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公开(公告)号：KR1020140026560A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：KR1020137033278
申请日：2012-05-11
Applicant: 테크놀로지안 투트키무스케스쿠스 브이티티 오와이
CPC classification number: B81B3/0072 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/0271 , B81C2201/0164 , B81C2201/0167 , B81C2201/0177 , G06F17/5045 , H03H9/02448 , H03H9/2447 , H03H2009/2442
Abstract: 본 발명은 편향 또는 공진할 수 있고 상이한 재료 속성들을 갖는 적어도 2개의 영역들을 포함하는 반도체 소자, 상기 반도체 소자에 기능적으로 결합된 구동 또는 감지 수단을 포함하는 마이크로기계 장치에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 상기 영역들의 적어도 하나는 하나 또는 그보다 많은 n-형 도핑제들을 포함하고, 상기 영역들의 상대적인 체적들, 도핑 농도들, 도핑제들 및/또는 결정 방위들은 일반화된 강성의 온도 감도들이 적어도 영역들에 대한 하나의 온도에서 부호가 반대이고, 상기 반도체 소자의 일반화된 강성의 전체적인 온도 드리프트가 100 ℃의 온도 범위 상에서 50 ppm 또는 그 미만 이도록 구성된다. 상기 장치는 공진기일 수 있다. 또한, 상기 장치를 설계하는 방법이 개시되어 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020070117679A
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：KR1020077024047
申请日：2001-08-07
Applicant: 허니웰 인터내셔널 인코포레이티드
IPC: B81B7/00
CPC classification number: B81C1/00365 , B81C2201/0164 , Y10T428/21 , Y10T428/2495
Abstract: Layers of boron-doped silicon (36) having reduced out-of-plane curvature are disclosed. The layers have substantially equal concentrations of boron near th etop (38) and bottom (40) surfaces. Since the opposing concentrations are substantially equal, the compressive stresses on the layers (36) are substantially balanced, thereby resulting in layers (36) with reduced out-of-plane curvature.
Abstract translation: 公开了具有减小的平面外曲率的硼掺杂硅（36）的层。 这些层在顶部（38）和底部（40）表面附近具有基本相等的硼浓度。 由于相反的浓度基本相等，所以层（36）上的压缩应力基本平衡，从而导致具有减小的面外曲率的层（36）。
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公开(公告)号：KR100555616B1
公开(公告)日：2006-03-03
申请号：KR1020037002105
申请日：2001-06-13
Applicant: 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
IPC: H01L29/84
CPC classification number: B81C1/00666 , B81B2201/0235 , B81C2201/0164 , B81C2201/0169 , G01P15/125 , G01P2015/0814 , H01G4/33 , H01G5/16
Abstract: A thin-film structural body formed by using a semiconductor processing technique and a manufacturing method thereof, and particularly a thin-film structural body constituting a semiconductor acceleration sensor and a manufacturing method thereof. The thin-film structural body allows the thin-film member to be easily stress-controlled, and easily makes the film-thickness of the thin-film member thicker. The thin-film member forms a mass body and, beams and fixed electrodes of the semiconductor acceleration sensor are constituted by a plurality of doped polysilicon thin-films that are laminated by performing a step of film deposition of polysilicon while, for example, phosphorous is being doped as impurities plural times.
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94.发明专利使厚多晶矽薄膜應用在微機電中為可行之多晶矽沈積及退火過程 POLYSILICON DEPOSITION AND ANNEAL PROCESS ENABLING THICK POLYSILICON FILMS FOR MEMS APPLICATIONS 有权使厚多晶硅薄膜应用在微机电中为可行之多晶硅沉积及退火过程 POLYSILICON DEPOSITION AND ANNEAL PROCESS ENABLING THICK POLYSILICON FILMS FOR MEMS APPLICATIONS
公开(公告)号：TWI368598B
公开(公告)日：2012-07-21
申请号：TW097112551
申请日：2008-04-07
Applicant: 亞德諾公司
Inventor： 湯瑪斯
CPC classification number: B81C1/00666 , B81B2201/025 , B81C2201/0164 , B81C2201/0167 , B81C2201/0169
Abstract: 一種用於微機電元件慣性感測器之形成厚多晶矽薄膜的方法，該方法包含於高溫環境下持續一段時間以在基材上形成第一多晶矽薄膜，至少使接近基材的部分非結晶型多晶矽薄膜進行結晶化及晶粒生長(grain growth)；該方法亦包含在第一多晶矽薄膜形成一氧化層，在約1100℃或更高溫度的環境下對第一非結晶型多晶矽薄膜進行退火以生成一結晶型多晶矽薄膜，並且移除該氧化層；最終，該方法包含於高溫環境下持續一段時間以在該結晶型多晶矽薄膜的表面上形成第二非結晶型多晶矽薄膜，至少使接近該結晶型多晶矽薄膜表面的部分非結晶型多晶矽薄膜進行結晶化及晶粒生長。
Abstract in simplified Chinese: 一种用于微机电组件惯性传感器之形成厚多晶硅薄膜的方法，该方法包含于高温环境下持续一段时间以在基材上形成第一多晶硅薄膜，至少使接近基材的部分非结晶型多晶硅薄膜进行结晶化及晶粒生长(grain growth)；该方法亦包含在第一多晶硅薄膜形成一氧化层，在约1100℃或更高温度的环境下对第一非结晶型多晶硅薄膜进行退火以生成一结晶型多晶硅薄膜，并且移除该氧化层；最终，该方法包含于高温环境下持续一段时间以在该结晶型多晶硅薄膜的表面上形成第二非结晶型多晶硅薄膜，至少使接近该结晶型多晶硅薄膜表面的部分非结晶型多晶硅薄膜进行结晶化及晶粒生长。
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95.发明专利使厚多晶矽薄膜應用在微機電中為可行之多晶矽沈積及退火過程 POLYSILICON DEPOSITION AND ANNEAL PROCESS ENABLING THICK POLYSILICON FILMS FOR MEMS APPLICATIONS 审中-公开使厚多晶硅薄膜应用在微机电中为可行之多晶硅沉积及退火过程 POLYSILICON DEPOSITION AND ANNEAL PROCESS ENABLING THICK POLYSILICON FILMS FOR MEMS APPLICATIONS
公开(公告)号：TW200906708A
公开(公告)日：2009-02-16
申请号：TW097112551
申请日：2008-04-07
Applicant: 亞德諾公司 ANALOG DEVICES, INC.
