de copolymère statistique.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于通过石刻电泳法在基板表面上制作图案的方法，包括以下步骤：在基板的表面上沉积树脂层的步骤; 在基板表面上的树脂中形成图案的步骤; 通过在树脂的图案的表面上产生无定形碳层来固化树脂中的图案的步骤; 在固化树脂中的图案的步骤之后沉积统计共聚物层的步骤; 通过退火将统计共聚物层接枝到树脂上的步骤; 以及在固化图案和统计共聚物层的接枝的步骤之后，将一层嵌段共聚物沉积到由树脂中的图案限定的空间中的步骤。

公开(公告)号：WO2010099220A2

公开(公告)日：2010-09-02

申请号：PCT/US2010/025261

申请日：2010-02-24

Applicant: CALIFORNIA INSTITUTE OF TECHNOLOGY ,  HENRY, Michael D. ,  HOMYK, Andrew P. ,  SCHERER, Axel ,  TOMBRELLO, Thomas A. ,  WALAVALKAR, Sameer

Inventor： HENRY, Michael D. ,  HOMYK, Andrew P. ,  SCHERER, Axel ,  TOMBRELLO, Thomas A. ,  WALAVALKAR, Sameer

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/027

CPC classification number: B81C1/00111 ,  B01J19/0046 ,  B01J2219/00504 ,  B01J2219/00664 ,  B81B1/006 ,  B81B2203/0361 ,  B81B2207/056 ,  B81C2201/0112 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0133 ,  B81C2201/0159 ,  G01N1/405 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3086 ,  Y10T436/25375

Abstract: Methods for fabricating of high aspect ratio probes and deforming micropillars and nanopillars are described. Use of polymers in deforming nanopillars and micropillars is also described.

Abstract translation: 描述了制造高纵横比探针和变形微柱和纳米柱的方法。 还描述了聚合物在变形纳米柱和微柱体中的使用。

公开(公告)号：WO2010049813A1

公开(公告)日：2010-05-06

申请号：PCT/IB2009/007414

申请日：2009-10-28

Applicant: UTI LIMITED PARTNERSHIP ,  ZINE-EL-ABIDINE, Imed ,  OKONIEWSKI, Michael

Inventor： ZINE-EL-ABIDINE, Imed ,  OKONIEWSKI, Michael

IPC: B81C1/00 ,  B81C99/00

CPC classification number: B81C1/00333 ,  B81C2201/0159 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0154 ,  Y10T428/13

Abstract: In one general aspect, methods and articles of manufacture for creating micro- structures are disclosed. In one embodiment, the micro-structures are configured to provide a desired level of hermiticity to other micro-sized devices, such as MEMS and microfluidic devices. In one embodiment, the microstructures are formed from a single species of photoresist, where the photoresist is lithographically patterned to encapsulate the micro-sized device. In general, the ability to form an encapsulating micro-structure from a single photoresist relies in part on applying variable light doses to a later of photoresist to affect a desired level of cross-linking within the photoresist.

Abstract translation: 在一般的方面，公开了用于产生微结构的方法和制品。 在一个实施例中，微结构被配置为向其他微尺寸装置（例如MEMS和微流体装置）提供期望水平的隐性。 在一个实施例中，微结构由单一光致抗蚀剂形成，其中光刻胶被光刻图案化以封装微尺寸的器件。 通常，从单一光致抗蚀剂形成封装微结构的能力部分地依赖于将可变光剂量应用于稍后的光致抗蚀剂以影响光致抗蚀剂内期望的交联水平。

公开(公告)号：WO2006132664A2

公开(公告)日：2006-12-14

申请号：PCT/US2005/036812

申请日：2005-10-14

Applicant: THE BOARD OF TRUSTEES OF THE UNIVERSITY OF ILLINOIS ,  NUZZO, Ralph, G. ,  CHILDS, William, R. ,  MOTALA, Michael, J. ,  LEE, Keon, Jae

Inventor： NUZZO, Ralph, G. ,  CHILDS, William, R. ,  MOTALA, Michael, J. ,  LEE, Keon, Jae

CPC classification number: G03F7/0002 ,  B81C1/0038 ,  B81C2201/0159 ,  B81C2201/0191 ,  B81C2203/038 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/34 ,  G03F7/346

Abstract: A method of making a microstructure includes selectively activating a portion of a surface of a silicon-containing elastomer, contacting the activated portion with a substance, and bonding the activated portion and the substance, such that the activated portion of the surface and the substance in contact with the activated portion are irreversibly attached. The selective activation may be accomplished by positioning a mask on the surface of the silicon-containing elastomer, and irradiating the exposed portion with UV radiation.

