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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119012488A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202310568713.7
申请日：2023-05-19
Applicant: 株式会社新柯隆
Abstract: 本申请实施例提供一种等离子体发生装置的线圈和等离子体发生装置，该线圈包括至少一个由导线卷绕而成的螺旋部，对于所述线圈的至少一个所述螺旋部，所述导线的投影面积Sa与所述螺旋部的外缘所包围的区域的投影面积S的比值为0.07～0.5。本申请的线圈能够改善该线圈导入的电磁场所产生的等离子体的均匀性。
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公开(公告)号：CN119343475A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202380028002.9
申请日：2023-05-18
Applicant: 株式会社新柯隆
IPC: C23C14/24
Abstract: 为了相对于炉床内衬的收纳体积供给适当的量的材料，成膜装置具有：成膜腔室(2)，其至少设置有成膜材料(M)和被成膜物(S)，并且该成膜腔室(2)能够设定为规定的成膜气氛；炉床内衬(23)，其设置于所述成膜腔室的内部，并收纳所述成膜材料；加热源(24)，其设置于所述成膜腔室的内部，并对收纳于所述炉床内衬的成膜材料进行加热；材料供给器(3)，其向所述炉床内衬供给所述成膜材料；以及高度测定器(4)，其测定收纳于所述炉床内衬的成膜材料的溶融面的高度；以及控制器(6)，其根据由所述高度测定器测定出的溶融面的高度来运算应供给的成膜材料的质量，并对所述材料供给器进行控制以将该运算出的质量的成膜材料供给至所述炉床内衬。
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公开(公告)号：CN219919245U
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202321216174.2
申请日：2023-05-19
Applicant: 株式会社新柯隆
Abstract: 本申请实施例提供一种等离子体发生装置的线圈和等离子体发生装置，该线圈包括至少一个由导线卷绕而成的螺旋部，对于所述线圈的至少一个所述螺旋部，所述导线的投影面积Sa与所述螺旋部的外缘所包围的区域的投影面积S的比值为0.07～0.5。本申请的线圈能够改善该线圈导入的电磁场所产生的等离子体的均匀性。
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公开(公告)号：CN203498464U
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201320649172.2
申请日：2013-10-21
Applicant: 株式会社新柯隆
IPC: C23C14/30
Abstract: 本实用新型提供一种薄膜形成装置，减少因蒸发物质从收纳于真空容器的基板保持部件和真空容器内壁之间的间隙迂回进入而引起的真空容器内的污染和异物混入。薄膜形成装置（1）具备：真空容器（2）；基板保持部件（10），其收纳于真空容器内，用于保持基板（K）；和蒸镀源（3），其配置于基板保持部件（10）的下方位置。在基板保持部件（10）的外周下端部和真空容器内壁之间的间隙设置有防附着遮护部（20）。防附着遮护部（20）由配置于基板保持部件（10）的外周下端部的第1防附着遮护部（21）、和配置于真空容器的内壁面的第2防附着遮护部（22）构成。第1防附着遮护部配置成在上下方向上至少一部分与第2防附着遮护部重叠。
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公开(公告)号：CN202898521U
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201220540309.6
申请日：2012-10-22
Applicant: 株式会社新柯隆
IPC: C23C14/24
Abstract: 本实用新型提供一种薄膜形成装置，其能够抑制由于蒸镀材料的粒子通过基板支架保持部件（3）的外周部和真空槽（1）的内壁面之间的间隙（S）而导致真空槽（1）内被污染这一情况。真空蒸镀装置（100）具备：真空槽（1）；蒸镀机构（4），其收纳在真空槽（1）内；和基板支架保持部件（3），其在比蒸镀机构（4）靠上方的位置收纳在真空槽（1）内，在所述真空蒸镀装置（100）中，在基板支架保持部件（3）的外周部和真空槽（1）的内壁面之间的间隙（S）内，配置有从基板支架保持部件（3）的外周部向真空槽（1）的内壁面延伸出的密封部（5）。
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