公开(公告)号：KR100480771B1

公开(公告)日：2005-04-06

申请号：KR1020000000362

申请日：2000-01-05

Applicant: 삼성에스디아이 주식회사

Inventor： 최준희 ,  차승남 ,  이항우

IPC: H01J1/30 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J1/3044 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30407 ,  H01J2201/30446

Abstract: 전계방출소자 및 그 제조방법에 관해 개시된다. 개시된 전계방출소자는: 기판; 상기 기판에 형성되는 캐소드 전극; 상기 캐소드 전극 상에 형성되며, 나노 스케일의 미세 구조의 표면 거칠기가 일체적으로 형성된 마이크로 팁; 상기 마이크로 팁이 위치하는 공간을 제공하는 웰을 구비하는 것으로 상기 캐소드 전극 위에 형성되는 게이트 절연층; 상기 게이트 절연층 상에 형성되는 것으로 상기 마이크로 팁에 대응하는 게이트를 가지는 게이트 전극;을 구비하는 전계방출소자가 제공된다. 따라서, 나노 팁의 집성체 즉, 나노 스케일의 미세 구조의 표면 거칠기를 가지는 마이크로 팁에 의한 방출전류가 높아지고 그리고, 게이트 전극에 대한 동작 전압도 감소시킬 수 있어서 소비전력을 줄일 수 있다.

公开(公告)号：KR1020000062948A

公开(公告)日：2000-10-25

申请号：KR1020000013793

申请日：2000-03-18

Applicant: 가부시끼가이샤 도시바

Inventor： 나카모토마사유키 ,  이노우에아츠오

IPC: H01J9/02

CPC classification number: H01J9/025 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/30407 ,  H01J2201/30423

Abstract: 본발명은전계방출소자의제조방법및 디스플레이장치에관한것으로서, 기판(14)에대하여서로다른이송방향으로부터절삭을실시함으로써돌기(에미터형상(2))를형성하는것으로, 전계방출의균일성이나전계방출효율이뛰어나고생산성이높은전계방출형냉음극을얻는것을특징으로한다.

公开(公告)号：KR1020050112450A

公开(公告)日：2005-11-30

申请号：KR1020040037549

申请日：2004-05-25

Applicant: 삼성에스디아이 주식회사

Inventor： 김시명

IPC: H01J1/30 ,  C01B31/02

CPC classification number: H01J3/022 ,  H01J2201/30407 ,  H01J2329/00 ,  H01J1/304

Abstract: 본 발명은 절연층을 이용한 빔 집속 구조를 갖는 전자 방출 소자 및 이를 채용한 전자방출 표시장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 전자 방출 소자는 기판 상에 소정 높이로 형성되며 내부에 제1 홀을 구비하는 제1 절연층과, 제1 절연층 상에 형성되며 제1 홀의 내부에 연장되는 제1 전극과, 제1 홀의 내부에 형성되며 제1 전극에 연결되는 전자방출부와, 전자방출부의 일부를 노출시키는 제2 홀을 구비하며 제1 전극 상에 형성되는 제2 절연층, 그리고 제2 절연층 위에 형성되는 제2 전극을 포함하되, 제1 전극과 제2 전극 사이의 필드에 의해 전자방출부로부터 전자빔이 방출되고 집속되는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR100266517B1

公开(公告)日：2000-09-15

申请号：KR1019960027441

申请日：1996-07-08

Applicant: 닛본 덴끼 가부시끼가이샤

Inventor： 오까모또아끼히꼬

IPC: H01J1/30

CPC classification number: H01J3/022 ,  H01J2201/30407

Abstract: 본 발명은 제1 전위를 가지는 전계 방출 냉 캐소드를 가지는 전자 총의 게이트 구조를 제공한다. 게이트 구조는 다음의 구성 요소를 포함한다. 1차 게이트 구조는 캐소드의 상부를 둘러싸는 제1 개구부를 가진다. 1차 게이트 전극은 캐소드의 상부로부터 전자 방출되게 하기 위해 제1 전위보다 더 높은 제2 전위를 가진다. 적어도 2차 게이트 전극은 제2 개구부를 가지며 캐소드의 상부로부터 방출하고 있는 전극이 진행하는 진행 방향에 수평한 방향으로 1차 게이트 전극으로부터 이격되어 있다. 2차 게이트 전극은 제1 전위보다 더 높고 제2 전위보다 더 낮은 제3 전위를 가지고 있어 특히 저전류 영역에서 전자 방출을 억제하는 전류-전압 특성을 제공한다.