Abstract translation: 制造微结构的方法包括选择性地激活含硅弹性体的表面的一部分，使活化部分与物质接触，并且将活化部分和物质接合，使得表面的活化部分和物质在 与活化部分的接触不可逆地附着。 选择性激活可以通过将掩模定位在含硅弹性体的表面上，并用UV辐射照射暴露部分来实现。

公开(公告)号：WO2005116763A1

公开(公告)日：2005-12-08

申请号：PCT/JP2005/009920

申请日：2005-05-31

Applicant: 富士写真フイルム株式会社 ,  川村 浩一

Inventor： 川村 浩一

IPC: G03F7/004

CPC classification number: B81C1/00031 ,  B81C2201/0159 ,  B81C2201/0198 ,  B82Y30/00 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/027 ,  G03F7/029 ,  H05K3/064

Abstract: 　本発明は、汎用の露光機を用いて高解像度のパターン形成が可能であり、撥油且つ撥水性領域を効率よく形成することができるグラフトパターン形成方法、該方法により形成された撥油且つ撥水性グラフトパターンをエッチングストッパーに用いるリソグラフィ方法、前記グラフトパターン形成方法により形成されたグラフトパターンを用いる導電性パターン形成方法、カラーフィルター形成方法、及びマイクロレンズ製造方法を提供することを目的とする。 　前記グラフトパターン形成方法は、基材表面に、光開裂によりラジカル重合を開始しうる光重合開始部位と基材結合部位とを有する化合物をパターン状に設け、撥油且つ撥水性の官能基を有するラジカル重合性化合物を接触させた後、全面露光を行うか、又は、光開裂によりラジカル重合を開始しうる重合開始部位と基材結合部位とを有する化合物を基材に結合させ、撥油及び撥水性の官能基を有するラジカル重合性化合物を接触させて、パターン状に露光するかにより、グラフトポリマー生成領域と非生成領域とを形成することを特徴とする。                                                                                 

Abstract translation: 一种形成接枝图案的方法，其中可以通过使用通用曝光机实现高分辨率图案形成，并且其中可以高效率地形成防油和防水区域; 使用通过上述方法获得的拒油拒水接枝图案作为蚀刻停止剂的光刻方法; 并使用由上述接枝图形形成方法形成的接枝图案，形成导电图案的方法，滤色器的制造方法和微透镜的制造方法。 提供一种形成接枝图案的方法，其特征在于，通过在基板表面上设置不仅具有能够通过光分裂引发自由基聚合的光聚合引发部分的化合物而形成接枝聚合物生产区域和非生产区域， 底物结合部分，使其与具有拒油和拒水性官能团的可自由基聚合的化合物接触，然后进行全表面暴露，或者通过使不仅具有光聚合引发部分的化合物能够 通过光分解引发自由基聚合，而且与底物结合部分结合，使其与具有拒油和拒水性官能团的可自由基聚合的化合物接触，然后以图案形式进行曝光。

公开(公告)号：WO2004104704A3

公开(公告)日：2005-05-26

申请号：PCT/EP2004005428

申请日：2004-05-19

Applicant: INST MIKROTECHNIK MAINZ GMBH ,  SINGLETON LAURENCE ,  SCHEURER JOERG

Inventor： SINGLETON LAURENCE ,  SCHEURER JOERG

IPC: B81C1/00 ,  G03F7/00 ,  G03F7/038 ,  G03F7/11 ,  G03F7/40 ,  G03F7/42

CPC classification number: G03F7/40 ,  B81B2203/0361 ,  B81C1/00619 ,  B81C2201/0159 ,  B81C2201/0181 ,  B81C2201/0188 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/038 ,  G03F7/11 ,  G03F7/405

Abstract: The invention relates to a lithographic method for producing microcomponents having a submillimeter structure, whereby the resist material can be dissolved in a simple manner. According to the invention, a structurable adhesive layer is applied to a metallic starting layer, a layer consisting of photostructurable epoxy resin is applied to the adhesive layer, and the epoxy resin is structured by means of selective illumination and dissolution of the unexposed regions in order to create supporting structures and free spaces between the supporting structures. Only the free spaces provided for the microcomponent and located between the epoxy resin supporting structures are then filled with metal according to a galvanic method, and the epoxy resin is removed, the remaining free spaces being filled with etching agents.

Abstract translation: 它是描述了用于在亚毫米范围内产生具有器件结构的微平版印刷工艺，其中所述抗蚀剂材料的溶解是可能以简单的方式。 该方法提供了光致环氧树脂的层施加到金属籽晶层上的结构化的粘合剂层和粘合剂层，所述环氧树脂通过选择性曝光的装置构造并溶解出来的未曝光区域的支持结构的形成和支撑结构之间的自由区域，则只有 设置用于Epoxyharzstützstrukturen之间的微小间隙成分电镀工艺的装置用金属填充，最后，环氧树脂被去除，蚀刻剂被引入到其余的自由空间。

公开(公告)号：JP5973557B2

公开(公告)日：2016-08-23

申请号：JP2014511824

申请日：2012-05-18

Applicant: コミッサリア ア レネルジ アトミック エ オ エネルジ アルテルナティヴ ,  Commissariat a lenergie atomique et aux energies alternatives ,  センター ナショナル デ ラ レシェルシェ サイエンティフィック(シーエヌアールエス) ,  CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE(CNRS)

Inventor： ティロン,ラルカ ,  ゴーギラン,ステファニー ,  シュヴァリエ,ザヴィエ ,  テデスコ,セルジュ

IPC: B82Y40/00 ,  B82Y30/00 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027

CPC classification number: B05D5/00 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  B81C2201/0159 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0337