Inventor： 湯瑪斯 NUNAN, THOMAS KIERAN
CPC classification number: B81C1/00666 , B81B2201/025 , B81C2201/0164 , B81C2201/0167 , B81C2201/0169
Abstract: 一種用於微機電元件慣性感測器之形成厚多晶矽薄膜的方法,該方法包含於高溫環境下持續一段時間以在基材上形成第一多晶矽薄膜,至少使接近基材的部分非結晶型多晶矽薄膜進行結晶化及晶粒生長(grain growth);該方法亦包含在第一多晶矽薄膜形成一氧化層,在約1100℃或更高溫度的環境下對第一非結晶型多晶矽薄膜進行退火以生成一結晶型多晶矽薄膜,並且移除該氧化層;最終,該方法包含於高溫環境下持續一段時間以在該結晶型多晶矽薄膜的表面上形成第二非結晶型多晶矽薄膜,至少使接近該結晶型多晶矽薄膜表面的部分非結晶型多晶矽薄膜進行結晶化及晶粒生長。
Abstract in simplified Chinese: 一种用于微机电组件惯性传感器之形成厚多晶硅薄膜的方法,该方法包含于高温环境下持续一段时间以在基材上形成第一多晶硅薄膜,至少使接近基材的部分非结晶型多晶硅薄膜进行结晶化及晶粒生长(grain growth);该方法亦包含在第一多晶硅薄膜形成一氧化层,在约1100℃或更高温度的环境下对第一非结晶型多晶硅薄膜进行退火以生成一结晶型多晶硅薄膜,并且移除该氧化层;最终,该方法包含于高温环境下持续一段时间以在该结晶型多晶硅薄膜的表面上形成第二非结晶型多晶硅薄膜,至少使接近该结晶型多晶硅薄膜表面的部分非结晶型多晶硅薄膜进行结晶化及晶粒生长。
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公开(公告)号：TW523787B
公开(公告)日：2003-03-11
申请号：TW090115370
申请日：2001-06-26
Applicant: 三菱電機股份有限公司
IPC: H01L
CPC classification number: B81C1/00666 , B81B2201/0235 , B81C2201/0164 , B81C2201/0169 , G01P15/125 , G01P2015/0814 , H01G4/33 , H01G5/16
Abstract: 本發明之目的在提供一種薄膜構造體及其製造方法，係關於使用半導體加工技術而形成的薄膜構造體及其製造方法，特別是構成半導體加速度感知器的薄膜構造體及其製造方法，不僅可簡便地進行薄膜體的應力控制，同時可很容易將薄膜體的膜厚予以加厚。
為了達成上述目的，半導體加速度感知器的質量體(3)、樑(7)及構成固定電極(5)的薄膜體(8)，係由複數的經摻雜之多晶矽薄膜(33，35)所構成，而該經摻雜之多晶矽薄膜(33，35)，則是藉由進行多次一邊摻雜做為雜質的磷一邊使多晶矽成膜的程序而層疊而成。Abstract in simplified Chinese: 本发明之目的在提供一种薄膜构造体及其制造方法，系关于使用半导体加工技术而形成的薄膜构造体及其制造方法，特别是构成半导体加速度感知器的薄膜构造体及其制造方法，不仅可简便地进行薄膜体的应力控制，同时可很容易将薄膜体的膜厚予以加厚。 为了达成上述目的，半导体加速度感知器的质量体(3)、梁(7)及构成固定电极(5)的薄膜体(8)，系由复数的经掺杂之多晶硅薄膜(33，35)所构成，而该经掺杂之多晶硅薄膜(33，35)，则是借由进行多次一边掺杂做为杂质的磷一边使多晶硅成膜的进程而层叠而成。
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