公开(公告)号：US07256535B2

公开(公告)日：2007-08-14

申请号：US10833803

申请日：2004-04-28

Applicant: Jimmy L. Davidson ,  Wang Poo Kang ,  David V. Kerns ,  Mickey Evans Howell

Inventor： Jimmy L. Davidson ,  Wang Poo Kang ,  David V. Kerns ,  Mickey Evans Howell

IPC: H01J1/30 ,  H01J1/304 ,  H01J1/46

CPC classification number: H01J9/025 ,  B82Y10/00 ,  G01L9/0041 ,  G01L9/0047 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/0894 ,  G01P2015/0828 ,  H01J1/3042 ,  H01J1/3044 ,  H01J3/022 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/30407 ,  H01J2201/30457

Abstract: Diamond microtip field emitters are used in triode vacuum microelectronic devices, sensors and displays. Diamond triode devices having integral anode and grid structures can be fabricated. Ultra-sharp tips are formed on the emitters in a fabrication process in which diamond is deposited into mold cavities in a two-step deposition sequence. During deposition of the diamond, the carbon graphite content is carefully controlled to enhance emission performance. The tips or the emitters are treated by post-fabrication processes to further enhance performance.

Abstract translation: 金刚石微尖端场发射器用于三极管真空微电子器件，传感器和显示器。 可以制造具有整体阳极和栅格结构的金刚石三极管器件。 在制造工艺中在发射体上形成超尖尖，其中金刚石以两步沉积顺序沉积到模腔中。 在沉积金刚石期间，仔细控制碳石墨含量以增强排放性能。 尖端或发射器通过后制造处理来进一步提高性能。

公开(公告)号：US07169536B2

公开(公告)日：2007-01-30

申请号：US10730676

申请日：2003-12-05

Applicant: Yukiko Nagasaka ,  Kazuya Kitamura ,  Toshihiro Tamura

Inventor： Yukiko Nagasaka ,  Kazuya Kitamura ,  Toshihiro Tamura

IPC: H01J9/02

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30407 ,  H01J2201/30469

Abstract: A manufacturing method for a field emission display includes the steps of (1) forming a conductive film on a substrate that is to be a base plate, the conductive film being for forming a cathode electrode; (2) applying, on the conductive film, a positive resist, which is a photosensitive material; (3) exposing the positive resist to light, so as to form openings that correspond in a shape of emitters, the light being (a) emitted from a light source, (b) paralleled so that rays thereof have even light intensity distribution, and (c) directed into a micro lens array so as to be condensed in interior of the photosensitive material; and (4) forming the emitters respectively in the openings. This arrangement provides a manufacturing method for a field emission display, the method capable of highly accurately and highly productively sharp emitters aligned orderly, without a complicate manufacturing step and a complicate optical system.

Abstract translation: 场发射显示器的制造方法包括以下步骤：（1）在作为基板的基板上形成导电膜，所述导电膜用于形成阴极电极; （2）在导电膜上涂敷作为感光材料的正性抗蚀剂; （3）将正性抗蚀剂曝光，以形成对应于发射体形状的开口，所述光源（a）从光源发射，（b）并联，使得其光线具有均匀的光强度分布;以及 （c）引导到微透镜阵列中以在感光材料的内部被冷凝; 和（4）分别在开口中形成发射器。 这种布置提供了一种用于场致发射显示的制造方法，该方法能够高精度地且高效地将尖锐的发射体排列成顺序，而不需要复杂的制造步骤和复杂的光学系统。

公开(公告)号：US20060178076A1

公开(公告)日：2006-08-10

申请号：US11384313

申请日：2006-03-21

Applicant: Masayuki Nakamoto ,  Atsuo Inoue

Inventor： Masayuki Nakamoto ,  Atsuo Inoue

IPC: H01J9/24 ,  H01J9/04

CPC classification number: H01J9/025 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/30407 ,  H01J2201/30423

Abstract: A method of manufacturing a field emission device having emitter shapes, comprise the steps of forming a first original plate having a major surface provided with emitter shapes, by cutting a surface portion of a base material, forming a first material layer on the major surface of the first original plate on which the emitter shapes are provided; separating the first material layer from the first original plate, thereby obtaining a second original plate having recesses onto which the emitter shapes on the first original plate are transferred, forming a second material layer on a major surface of the second original plate on which the recesses are provided; and separating the second material layer from the second original plate, thereby to obtain a substrate having projections portions onto which shapes of the recesses of the second original plate are transferred.

