公开(公告)号：KR2019980060554U

公开(公告)日：1998-11-05

申请号：KR2019970004639

申请日：1997-03-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박정희 ,  배희경 ,  장의영

IPC: F25D17/00

Abstract: 본 고안은 냉장고의 냉기 토출 장치에 관한 것으로, 냉장고 도어의 오픈시 고내를 차단하기 위한 에어커튼이 보다 확실하고 효과적으로 형성되도록 함과 동시에 에어커튼의 형성시 증발기의 표면에 발생되는 성에를 감소시킬 수 있도록 한 냉장고의 냉기 토출 장치를 제공하려는데 그 목적이 있다.
상기의 목적을 달성하기 위한 본 고안은 증발기의 전방에 설치된 증발기 커버에 의해 고내 안쪽에 형성되는 귀환유로와, 중간격의 내부에 형성되며 일측은 상기 귀환유로와 연통되며 타측으로는 토출구가 구비된 덕트로 구성된 냉기 토출 장치에 있어서, 상기 귀환유로에서 분기되며 일측은 상기 덕트와 연통되는 에어커튼용 유로와, 상기 귀환유로와 에어커튼용 유로에 각각 설치되는 팬으로 구성된 것을 특징으로 한다.
이와같이 구성된 본 고안에 있어서, 도어의 오픈시 2개의 팬이 동시에 작동되어 에어커튼 형성을 위해 토출되는 냉기의 양이 증가되어 에어커튼이 보다 효과적으로 형성되며, 또한, 고내를 순환한 후 귀환하는 상온의 공기의 일부만이 증발기를 통과하게 되므로 증발기에 발생되는 성에의 양이 감소된다.

公开(公告)号：KR2019980042898U

公开(公告)日：1998-09-25

申请号：KR2019960056003

申请日：1996-12-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박정희

IPC: F25D23/00

CPC classification number: F25D11/025 ,  F25D11/022 ,  F25D23/003 ,  F25D2323/0028 ,  F25D2400/14

Abstract: 본고안은, 냉장고를, 압축기, 응축기, 팽창수단및 증발기를구비하여독립적인냉동사이클을이루는주냉장고와상기주냉장고에필요시연결하여사용하는보조냉장고로분리하여구성함으로써, 냉동실및 냉장실의용량을가변할수 있도록한 분리형냉장고에관한것으로, 압축기, 응축기, 팽창수단및 증발기를구비하여독립의냉동사이클을형성하며, 상기냉동사이클을이루는관로상에적어도하나이상의냉매바이패스밸브를구비하는주냉장고와; 팽창수단, 증발기및 냉매유동관로의양 단부에설치되어주냉장고의냉매바이패스밸브와연결및 분리되는한쌍의연결밸브를구비하는보조냉장고와; 주냉장고의냉매바이패스밸브와보조냉장고의연결밸브를연결및 분리함으로써, 주냉장고의냉동사이클을흐르는냉매가보조냉장고의증발기로바이패스되거나차단되도록하기위한연결수단;을포함하는것을특징으로한다.

Abstract translation: 由本设计被配置成将冰箱并设置有压缩机，冷凝器，膨胀装置和蒸发器配合使用根据需要向主冰箱构成独立的制冷剂循环中，冷冻的容量和冷藏室主冰箱二次冰箱分离 秋天涉及一种分离式冰箱以改变，压缩机，冷凝器，构成膨胀装置和设置有蒸发器的独立的冷却循环中，主具有至少一个或多个构成制冷剂循环的冰箱的制冷剂通过旁通阀在配管的并 。 膨胀装置，其具有蒸发器和安装在连接到制冷剂旁通阀和单独的一对与作为阀连接的制冷剂流通管的两端的冰箱主要辅助冰箱; 其特征在于，它包括;通过连接和分离所述制冷剂旁通阀和在初级冰箱的辅助冰箱连接阀和流过初级冰箱连接装置的冷冻循环，以允许旁通的制冷剂或切断到所述辅助冰箱的蒸发器 。

