公开(公告)号：KR101242879B1

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：KR1020077020833

申请日：2006-03-01

Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하

Inventor： 다흠스,볼프강 ,  그리에세르,우도 ,  하르트만,필리프

IPC: C08F222/02 ,  C08F8/44 ,  C25D3/38

CPC classification number: C25D3/38 ,  C08F8/02 ,  C08F8/44 ,  C08F226/02 ,  C08F2800/10 ,  H05K3/423

Abstract: 본 발명은 폴리비닐암모늄 화합물, 상기 화합물의 제조 방법, 구리 침착물을 전해 침착하기 위해 적어도 상기 폴리비닐암모늄 화합물을 함유하는 수성 산성 용액 뿐만 아니라 상기 수성 산성 용액을 사용하여 구리 침착물을 전해 침착하는 방법, 일반 화학식 (Ⅰ)에 상응하는 상기 폴리비닐암모늄 화합물에 관한 것이고, 뿐만 아니라 지수 l 및 m을 갖는 모노머 단위의 하나 또는 양쪽 모두는 중성 형태로 존재하는, 일반 화학식 (Ⅰ)의 폴리비닐암모늄 화합물에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR101168778B1

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：KR1020067012131

申请日：2004-11-09

Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하

Inventor： 그리저,우도 ,  브루너,하이코 ,  담스,볼프강

IPC: C07D241/46

CPC classification number: C25D3/38 ,  C07D241/46

Abstract: 특히 균일하고 거울 광택이 나며, 평탄하고 연성이며 또한 비교적 고 전류 밀도를 사용하여 구리 코팅을 제조하기 위하여, 할로겐화된 또는 유사할로겐화된 단량체 페나지늄 화합물 또는 적어도 85 몰%의 순도 및 일반 화학식 (Ⅰ)로 나타내지는 것이 사용되며 여기서 R
1 , R
2 , R
4 , R
6 , R
7' , R
7" ,R
8 , R
9 , X 및 A
- 는 청구항에서 나타내는 의의를 갖는다. 화합물은 적당한 출발 화합물이, 미네랄 산, 디아조화 수단 및 할로겐화물 또는 유사할로겐화물의 존재하에서, 그것의 할로겐화 또는 유사할로겐화에 앞서 디아조화함으로써, 하나의 단일 용기에서 수행되는 반응 단계로, 제조된다.

公开(公告)号：KR101149302B1

公开(公告)日：2012-05-25

申请号：KR1020067011615

申请日：2004-12-07

Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하

Inventor： 호프우베 ,  쿤즈헨리 ,  비너페르디난드

IPC: C25D17/28

CPC classification number: H05K3/0085 ,  C23C18/1619 ,  C23C18/163 ,  C25D7/0614 ,  C25D17/001 ,  C25D17/28 ,  H05K2203/0746 ,  H05K2203/1509 ,  H05K2203/1572 ,  Y10S414/135 ,  Y10S414/141

Abstract: 본 발명은, 금속 호일, 프린트회로호일 또는 프린트회로보드 등의 평탄한 가공물의 습식 화학적인 또는 전해적인 처리용 처리 유닛에 관한 것이며, 여기에서 가공물(1)은 운반 부재(6, 6', 6", 7)에 의해 운반 경로 상에 운반된다. 처리 유닛은 홈(21)을 가진 캐리어 요소(4) 및 바람직하게 쌍으로 배열된, 삽입 요소(14, 26)로 이루어지는 운반 부재를 운반하기 위한 적어도 하나의 모듈 시스템을 포함하며, 상기 캐리어 요소(4)는 운반 경로에 평행하게 방향 지어지고, 상기 적어도 하나의 모듈 시스템은 캐리어 요소(4)의 홈과 일치하고 바람직하게 미끄러질 수 있도록 구성되어 있다. 처리 유닛은 수평 컨베이어 라인에서 바람직하게 이용된다.

