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    3축 가속도계
    93.
    发明公开
    3축 가속도계 有权
    三轴加速度计

    公开(公告)号：KR1020080011645A

    公开(公告)日：2008-02-05

    申请号：KR1020077017000

    申请日：2006-11-16

    Applicant: 키오닉스, 인크.

    Inventor： 아담스,스콧지. ,  밀러,스콧에이. ,  션-엡스타인,준 ,  엡스타인,케이스

    IPC: G01P15/00

    CPC classification number: G01P15/125 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/18 ,  G01P2015/0828

    Abstract: In an embodiment of the present invention there is provided a micro-electromechanical (MEMS) accelerometer, including a substrate, a first sensor and a second sensor. The first sensor is configured to measure an acceleration along a first axis parallel to a plane of the substrate. The second sensor is configured to measure an acceleration along an axis perpendicular to the plane of the substrate. The second sensor comprises a first beam, a second beam and a single support structure. The single support structure supports the first and second beams relative to the substrate, wherein the first and second beams circumscribe the first sensor.

    Abstract translation: 在本发明的一个实施例中，提供了一种包括基板，第一传感器和第二传感器的微机电（MEMS）加速度计。 第一传感器被配置为测量沿着平行于衬底的平面的第一轴的加速度。 第二传感器被配置成沿垂直于基板的平面的轴测量加速度。 第二传感器包括第一梁，第二梁和单个支撑结构。 单个支撑结构相对于基板支撑第一和第二光束，其中第一和第二光束围绕第一传感器。

    정전용량형 가속도 센서
    94.
    发明公开
    정전용량형 가속도 센서 有权
    电容式加速度传感器

    公开(公告)号：KR1020070032901A

    公开(公告)日：2007-03-23

    申请号：KR1020060046933

    申请日：2006-05-25

    Applicant: 미쓰비시덴키 가부시키가이샤

    Inventor： 야마구치야스오 ,  호리카와마키오 ,  오쿠무라미카 ,  사토우키미토시

    IPC: G01P3/483

    CPC classification number: G01P15/125 ,  B81B3/0008 ,  B81B7/0077 ,  B81B2201/0235 ,  G01P1/023 ,  G01P2015/0828

    Abstract: 정전용량형 가속도 센서에 있어서, 가동전극을 가지는 가속도 검출부를 수납하고 있는 밀폐 공간 내로의 수분 등의 침입 및 양극 접합시에 캡(8)에 축적되는 정전기로 인한 전계로 가동전극의 캡에 들러붙는 것을 방지한다. 밀폐 공간을 구성하고 있는 캡(8)의 내면 전체면에 연성변형하는 도전성의 실드막(9)을 설치하고, 상기 실드막(9)을 접합틀(7)과 캡(8) 사이에 개재하도록 연장시키며, 가동 전극(6)과 전기적으로 접속시킴으로써, 접합틀(7)의 표면에 요철이 존재하고 있어도, 양호한 접합틀(7)과 캡(8)과의 양극 접합이 가능하게 되며, 캡(8)에 축적된 정전기에 의한 전계를 차폐할 수 있다.
    실드막, 정전기, 밀폐 공간, 전계

    Abstract translation: 在电容式加速度传感器中，由于在阳极接合时积聚在盖8中的静电，湿气等渗入容纳具有可动电极的加速度检测部分和可动电极的盖的粘附空间 它可以防止。 在构成封闭空间的盖8的整个内表面上设置有延展性变形的导电性屏蔽膜9，屏蔽膜9介于接合框7与盖8之间 即使在接合框架7和盖6的表面上存在不平坦的情况下，接合框架7和盖8之间的正接合也变得可能 由于积聚在电极8中的静电可以屏蔽电场，

    캔틸레버 센서 및 그 제조 방법
    95.
    发明授权
    캔틸레버 센서 및 그 제조 방법 有权
    CANTILEVER传感器及其制造方法