公开(公告)号：KR2019970044662U

公开(公告)日：1997-07-31

申请号：KR2019950038638

申请日：1995-12-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박정희 ,  김태길

IPC: F25D23/00

Abstract: 본고안은회전날개가마련된냉장고에관한것으로, 그목적은회전날개를회전시키는모터의진동의전달을감쇄시키는것이다. 본고안에서는회전날개(24)를회전시키는모터(19)가안착되는모터케이스(23)와하우징(22)의결합부위에방진고무(30)가마련되어있다. 이방진고무(30)는결합나사(31)의일부분을둘러체결된체결부(31a)와모터케이스(23)의하측일부분이안착되는안착부(30b)가일체로마련된것이다. 이와같은방진고무(30)가장착됨으로해서모터(19)의구동으로발생하는진동의상당부분이상쇄되어냉장고의진동소음을줄이고, 그내구성을향상시킬수 있는효과가있다.

公开(公告)号：KR2019950028162U

公开(公告)日：1995-10-20

申请号：KR2019940004707

申请日：1994-03-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박정희

IPC: F25D23/00

公开(公告)号：KR1019940018640A

公开(公告)日：1994-08-18

申请号：KR1019930001248

申请日：1993-01-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박정희

IPC: F25D23/02

Abstract: 본 발명은 냉장고의 도어개폐시 도어부의 온도를 소정시간 간격으로 감지하여 감지된 온도차에 의하여 상기 도어가 미세하게 열려있음을 경보할수 있도록 한 것으로, 냉장고의 도어개폐후 타이머를 작동하고 타이머작동시간을 적산하는 시간적산단계와, 상기 시간적산단계에서 상기 도어가 재개폐되는가를 판단하고 온도 센서를 작동하여 소정시간동안 온도를 감지판단하는 온도감지판단단계와, 상기 온도감지판단단계에서 감지된 온도를 저장하고 다시 소정횟수반복 감지하는 온도감지반복완료판단단계와, 상기 온도감지반복완료판단단계에서 감지된 온도를 연산하여 온도편차를 구하고 온도편차에 따라 도어열림을 판단경보하는 도어열림경보단계로 하여 냉장고의 도어미세열림을 경보할수 있도록 한 것임.

公开(公告)号：KR102212377B1

公开(公告)日：2021-02-04

申请号：KR1020140073013

申请日：2014-06-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 오철 ,  박정희 ,  안동호 ,  박정환 ,  안준구 ,  조성래 ,  호리이히데끼

IPC: H01L21/8247 ,  H01L21/20 ,  H01L21/31

Abstract: 상변화메모리소자의제조방법에있어서, 기판상에개구를갖는층간절연막을형성한다. 개구의내벽상에제1 조성을갖는제1 상변화물질막패턴을형성한다. 제1 상변화물질막패턴상에제2 조성을갖고개구의나머지부분을채우는제2 상변화물질막패턴을형성한다. 제1 및제2 상변화물질막패턴들에에너지를가하여이들이적어도부분적으로혼합됨으로써제3 조성을갖는제3 상변화물질막패턴을형성한다.

公开(公告)号：KR101617381B1

公开(公告)日：2016-05-02

申请号：KR1020090128097

申请日：2009-12-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박정희 ,  호리이히데키 ,  박혜영 ,  오진호 ,  권현숙

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L45/16 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/124 ,  H01L45/1293 ,  H01L45/141 ,  H01L45/1683

Abstract: 가변저항메모리장치및 그형성방법을제공한다. 기판상에하부전극들을제공하고, 상기하부전극들을노출하고제 1 방향으로연장된트렌치를포함하는제 1 층간절연막을제공하고, 상기제 1 층간절연막상에상기제 1 방향과교차하는제 2 방향으로연장된상부전극을제공하고, 상기트렌치내에상기상부전극의측벽과얼라인된측벽을갖는가변저항패턴들을제공한다.

