公开(公告)号：KR1020060039631A

公开(公告)日：2006-05-09

申请号：KR1020040088809

申请日：2004-11-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박홍식 ,  강성호 ,  조홍제

IPC: C09K13/06

CPC classification number: H01L21/32134 ,  C23F1/20 ,  C23F1/26 ,  C23F1/44 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908

Abstract: 절연 기판 위에 게이트 전극을 포함하는 게이트선을 형성하는 단계, 상기 게이트선 위에 게이트 절연막 및 반도체층을 순차적으로 적층하는 단계, 상기 게이트 절연막 및 반도체층 위에 소스 전극을 포함하는 데이터선 및 상기 소스 전극과 소정 간격으로 마주하고 있는 드레인 전극을 형성하는 단계, 및 상기 드레인 전극과 연결되어 있는 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 게이트선을 형성하는 단계, 상기 데이터선과 상기 드레인 전극을 형성하는 단계 및 상기 화소 전극을 형성하는 단계 중 적어도 하나는 65 내지 75중량%의 인산, 0.5 내지 15중량%의 질산, 2 내지 15중량%의 아세트산, 0.1 내지 8.0%의 칼륨 화합물 및 잔량의 물을 포함하는 식각액 조성물을 이용하여 사진 식각하는 단계를 포함하는 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법을 제공한다.
식각액, 칼륨 화합물, 염기성 질소 화합물, 언더컷, 프로파일

公开(公告)号：KR1020060037937A

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：KR1020040087040

申请日：2004-10-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 고형수 ,  정주환 ,  홍승범 ,  박홍식 ,  박철민 ,  백경록

IPC: G11B9/02

CPC classification number: B82Y10/00 ,  G11B9/02 ,  G11B9/1409 ,  G11B9/1472

Abstract: 이방성 전도층을 구비하는 강유전체 기록 매체, 그것이 구비되는 기록 장치 및 그 기록 방법이 개시된다.
강유전체 기록 매체는 강유전체 기록층과 상기 강유전체 기록층을 덮는 보호층을 구비하는 것으로서, 상기 강유전체 기록층은 극성 반전(polarization reversal)되는 강유전성 물질(ferroelectric material)로 형성되고, 상기 보호층은 외부 에너지에 의해 도체, 부도체로 전이되는 전기적 이방성 전도층(anisotropic conduction layer)인 것을 특징으로 한다.
개시된 강유전체 기록 매체에 의하면, 헤드 팁과 강유전체 기록층 사이에 작은 전압을 인가하면서 읽기/쓰기 작업을 수행할 수 있고, 강유전체 기록층이 긁히거나 헤드 팁이 손상/파손되는 것을 방지할 수 있는 장점이 있다.

公开(公告)号：KR1020060022464A

公开(公告)日：2006-03-10

申请号：KR1020040071296

申请日：2004-09-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박홍식

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L27/124 ,  G02F1/136227 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/3248

Abstract: 표시기판의 제조 방법 및 이를 구현하기 위한 제조 장치가 개시되어 있다. 표시기판의 제조 방법은 영상을 표시하기 위해 기판에 형성된 화소영역에 보호막을 형성하는 단계, 보호막의 상면에 감광 패턴을 형성하는 단계, 감광패턴의 하부에 언더컷(under cut)이 형성되도록 보호막을 패터닝 하여 보호 패턴을 형성하는 단계, 기판에 도전 박막을 형성하여 언더컷에 의해 화소영역에 도전 패턴을 형성하는 단계, 감광패턴에 도전 박막 및 감광패턴을 용해하는 복합 스트립퍼를 분사하는 단계 및 도전 박막 및 복합 스트립퍼를 수거하여 복합 스트립퍼로부터 도전 박막을 필터링 하는 단계를 포함한다. 이로써, 박막트랜지스터를 포함하는 기판의 제조 공정을 보다 단축 및 제조 비용을 크게 감소시키는 효과를 갖는다.

公开(公告)号：KR1020060019365A

公开(公告)日：2006-03-03

申请号：KR1020040068007

申请日：2004-08-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박철민 ,  박홍식 ,  고형수 ,  홍승범

IPC: H01L21/66 ,  G01R1/073

CPC classification number: G01Q70/10 ,  G01Q70/16

Abstract: 저항성 팁을 구비한 반도체 탐침의 제조방법이 개시된다. 개시된 저항성 팁을 구비한 반도체 탐침의 제조방법은, 제1 및 제2마스크막을 기판의 상면에 사각형상으로 형성하고, 상기 기판의 상면을 1차적으로 식각한 다음, 상기 제1마스크막을 식각하여 팁 네크의 폭에 해당하는 제3마스크막을 형성한다. 상기 제3마스크막으로 상기 기판을 2차적으로 식각하여 팁 네크의 폭이 소정의 폭으로 되게 한다. 상기 제3마스크막을 제거한 후 상기 기판을 열처리하여 팁의 첨두부를 형성한다. 이에 따르면, 팁 네크의 폭이 일정해지고 따라서 팁의 높이가 일정한 반도체 탐침을 제조할 수 있다.

