公开(公告)号：CN202898521U

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201220540309.6

申请日：2012-10-22

Applicant: 株式会社新柯隆

Inventor： 渡边健 ,  青山贵昭 ,  冈田胜久 ,  盐野一郎 ,  宫内充祐 ,  长江亦周

IPC: C23C14/24

Abstract: 本实用新型提供一种薄膜形成装置，其能够抑制由于蒸镀材料的粒子通过基板支架保持部件（3）的外周部和真空槽（1）的内壁面之间的间隙（S）而导致真空槽（1）内被污染这一情况。真空蒸镀装置（100）具备：真空槽（1）；蒸镀机构（4），其收纳在真空槽（1）内；和基板支架保持部件（3），其在比蒸镀机构（4）靠上方的位置收纳在真空槽（1）内，在所述真空蒸镀装置（100）中，在基板支架保持部件（3）的外周部和真空槽（1）的内壁面之间的间隙（S）内，配置有从基板支架保持部件（3）的外周部向真空槽（1）的内壁面延伸出的密封部（5）。

公开(公告)号：CN219919245U

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202321216174.2

申请日：2023-05-19

Applicant: 株式会社新柯隆

Inventor： 长江亦周 ,  青山贵昭 ,  冈田胜久 ,  渡边健

IPC: H05H1/46 ,  H01F5/00 ,  H01F38/14

Abstract: 本申请实施例提供一种等离子体发生装置的线圈和等离子体发生装置，该线圈包括至少一个由导线卷绕而成的螺旋部，对于所述线圈的至少一个所述螺旋部，所述导线的投影面积Sa与所述螺旋部的外缘所包围的区域的投影面积S的比值为0.07～0.5。本申请的线圈能够改善该线圈导入的电磁场所产生的等离子体的均匀性。

公开(公告)号：CN206911605U

公开(公告)日：2018-01-23

申请号：CN201720790765.9

申请日：2017-06-30

Applicant: 株式会社新柯隆

Inventor： 青山贵昭 ,  今井正德

IPC: B05B9/04 ,  B05B15/00 ,  B05B13/02

Abstract: 本实用新型公开一种加压储藏机构及其减压喷雾成膜装置。所述加压储藏机构包括：第一容器，其用于容纳溶液；排出部，其用于排出所述溶液；设于所述第一容器内的间隔件，其用于将所述溶液与含有非所述溶液组分的介质间隔开；所述间隔件能够在所述第一容器内滑动以推动所述溶液由所述排出部排出。

公开(公告)号：CN206902226U

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201720367394.3

申请日：2017-04-10

Applicant: 株式会社新柯隆

Inventor： 长江亦周 ,  菅原卓哉 ,  青山贵昭

IPC: C23C14/35

Abstract: 本实用新型公开一种成膜装置，该成膜装置包括：真空容器；与所述真空容器内部连通的排气机构；基板保持单元，其能保持多个基板；位于所述真空容器内部的成膜区域，所述成膜区域能够通过溅射从靶材释放出溅射离子到达所述基板；位于所述真空容器内的隔离单元，其将所述成膜区域与所述真空容器内的其他区域隔开；所述隔离单元被配置为将所述成膜区域与所述成膜区域的外部连通。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN203498464U

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201320649172.2

申请日：2013-10-21

Applicant: 株式会社新柯隆

Inventor： 渡边健 ,  村田尊则 ,  清水匡之

IPC: C23C14/30

Abstract: 本实用新型提供一种薄膜形成装置，减少因蒸发物质从收纳于真空容器的基板保持部件和真空容器内壁之间的间隙迂回进入而引起的真空容器内的污染和异物混入。薄膜形成装置（1）具备：真空容器（2）；基板保持部件（10），其收纳于真空容器内，用于保持基板（K）；和蒸镀源（3），其配置于基板保持部件（10）的下方位置。在基板保持部件（10）的外周下端部和真空容器内壁之间的间隙设置有防附着遮护部（20）。防附着遮护部（20）由配置于基板保持部件（10）的外周下端部的第1防附着遮护部（21）、和配置于真空容器的内壁面的第2防附着遮护部（22）构成。第1防附着遮护部配置成在上下方向上至少一部分与第2防附着遮护部重叠。