公开(公告)号：KR101105938B1

公开(公告)日：2012-01-18

申请号：KR1020067002737

申请日：2004-07-28

Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하

Inventor： 담스,볼프강 ,  펄스,칼,크리스티안 ,  바우어군터

IPC: C25D3/38

CPC classification number: C25D3/38

Abstract: 넓은 면적의 금속 또는 플라스틱 부품 위에 전해 침착되는 고연마의 장식적으로 빛나며 매끄럽고 평탄한 구리 코팅을 위한 수성 산성 용액은 a) 적어도 하나의 산소 함유 고분자 첨가제 및 b) 적어도 하나의 수용성 황화합물을 포함하며, 여기서 c) 하기 일반식(Ⅰ)의 적어도 하나의 방향족 할로겐 유도체를 더욱 포함하며, 상기 식에서 R
1 , R
2 , R
3 , R
4 , R
5 , 및 R
6 는 각각 독립적으로, 수소, 알데히드, 아세틸, 하이드록시, 1 - 4 탄소 원자를 갖는 하이드록시알킬, 1 - 4 탄소 원자들을 갖는 알킬 및 할로겐을 포함하는 그룹 중에서 선택되는 라디칼들이고, 단, 할로겐인 R
1 , R
2 , R
3 , R
4 , R
5 , 및 R
6 의 잔기의 수는 1 ~ 5이다.

구리 침착, 용액

公开(公告)号：KR101078136B1

公开(公告)日：2011-10-28

申请号：KR1020057024951

申请日：2004-04-14

Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하

Inventor： 조쉬,나얀에이치. ,  메타,마우릭디.

IPC: C23C18/31 ,  C23C18/18 ,  C25D5/44

Abstract: 본 발명은, 약 3.5 내지 약 6.5의 pH를 지니며, 아연 이온, 니켈 이온, 및/또는 코발크 철 이온, 및 플루오라이드 이온을 포함하는 침지 도금용 비시아나이드계 산성 수용액을 제공한다. 일 구체예에서, 본 발명의 침지 도금 용액은 하나 이상의 질소 원자, 황 원자, 또는 질소 및 황 원자 모두를 추가로 포함한다. 본 발명은 또한, 본 발명의 침지 도금용 비시아나이드계 산성 수용액 중에 알루미늄 또는 알루미늄 합금 기판을 침지시키는 것을 포함하여, 알루미늄 및 알루미늄 하금 기판 상에 아연 합금 보요용 코팅을 증착시키는 방법에 관한 것이다. 선택적으로, 아연 합금 코팅된 알루미늄 또는 알루미늄 합금 기판은 무전해성 또는 전해성 금속 도금 용액을 이용하여 도금된다.

Abstract translation: 本发明中，所述基尼的pH为约3.5至约6.5，并且提供锌离子，镍离子，和/或共Valk酒店铁离子，和浸镀双环基于氰化物的酸性水溶液含有氟离子。 在一个实施方案中，本发明的浸渍电镀液还包含至少一个氮原子，硫原子或氮和硫原子。 本发明还涉及一种用于在铝和铝合金BOYO hageum衬底上沉积的锌合金涂层，包括浸渍在浸渍镀覆本发明的双环腈系酸水溶液中的铝或铝合金基材。 可选地，锌合金涂覆的铝或铝合金基底使用无电镀或电解金属镀覆溶液进行镀覆。

公开(公告)号：KR101074314B1

公开(公告)日：2011-10-17

申请号：KR1020057002957

申请日：2003-08-28

Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하

Inventor： 슈나이더라인하르트 ,  케니스테판 ,  퀴스너토르슈텐 ,  플뢰제볼프강 ,  렌츠베르트 ,  슈트로이프헤리베르트

IPC: C23C18/00

CPC classification number: C25D17/28 ,  C25D17/06 ,  H05K3/241

Abstract: 매우얇은기초적금속화를가진인쇄회로기판의전해처리에는, 상기인쇄회로기판의표면여러곳에불규칙한결과를가져온다는문제점이있다. 이러한문제점을극복하는데있어서본 발명은적어도두 개의실질직인반대측면가장자리를가지며, 적어도표면에서는전도성을띠는작업물을전해처리하기위한장치를제공한다. 상기장치는작업물용전류공급장치를제공하며, 상기전류공급장치각각은반대측면가장자리에위치하며, 실질적인반대측면가장자리에서작업물을전기적으로결합할수 있는컨택트스트립을포함한다.