公开(公告)号：KR100455652B1

公开(公告)日：2004-11-06

申请号：KR1019990037690

申请日：1999-09-06

Applicant: 동우 화인켐 주식회사 ,  삼성전자주식회사

Inventor： 주진호 ,  이유경 ,  박홍식 ,  나윤정 ,  김기수 ,  강성철

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/0048 ,  G03F7/0226 ,  G03F7/162

Abstract: A method for preparing a positive photoresist layer is provided. In this method, a photoresist composition is drop-wise applied on an insulator layer or a conductive metal layer formed on a substrate. The photoresist composition includes a polymer resin, a sensitizer for changing solubility of the photoresist layer when exposed and a solvent. The coated substrate is rotated at the speed of 1,250 to 1,350 rpm for 4.2 to 4.8 seconds. The coated substrate is then dried and the dried substrate is exposed to some form of radiation. Next, the exposed portion is removed by using an alkaline developing solution. The solvent preferably includes 3-methoxybutyl acetate and 4-butyrolactone, or includes 3-methoxybutyl acetate, 2-heptanone, and 4-butyrolactone.

Abstract translation: 提供了制备正型光刻胶层的方法。 在该方法中，将光致抗蚀剂组合物逐滴施加在形成在基板上的绝缘层或导电金属层上。 光致抗蚀剂组合物包含聚合物树脂，用于改变曝光时光致抗蚀剂层的溶解性的敏化剂和溶剂。 涂布的基材以1250至1350rpm的速度旋转4.2至4.8秒。 然后干燥涂覆的基材并将干燥的基材暴露于某种形式的辐射。 接下来，使用碱性显影液除去曝光部分。 溶剂优选包括乙酸3-甲氧基丁酯和4-丁内酯，或者包括乙酸3-甲氧基丁酯，2-庚酮和4-丁内酯。

公开(公告)号：KR1020040055720A

公开(公告)日：2004-06-26

申请号：KR1020037006764

申请日：2002-01-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강성철 ,  박홍식

IPC: H01L21/3063

CPC classification number: G02F1/136286 ,  G02F2001/136295

Abstract: PURPOSE: Etchant for an interconnection is provided to cause an interconnection of molybdenum or a molybdenum alloy to be uniformly patterned to be a good taper structure such that the interconnection is made of a low resistance material and has a contact characteristic of low resistance to other materials. CONSTITUTION: The etchant for the interconnection includes nitric acid of 0.1-10 percent, phosphoric acid of 65-55 percent, acetic acid of 5-20 percent, stabilizer of 0.1-5 percent and deionized water. The stabilizer is designated as a chemical formula, M(OH)x xLy, wherein M is Zn, Sn, Cr, Al, Ba, Fe, Ti or B, L is H2O, NH3, CN, COR(R is an alkyl having a carbon number of up to 5), NH2R(R is an alkyl having a carbon number of up to 6), x is 2 or 3, and y is 0, 1, 2 or 3.

Abstract translation: 目的：提供用于互连的蚀刻剂以使钼或钼合金的互连均匀地图案化为良好的锥形结构，使得互连由低电阻材料制成并且具有对其它材料的低电阻的接触特性 。 构成：互连的蚀刻剂包括0.1-10％的硝酸，65-55％的磷酸，5-20％的乙酸，0.1-5％的稳定剂和去离子水。 稳定剂称为化学式M（OH）x xLy，其中M为Zn，Sn，Cr，Al，Ba，Fe，Ti或B，L为H 2 O，NH 3，CN，COR（R为具有 碳数高达5），NH 2 R（R为碳数高达6的烷基），x为2或3，y为0,1,2或3。

公开(公告)号：KR1020040040087A

公开(公告)日：2004-05-12

申请号：KR1020020068412

申请日：2002-11-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박홍식 ,  박애나 ,  조홍제 ,  강성철

IPC: G03F7/42

Abstract: PURPOSE: Provided is a stripper composition for a high-performance TFT-LCD photoresist, which reduces the stripping time significantly, simplifies gate array processing steps, improves the productivity and saves the cost. CONSTITUTION: The stripper composition for a photoresist comprises 20-60 parts by weight of monoethanol amine, 15-50 parts by weight of N.N-dimethylacetamide, and 15-50 parts by weight of carbitol. The stripper composition is used for a patterning method of a gate array comprising the steps of: depositing a double metal layer on a substrate, coating a photoresist and carrying out exposure and development; etching a first conductive layer; stripping the photoresist by using the stripper composition; and etching a second conductive layer.