    公开(公告)号：KR100479687B1

    公开(公告)日：2005-03-30

    申请号：KR1020020030340

    申请日：2002-05-30

    Applicant: 한국과학기술연구원

    Inventor： 김태송 ,  김형준 ,  이정훈 ,  강지윤

    IPC: G01N27/00

    CPC classification number: G01P15/0922 ,  G01P2015/0828

    Abstract: 본 발명은 캔틸레버 센서에 관한 것으로서, 압전막들을 동일면에 형성하여 전기적 측정 방법을 통하여 여러 정보를 감지하는 것을 특징으로 하는 캔틸레버 센서 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
    본 발명인 캔틸레버 센서는 그 일부는 일면의 실리콘 기판 위에 형성되고, 나머지 일부는 실리콘 웨이퍼의 뒷면을 식각하여 멤브레인으로서 제작된 제 1 실리콘 질화막 또는 실리콘/실리콘산화막(2중막)과; 상기 실리콘 질화막 위에 형성된 실리콘 산화막과; 상기 실리콘 산화막 상에 소정의 크기로 형성된 하부 전극과; 상기 하부 전극 상에 형성된 제 1 압전막과, 상기 제 1 압전막과 접촉하지 않도록 형성된 제 2 압전막과; 상기 제 1 및 제 2 압전막 위에 소정의 크기로 형성된 상부 전극과; 상기 하부 실리콘 산화막과, 하부 전극과, 제 1 및 제 2 압전막과, 상부 전극들에 형성된 보호막과; 각각의 상부 전극 상의 보호막과, 상기 하부 전극 상의 보호막에 형성된 제 1 개구들와 제 2 개구들과; 상기 제 1 및 제 2 개구들에 각각 형성된 제 1 및 제 2 콘택 패드 및; 상기 기판의 타면에 형성된 제 2 실리콘 질화막으로 이루어진다.

    마이크로 관성센서 및 그 제조 방법
    96.
    发明公开
    마이크로 관성센서 및 그 제조 방법 无效
    MICRO INERTIA传感器及其制造方法

    公开(公告)号：KR1020030077754A

    公开(公告)日：2003-10-04

    申请号：KR1020020016603

    申请日：2002-03-27

    Applicant: 삼성전기주식회사

    Inventor： 안승도 ,  김경수 ,  조지만

    IPC: H01L29/84

    CPC classification number: B81C1/00301 ,  B81B2201/025 ,  B81B2207/095 ,  B81C2201/019 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/038 ,  G01C19/5783 ,  G01P1/023 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/125 ,  G01P2015/0814 ,  G01P2015/0828 ,  Y10T428/24322

    Abstract: PURPOSE: A micro inertia sensor and a method for manufacturing the same are provided to be capable of reducing the size of the sensor and simplifying manufacturing processes by improving the structure of the sensor. CONSTITUTION: A micro inertia sensor is provided with a lower glass substrate(1), a lower silicon layer(2) including the first edge part(2a), the first fixing part(2b), a side motion detecting structure(2c), formed at the upper portion of the lower glass substrate, an upper silicon layer(4) includes the second edge part(4a), the second fixing part(4b), and an upper detecting electrode(4c) corresponding to the first edge part, the first fixing part, the side motion detecting structure, respectively, formed at the upper portion of the lower silicon layer, an adhesive layer(3) located between the lower and upper silicon layer, and an upper glass substrate(5) including a conductive line(6) and a via hole(5a), formed at the upper portion of the resultant structure.

    Abstract translation: 目的：提供微惯性传感器及其制造方法，以能够通过改进传感器的结构来减小传感​​器的尺寸并简化制造过程。 构造：微惯性传感器设置有下玻璃基板（1），包括第一边缘部分（2a），第一固定部分（2b），侧运动检测结构（2c）的下硅层（2） 形成在下玻璃基板的上部，上硅层（4）包括第二边缘部分（4a），第二固定部分（4b）和对应于第一边缘部分的上部检测电极（4c） 第一固定部分，分别形成在下硅层的上部的侧运动检测结构，位于下硅层和上硅层之间的粘合剂层（3）和包括导电的上玻璃基板（5） 线（6）和形成在所得结构的上部的通孔（5a）。

    디지탈 가속도계와 가속 검출 방법
    97.
    发明授权
    디지탈 가속도계와 가속 검출 방법 失效
    数字加速度计和检测方法。

    公开(公告)号：KR100274837B1

    公开(公告)日：2000-12-15

    申请号：KR1019930007281

    申请日：1993-04-29

    Applicant: 텍사스 인스트루먼츠 인코포레이티드

    Inventor： 윌리엄이.넬슨

    IPC: G01P15/08

    CPC classification number: G01P15/0888 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/135 ,  G01P15/18 ,  G01P2015/0828

    Abstract: 디지탈 가속도계는 미소- 기계적인 감지 소자(12)의 어레이(11a-11e)로부터 제조된다. 서로 다른 어레이(11a-11e)의 상기 감지 소자(12)는 다른 방향으로의 가속에 대한 그 응답이 최소로 되도록 특수한 회전 또는 병진 방향으로의 가속을 검출하도록 설계되었다. 더욱이, 상기 감지 소자(12)는 가속에 대한 그 주파수 응답과 진폭 감도를 변화시키기 우해 조정될 수도 있는 크기와 시험 매스의 파라미터를 갖는다. 감지 소자(12)의 어레이(11a-11e)는 주파수 레벨과 각 주파수에서의 진폭범위 검출을 제공한다. 가해진 가속의 알맞는 주파수 및 진폭에서, 감지 소자(12)는 전극(126)에 접촉하기 위해 이동하여 데이터 비트로서 기억될 수 있는 전기 신호를 발생시킨다. 메모리(15)와 처리 장치(16)과 결합하여 사용될 때 상기 감지 소자는 결국 그 제조기술을 디지탈 처리장치에 사용된 것과 호환할 수 있는 지능형 가속도계가 된다.

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