公开(公告)号：KR1020160042570A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：KR1020140136652

申请日：2014-10-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 오철 ,  박정환 ,  박정희 ,  안동호

IPC: H01L21/203 ,  H05H1/46 ,  H01L21/8247

CPC classification number: C23C14/541 ,  C23C14/0623 ,  C23C14/50 ,  C23C14/542 ,  C23C14/548 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32724 ,  H01J37/34

Abstract: 물리기상증착장치및 이를이용한박막형성방법에있어서, 증착대상기판을로딩하는로딩챔버와상기판상에상변화물질을증착하는증착챔버를구비하는공정챔버, 증착챔버의상부에배치되고플라즈마상태의공정가스와반응하여상변화물질의이온입자를공급하는타겟, 증착챔버의내부로공급된공정가스를플라즈마상태로여기하는플라즈마발생부, 타겟에대응하여증착챔버의하부에배치되고상면에기판을고정하며, 기판을가열하는히터및 상변화물질의이온입자를기판으로유도하는적어도하나의전극을구비하는기판지지부, 및공정챔버의내부에배치되어기판의주변부로복사열을공급하는보조열원(supplementary heat source)을포함한다. 기판의주변부와중심부에서균일한조성과두께를갖는물질막을증착할수 있다.

Abstract translation: 提供了一种物理气相沉积设备和使用该物理气相沉积设备的相变材料的沉积方法。 物理气相沉积包括处理室，该处理室包括用于加载要沉积的基底的加载室和沉积室，以将相变材料沉积在基底上; 设置在所述沉积室的上部并与等离子体状态的处理气体反应以提供所述相变材料的离子颗粒的靶; 等离子体发生器，用于在处理气体处于等离子体状态时激发供应到沉积室中的工艺气体; 设置在与靶对应的沉积室的下部的衬底支撑件，将衬底固定到其顶表面上，并且包括加热器以加热衬底和至少一个电极以诱导相变材料的离子颗粒 到基材; 以及设置在处理室中的辅助热源，并将辐射热传递到基板的周边区域。 具有均匀组成和厚度的材料层可以沉积在基板的外围区域和中心区域中。

公开(公告)号：KR1020130007759A

公开(公告)日：2013-01-21

申请号：KR1020110068279

申请日：2011-07-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박정희 ,  박순오 ,  박정환 ,  오진호

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L45/06 ,  H01L45/141 ,  H01L45/1683 ,  H01L45/1233

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a phase change memory device is provided to prevent the generation of an oxide film by performing a reflow process. CONSTITUTION: An opening(115) is formed in an interlayer insulating film(110). The opening is buried to form a phase change material layer. A plasma process is performed on the phase change material layer. And then, an oxide film is removed on the surface of the change material layer. A thermal process is performed on the phase change material layer.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造相变存储器件的方法，以通过进行回流处理来防止产生氧化膜。 构成：在层间绝缘膜（110）中形成开口（115）。 将开口埋入以形成相变材料层。 对相变材料层进行等离子体处理。 然后，在改变材料层的表面上除去氧化膜。 在相变材料层上进行热处理。

公开(公告)号：KR1020110091844A

公开(公告)日：2011-08-16

申请号：KR1020110072893

申请日：2011-07-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 호리이히데키 ,  모리사또루 ,  하용호 ,  박정희 ,  기노시따게이 ,  노나까소헤이

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L21/203

CPC classification number: H01L45/1625 ,  C23C14/3414 ,  G11B7/00454 ,  G11B7/243 ,  G11B2007/2431 ,  G11B2007/24312 ,  G11B2007/24314 ,  G11B2007/24328 ,  H01L45/06 ,  H01L45/144 ,  H01L45/143

Abstract: PURPOSE: A phase change recording layer with high electric resistance and a sputtering target for forming the same are provided to reduce the property of a phase change type nonvolatile memory layer and reduce manufacturing costs by reducing a current in a record erasing operation. CONSTITUTION: A phase change recording layer has a variable electric resistance property. The phase change recording layer includes Ge of 17 to 25%, Sb of 17 to 25%, and C of 0.5 to 6%. The rest of the phase change recording layer is made of Te and impurities. The resistivity of the phase change recording layer by is 5 x 10^-2 to 5 x 10^1 Ω Cm.

Abstract translation: 目的：提供一种具有高电阻的相变记录层和用于形成其的溅射靶，以降低相变型非易失性存储层的性能，并且通过减少记录擦除操作中的电流来降低制造成本。 构成：相变记录层具有可变的电阻特性。 相变记录层的Ge为17〜25％，Sb为17〜25％，C为0.5〜6％。 相变记录层的其余部分由Te和杂质构成。 相变记录层的电阻率为5×10 ^ -2至5×10 ^ 1ΩCm。