公开(公告)号：US20050179366A1

公开(公告)日：2005-08-18

申请号：US11016346

申请日：2004-12-17

Applicant: Mervyn Rose ,  Ravi Silva ,  John Shannon ,  Janos Hajto

Inventor： Mervyn Rose ,  Ravi Silva ,  John Shannon ,  Janos Hajto

IPC: H01J9/02 ,  H01J1/304 ,  H01J1/62 ,  H01L51/52

CPC classification number: H01J1/3044 ,  G02F2001/133625 ,  H01J2201/30407 ,  H01J2201/30446 ,  H01L51/5225

Abstract: A field emission device having improved properties and which finds use in display devices, such as a flat panel displays. Known devices and displays suffer from problems such as complexity of fabrication and limited color gamut. The present device provides a field emission backplate which is made from a substantially semiconductor based material and has a plurality of grown tips. The device also includes at least one electro-luminescent or photo-luminescent material having a fluorescent material such as a fluorescent dye doped material chemically attached thereto.

Abstract translation: 具有改进性能并可用于诸如平板显示器的显示装置中的场致发射装置。 已知的装置和显示器存在制造复杂性和色域有限等问题。 本发明的装置提供了一种场致发射背板，其由基本上为半导体的材料制成并且具有多个生长的尖端。 该装置还包括至少一种具有荧光材料的电致发光或光致发光材料，例如与其化学连接的荧光染料掺杂材料。

公开(公告)号：US06717351B2

公开(公告)日：2004-04-06

申请号：US09779508

申请日：2001-02-09

Applicant: Yongjun Jeff Hu

Inventor： Yongjun Jeff Hu

IPC: H01J162

CPC classification number: H01J9/025 ,  H01J2201/30407

Abstract: An emission site for a large area passive matrix cold cathode field emission display having an emission tip with a sharp profile is disclosed. A metallic film formed of iridium silicide (IrSi) is used to coat the tip. By using IrSi the tips of the emission sites can be formed at low temperatures. In addition, IrSi is a fine grain material that maintains a sharp profile and can be formed in a layer as thin as 100 A°.

Abstract translation: 公开了具有具有尖锐轮廓的发射尖端的大面积无源矩阵冷阴极场发射显示器的发射场所。 使用由铱硅化物（IrSi）形成的金属膜来涂覆尖端。 通过使用IrSi，可以在低温下形成发射部位的尖端。 此外，IrSi是细晶粒材料，其保持锋利的轮廓，并且可以形成为薄至100A°的层。

公开(公告)号：US20030155859A1

公开(公告)日：2003-08-21

申请号：US10374263

申请日：2003-02-27

Inventor： Masayuki Nakamoto ,  Atsuo Inoue

IPC: H01J001/62

CPC classification number: H01J9/025 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/30407 ,  H01J2201/30423

Abstract: A method of manufacturing a field emission device having emitter shapes, comprise the steps of forming a first original plate having a major surface provided with emitter shapes, by cutting a surface portion of a base material, forming a first material layer on the major surface of the first original plate on which the emitter shapes are provided; separating the first material layer from the first original plate, thereby obtaining a second original plate having recesses onto which the emitter shapes on the first original plate are transferred, forming a second material layer on a major surface of the second original plate on which the recesses are provided; and separating the second material layer from the second original plate, thereby to obtain a substrate having projections portions onto which shapes of the recesses of the second original plate are transferred.

Abstract translation: 一种制造具有发射体形状的场致发射器件的方法，包括以下步骤：通过切割基底材料的表面部分形成具有发射体形状的主表面的第一原始板，在主表面上形成第一材料层 提供发射体形状的第一原始板; 将第一材料层与第一原版板分离，从而获得具有凹部的第二原版，第一原版上的发射体形状转移到其上，在第二原版的主表面上形成第二材料层， 被提供; 并且将第二材料层与第二原版分离，从而获得具有第二原版的凹部的形状被转印到其上的突出部的基板。