公开(公告)号：KR1020110089304A

公开(公告)日：2011-08-05

申请号：KR1020117011981

申请日：2009-11-23

Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하

Inventor： 딩베어트뵈른 ,  노아크안드레아스

IPC: C23C22/10 ,  C23F11/00

CPC classification number: C23C22/10 ,  C23C2222/10 ,  C23C22/17 ,  C23F11/00

Abstract: 본 발명은 처리될 표면을 하나 이상의 크롬(III) 이온 공급원, 및 약산성 또는 산성 용액에서 아연에 대한 산화제로서 작용하는 하나 이상의 유기 화합물을 포함하는 수성 처리 용액과 접촉시키는, 부식-방지 보호막 층의 생성 방법에 관한 것이다. 상기 방법에서 표면의 장식적이고 기능적인 특성은 유지되거나 증진된다. 또한, 크롬(VI) 화합물을 사용하는 것과 관련하여 알려져 있는 문제가 방지된다.

公开(公告)号：KR1020100126424A

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：KR1020107021105

申请日：2009-03-05

Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하

Inventor： 바르텔메,위르겐 ,  루터,로버트 ,  쿠르츠,오라프 ,  당커,미하엘

IPC: C23C18/44 ,  C23C18/50 ,  C25D5/14

CPC classification number: C23C18/44 ,  C23C28/021 ,  C23C28/023 ,  C25D3/48 ,  C25D3/562 ,  C25D5/14 ,  C25F3/16

Abstract: 본 발명은 전기연마된 표면을 가지는 기판 상에, (ⅰ) 3.0 μm 이하의 두께를 가지는 Ni 레이어, (ⅱ) 1.0 μm 이하의 두께를 가지는 Ni-P 레이어, (ⅲ) 1.0 μm 이하의 두께를 가지는 Au 레이어를 포함하는 레이어 시스템에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR1020100126355A

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：KR1020107019893

申请日：2009-02-27

Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하

Inventor： 스파링크리슈티안 ,  뤼초브노르베르트 ,  테브스디르크 ,  톰스마르틴

IPC: C09J201/02 ,  C09J179/00 ,  C09J175/00 ,  H05K3/38

CPC classification number: H05K3/389 ,  C23C22/02 ,  C23C22/52 ,  C23F11/12 ,  C23F11/128 ,  C23F11/149 ,  C23F11/16 ,  C23F11/165 ,  C23F11/173 ,  H05K3/064 ,  H05K3/108 ,  H05K3/282 ,  H05K2203/12 ,  H05K2203/122 ,  H05K2203/124

Abstract: 매우 얇은 구리 기재가 손상되지 않도록 하면서, 상기 구리 기재에 대한 레지스트 코팅물, 더욱 특히 감광성 레지스트 코팅물의 양호한 접착성을 달성하기 위해, i) 하나 이상의 티올 부분을 포함하는 헤테로시클릭 화합물 및 ii) 하기 화학식을 갖는 4급 암모늄 중합체를 포함하는 군으로부터 선택되는 하나 이상의 접착제를 포함하는, 구리 기재 처리용 비에칭 무레지스트 조성물을 제공한다:

[식 중, R
3 , R
4 ,
R
5 , Y 및 X
- 는 청구항에 정의된 바와 같음].

公开(公告)号：KR100976745B1

公开(公告)日：2010-08-18

申请号：KR1020047014379

申请日：2003-03-17

Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하

Inventor： 휘벨에곤

IPC: C25D17/18 ,  C25D21/12 ,  H05K3/00

CPC classification number: H05K3/241 ,  C25D17/004 ,  C25D17/10 ,  C25D17/28 ,  C25D21/12

Abstract: 인쇄 회로 기판을 전해 금속 도금하는 컨베이어 도금 라인 및 방법에 관한 것으로 인쇄 회로 기판의 구멍의 금속층에 공극이 생기는 것을 막기 위해, 라인을 통해 이송되는 인접한 인쇄 회로 기판 사이에 발생되는 전압을 줄이기 위한 수단이 제공된다.