DISPOSITIF DE REGULATION DE TENSION
    102.
    发明专利

    公开(公告)号:FR3112897A1

    公开(公告)日:2022-01-28

    申请号:FR2007922

    申请日:2020-07-27

    Abstract: Dispositif de régulation d’une tension d’un courant électrique alimentant un circuit intégré reposant sur un substrat. Le circuit intégré comprend une borne de masse et une borne d’alimentation aptes à recevoir le courant électrique. Le dispositif de régulation comprend un premier capot recouvrant le circuit intégré, un deuxième capot recouvrant le circuit intégré. Le premier capot est relié électriquement à la borne d’alimentation du circuit intégré. Le deuxième capot est relié électriquement à la borne de masse du circuit intégré. Le premier capot et le deuxième capot sont reliés entre eux par une liaison capacitive. Figure pour l’abrégé : Figures 4-a et 4-b

    CIRCUIT INTÉGRÉ ET PROCÉDÉ DE DIAGNOSTIC D’UN TEL CIRCUIT INTÉGRÉ

    公开(公告)号:FR3112653A1

    公开(公告)日:2022-01-21

    申请号:FR2007423

    申请日:2020-07-15

    Abstract: Selon un aspect, il est proposé un circuit intégré comprenant : - des modules électroniques (ME), chaque module électronique étant configuré pour générer en sortie une tension de fonctionnement qui lui est propre lors d’un fonctionnement normal de ce module électronique, - au moins un circuit électronique de contrôle (CC) comprenant un composant électronique émissif (EEC), chaque circuit électronique de contrôle (CC) étant disposé en sortie d’un module électronique (ME), ledit au moins un circuit électronique de contrôle (CC) et son composant électronique émissif (EEC) étant configurés de façon à permettre au composant électronique émissif (EEC) d’émettre un rayonnement lumineux en fonction de la tension en sortie de ce module électronique (ME) par rapport à ladite tension de fonctionnement, le circuit intégré étant configuré de sorte que le rayonnement lumineux pouvant être émis par ledit composant électronique émissif (EEC) puisse se diffuser jusqu’à une face extérieure du circuit intégré. Figure pour l’abrégé : Figure 1

    CIRCUIT INTÉGRÉ CONFIGURÉ POUR RÉALISER DES OPÉRATIONS DE CHIFFREMENT SYMÉTRIQUE SANS TRANSMISSION DE CLÉ SECRÈTE

    公开(公告)号:FR3106910A1

    公开(公告)日:2021-08-06

    申请号:FR2000996

    申请日:2020-01-31

    Abstract: L’invention concerne un circuit intégré comprenant un environnement matériel sécurisé (EMS) comprenant : - une première entrée pour recevoir un numéro de clé (IV),- un dispositif de génération de clé (SK_GEN2) pour générer une clé secrète (SK) à partir du numéro de clé (IV) et d’une clé unique (HUK),- un dispositif (TAG_GEN2) de génération de signature associée au numéro de clé (IV), - une deuxième entrée pour recevoir des données binaires chiffrées (E_DAT),- un dispositif de déchiffrement (DCH) configuré pour déchiffrer lesdites données binaires chiffrées (E_DAT) en utilisant la clé secrète (SK), - une troisième entrée configurée pour recevoir une signature d’authentification (EXP_TAG), - un dispositif d’authentification (AUT) configuré pour autoriser l’utilisation de la clé secrète (SK) pour déchiffrer lesdites données binaires chiffrées (E_DAT) si la signature (TAG) générée par le dispositif (TAG_GEN2) de génération de signature est identique à la signature d’authentification (EXP_TAG). Figure pour l’abrégé : Figure 4

    SCHUTZ VOR ELEKTROSTATISCHER ENTLADUNG (ESD) FÜR EINE HIGH-SIDE-TREIBERSCHALTUNG

    公开(公告)号:DE102018112509B4

    公开(公告)日:2021-07-22

    申请号:DE102018112509

    申请日:2018-05-24

    Abstract: Schaltung (100), die Folgendes umfasst:ein Leistungs-MOSFET-Bauteil (102), das eine Gate-Klemme, eine Source-Klemme und eine Drain-Klemme hat;ein Erfassungs-MOSFET-Bauteil (110), das eine Gate-Klemme, eine Source-Klemme und eine Drain-Klemme hat;einen Widerstand (132), der eine erste Klemme hat, die mit der Gate-Klemme des Leistungs-MOSFET-Bauteils (102) gekoppelt ist,-und eine zweite Klemme, die mit der Gate-Klemme des Erfassungs-MOSFET-Bauteils (110) gekoppelt ist;eine Zenerdiode (134), die eine Anodenklemme hat, die mit der Source-Klemme des Erfassungs-MOSFET-Bauteils (110) gekoppelt ist, und eine Kathodenklemme, die mit der Gate-Klemme des Erfassungs-MOSFET-Bauteils (110) gekoppelt ist, undeine Begrenzungsdiode (136), die eine Anodenklemme hat, die mit der Source-Klemme des Erfassungs-MOSFET-Bauteils (110) gekoppelt ist, und eine Kathodenklemme, die mit der Gate-Klemme des Leistungs-MOSFET-Bauteils (102) gekoppelt ist,wobei eine Durchbruchspannung der Zenerdiode (134) kleiner ist als eine Begrenzungsspannung der Begrenzungsdiode.

    Procédé de gestion d’alimentation

    公开(公告)号:FR3105629A1

    公开(公告)日:2021-06-25

    申请号:FR1914965

    申请日:2019-12-19

    Abstract: Procédé de gestion d’alimentation La présente description concerne un procédé de gestion d’alimentation d’un ou plusieurs premiers éléments par un deuxième élément d’un même premier dispositif, comprenant les étapes consistant à : envoyer, à un deuxième dispositif, une demande d’extension de temps (WTX) ; évaluer, pendant l’extension de temps, une puissance disponible à partir d’un champ électromagnétique rayonné par le deuxième dispositif ; et adapter l’alimentation du deuxième élément et du ou des premiers éléments en fonction de la puissance disponible. Figure pour l'abrégé : Fig. 7

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