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公开(公告)号：CN119012488A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202310568713.7
申请日：2023-05-19
Applicant: 株式会社新柯隆
Abstract: 本申请实施例提供一种等离子体发生装置的线圈和等离子体发生装置，该线圈包括至少一个由导线卷绕而成的螺旋部，对于所述线圈的至少一个所述螺旋部，所述导线的投影面积Sa与所述螺旋部的外缘所包围的区域的投影面积S的比值为0.07～0.5。本申请的线圈能够改善该线圈导入的电磁场所产生的等离子体的均匀性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118984886A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202280093779.9
申请日：2022-11-11
Applicant: 株式会社新柯隆
Abstract: 本发明提供一种含有硅和氧的薄膜，其能够在短时间内提高含氟化合物的薄膜的密合性。一种含有硅和氧的薄膜，其含有硅、氧和铌，通过使用了X射线光电子能谱法的原子数测定得到的上述铌与上述硅的原子数比(Nb/Si)为0％～25％(不含两端点值)。
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公开(公告)号：CN219919245U
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202321216174.2
申请日：2023-05-19
Applicant: 株式会社新柯隆
Abstract: 本申请实施例提供一种等离子体发生装置的线圈和等离子体发生装置，该线圈包括至少一个由导线卷绕而成的螺旋部，对于所述线圈的至少一个所述螺旋部，所述导线的投影面积Sa与所述螺旋部的外缘所包围的区域的投影面积S的比值为0.07～0.5。本申请的线圈能够改善该线圈导入的电磁场所产生的等离子体的均匀性。
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公开(公告)号：CN202968675U
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201220694172.X
申请日：2012-12-14
Applicant: 株式会社新柯隆
IPC: C23C14/24
Abstract: 本实用新型提供一种真空蒸镀装置，即使在使用防污性、疏油性、疏水性的成膜材料等的情况下，也能够降低施加于对真空容器内进行排气的泵的负载。本实用新型涉及在真空容器内使蒸镀物质蒸镀至基板的真空蒸镀装置（1）。真空蒸镀装置（1）构成为具备：拱顶型的基板保持构件（12），其用于保持多个基板（14）；旋转构件，其用于使基板保持构件(12)旋转；蒸镀构件(34)；排气构件，其用于将真空容器(10)内的气体分子排出；以及排气口(G1)，其由设于真空容器(10)的侧壁的开口构成，并能够供由排气构件排出到真空容器(10)外的气体分子通过，基板保持构件(12)的下端部配置在比排气口(G1)的上端部(G1a)靠下方的位置。
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公开(公告)号：CN202968678U
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201220694165.X
申请日：2012-12-14
Applicant: 株式会社新柯隆
Abstract: 本实用新型提供一种真空蒸镀装置，其能够维持离子源的效率且不会使装置大型化，并且能够提高维护性。在具备照射离子或等离子体等能量粒子的能量粒子源的真空蒸镀装置中，提供能量粒子源的维护性高的真空蒸镀装置。真空蒸镀装置构成为具备：拱顶型的基板保持构件（12），其配设于真空容器（10）内，用于保持多个基板（14）；旋转构件，其用于使基板保持构件（12）旋转；蒸镀构件（34），其以与基板（14）对置的方式设置；以及能量粒子源（38），其用于对基板（14）照射能量粒子。能量粒子源（38）在能量粒子诱导部朝向基板方向的状态下，安装于在真空容器（10）配设的门（10a）的内壁面。
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公开(公告)号：CN202898521U
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201220540309.6
申请日：2012-10-22
Applicant: 株式会社新柯隆
IPC: C23C14/24
Abstract: 本实用新型提供一种薄膜形成装置，其能够抑制由于蒸镀材料的粒子通过基板支架保持部件（3）的外周部和真空槽（1）的内壁面之间的间隙（S）而导致真空槽（1）内被污染这一情况。真空蒸镀装置（100）具备：真空槽（1）；蒸镀机构（4），其收纳在真空槽（1）内；和基板支架保持部件（3），其在比蒸镀机构（4）靠上方的位置收纳在真空槽（1）内，在所述真空蒸镀装置（100）中，在基板支架保持部件（3）的外周部和真空槽（1）的内壁面之间的间隙（S）内，配置有从基板支架保持部件（3）的外周部向真空槽（1）的内壁面延伸出的密封部（5）。
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