Abstract translation: 目的：提供一种用于高性能TFT-LCD光致抗蚀剂的剥离剂组合物，显着减少剥离时间，简化了门阵列处理步骤，提高了生产率并节省了成本。 构成：光致抗蚀剂的脱模剂组合物包含20-60重量份的单乙醇胺，15-50重量份的N-二甲基乙酰胺和15-50重量份的卡必醇。 剥离剂组合物用于栅极阵列的图案化方法，包括以下步骤：在基底上沉积双金属层，涂覆光致抗蚀剂并进行曝光和显影; 蚀刻第一导电层; 通过使用剥离剂组合物剥离光致抗蚀剂; 并蚀刻第二导电层。

公开(公告)号：KR1020030095430A

公开(公告)日：2003-12-24

申请号：KR1020020032328

申请日：2002-06-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박애나 ,  강성철 ,  박홍식 ,  조홍제 ,  박봉옥

IPC: H01L29/786

Abstract: PURPOSE: A method for forming a metal pattern and a method for manufacturing a TFT(Thin Film Transistor) substrate using the same are provided to be capable of reinforcing the bonding force between the metal pattern and a lower substrate by using a bonding layer. CONSTITUTION: A bonding organic metal layer is formed at the upper portion of an insulating substrate(110) by coating the first photosensitive organic metal adhesive. A line organic metal layer is formed at the upper portion of the bonding organic metal layer by coating the second photosensitive organic metal adhesive. An exposure process is carried out at the line organic metal layer and bonding organic metal layer by using a photo mask. Then, a plurality of metal patterns(121,123,125) are formed by developing the resultant structure. At this time, the metal patterns are made of bonding metal patterns(211,231,251) and line metal patterns(212,232,252).

Abstract translation: 目的：提供一种用于形成金属图案的方法和使用其的制造TFT（薄膜晶体管）基板的方法，以能够通过使用粘合层来增强金属图案和下基板之间的结合力。 构成：通过涂覆第一感光性有机金属粘合剂，在绝缘基板（110）的上部形成接合有机金属层。 通过涂布第二感光性有机金属粘合剂，在接合有机金属层的上部形成线有机金属层。 在有机金属层的线上进行曝光处理，并且通过使用光掩模来接合有机金属层。 然后，通过显影所得到的结构形成多个金属图案（121,123,125）。 此时，金属图案由接合金属图案（211,231,251）和线金属图案（212,232,252）制成。

公开(公告)号：KR1020030055839A

公开(公告)日：2003-07-04

申请号：KR1020010085950

申请日：2001-12-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 송근규 ,  박홍식 ,  노남석 ,  김대옥

IPC: G02F1/1345

Abstract: PURPOSE: A forming method of wires is provided to improve a side wall profile of the wires to be formed by a double film containing a MoW film. CONSTITUTION: A first metal film and a second metal film to be formed by a MoW are layered sequentially. The second metal film and the first metal film are simultaneously etched by using an etching agent having the higher etching ratio of the second metal film than the etching ratio of the first metal film. A wire having a side wall of a taper angle under 45degrees is formed by the etching. In forming the gate wire with a double film structure layering the first metal film of an aluminum alloy(52) and the second metal film of the MoW(54), the step spread property of layered layers thereon is improved.

Abstract translation: 目的：提供一种电线的形成方法，以改善由含有MoW膜的双层膜形成的导线的侧壁轮廓。 构成：由MoW形成的第一金属膜和第二金属膜依次层叠。 通过使用具有比第一金属膜的蚀刻率更高的第二金属膜的蚀刻比的蚀刻剂，同时蚀刻第二金属膜和第一金属膜。 通过蚀刻形成具有45度以下的锥角的侧壁的线。 在用铝合金（52）的第一金属膜和MoW（54）的第二金属膜层叠双层膜结构的栅极线中，层叠层的阶梯扩展性提高。

公开(公告)号：KR100330012B1

公开(公告)日：2002-08-08

申请号：KR1019980037772

申请日：1998-09-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박홍식 ,  한상록

IPC: H03J7/00

Abstract: 주화면과 부화면에 각각 대응하는 한 쌍의 채널 변경 키와 한 쌍의 음량 변경 키를 구비한 원격 송신기에서 한 쌍의 채널 변경 키와 음량 변경 키로부터 주화면과 부화면 중 어느 하나에 대응하는 제어 신호가 입력되면, 입력된 제어 신호가 주화면과 부화면 중 어느 것에 대응되는 제어신호인지를 판단하고, 텔레비전의 현재모드가 더블 스크린모드인가를 판단하여 텔레비전의 현재모드가 더블 스크린모드이면, 판단된 제어신호에 대응하여 주화면 또는 부화면 중 어느 하나의 채널이나 음량을 조정한다. 주화면과 부화면을 동시에 시청중에 부화면을 주화면으로 변환시키지 않은 상태에서도 부화면의 채널 및 음량을 변경시킬 수 있어 시청자에게 편의를 제공한다.