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公开(公告)号：KR1019990084926A
公开(公告)日：1999-12-06
申请号：KR1019980016994
申请日：1998-05-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28
Abstract: 커패시터의 하부 전극 표면에 HSG(Hemispherical Grain)를 형성하기 전에 하부 전극 표면을 습식 세정할 때 웨이퍼상에 물반점이 형성되는 것을 방지하는 커패시터 하부 전극 형성 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에서는 웨이퍼상의 칩 영역 및 그 주위의 외곽 영역 전면에 도전층을 형성하고, 상기 도전층 위에 포토레지스트막을 형성하고, 상기 포토레지스트막중 상기 칩 영역에서 하부 전극 형성에 필요한 부분만을 노출시키는 레티클을 사용하여 상기 포토레지스트막을 부분적으로 노광시키고, 상기 부분적으로 노광된 포토레지스트막중 칩 영역을 제외한 외곽 부분을 전면적으로 노출시키는 레티클을 사용하여 상기 포토레지스트막중 외곽 부분을 노광시키고, 상기 노광된 포토레지스트막을 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하고, 상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 하여 상기 도전층을 식각하여, 상기 외곽 부분에는 상기 도전층이 남아있지 않은 상태로 상기 칩 영역에 하부 전극 패턴을 형성한다.
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公开(公告)号：KR1019990075646A
公开(公告)日：1999-10-15
申请号：KR1019980009969
申请日：1998-03-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108
Abstract: 전세정(pre-cleaning) 공정을 수반하는 반도체 장치의 커패시터(capacitor) 형성 방법 및 이에 이용되는 챔버 장비를 개시한다. 본 발명은, 스토리지 전극(storage node)이 형성된 반도체 기판 상에 반구형 입자(hemispherical grain)막 또는 유전막 등의 물질막을 형성한다. 물질막을 형성하는 단계 이전에 물질막을 형성하는 단계와 인 시튜(in situ)로 자연 산화막(native oxide layer)을 제거하여 반도체 기판을 전세정한다. 이와 같은 커패시터 형성 방법은, 진공이 형성되어 있으며 반도체 기판을 이송시키는 이전 챔버 모듈(transfer chamber module), 이전 챔버 모듈에 연결되어 있으며 이전 챔버 모듈에서 이송된 상기 반도체 기판 상에 물질막을 형성하는 반응 공정을 수행하는 공정 챔버 모듈(process chamber module) 및 이전 챔버 모듈에 연결되어 있으며 반도체 기판을 반응 공정에 앞서 인 시튜로 전세정하는 세정 챔버 모듈(cleaning chamber module) 등으로 구비된다.
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公开(公告)号：KR1019990062788A
公开(公告)日：1999-07-26
申请号：KR1019980052995
申请日：1998-12-01
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108
Abstract: 이 발명은 DRAM에 사용하기 위한 스토리지 셀 커패시터의 형성방법을 개시하고 있고, 그 방법은, 노드를 갖고 있는 반도체기판상에 형성된 콘택 플러그위에 반응 저지층 및 백금층을 차례로 형성한 다음, 상기 반응 저지층을 습식 식각하여 백금층아래에서 서로 횡방향으로 대향하고 있는 오목부분을 형성하는 공정과, 상기 오목부분상에 그리고 백금층아래에 산화저지용 측벽스페이서를 형성하는 공정을 포함하고 있다. 또한 본 발명에 따른 커패시터의 형성 방법의 두가지 특징으로서 산화막으로 반응 저지층의 측벽을 에워싸는 것과 80도 이상의 경사면을 갖되 커패시터의 스토리지 노드 전극으로 기능하는 백금층을 형성하는 것이다. 백금층의 상부는 두가지의 연속적인 식각방법으로 80도이상의 경사각을 갖는 급격히 경사진 패턴을 갖는다. 이 연속적인 식각방법중 하나는 상기 백금층의 상부를 부분적으로 식각하는 건식식각공정이고, 다른 하나는 상기 백금층의 상부의 나머지 부분을 식각하는 습식식각공정이다. 상기 백금층의 하부는 다마신 공정에 의해 거의 90도의 경사각을 갖는 패턴을 갖는다.
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公开(公告)号：KR100207522B1
公开(公告)日：1999-07-15
申请号：KR1019960055439
申请日：1996-11-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: 반도체장치의 금속배선 공정에서 사용되는 세정액 그를 이용한 세정방법에 관하여 개시되어 있다. 이를 위하여 본 발명은, 반도체장치의 세정공정에 사용되는 세정액에 있어서, 상기 세정액은 탈이온수(DI water)에 35∼50%로 농축된 사불화 붕산(HBF
4 )을 탈이온수의 양과 비교하여 10
-3 ∼20 중량%의 농도로 혼합한 용액인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 세정액 및 이를 이용한 금속배선 형성공정 및 화학기계적 연마 공정에 후속되는 세정공정의 세정방법을 제공한다. 따라서, 상술한 본 발명에 따르면, IPA 린스 공정을 생략할 수 있기 때문에 공정이 단순해 지고, 유기 스트리퍼를 쓰지 않기 때문에 환경문제를 방지하며, 반도체 기판에 금속 이온의 오염이 방지되며, 금속배선 공정 및 화학기계적 연마 공정의 부산물을 효과적으로 제거할 수 있다.-
公开(公告)号：KR100180344B1
公开(公告)日：1999-04-15
申请号：KR1019950036076
申请日：1995-10-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: 본 발명은 반도체 웨이퍼의 건조장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 웨이퍼(14)에 미량의 IPA(Isopropyl Alcohol)증기가 잔존하게 됨에 따라 유발 가능한 웨이퍼(14)의 오염을 방지하도록 하는 반도체 웨이퍼의 건조장치에 관한 것이다.
본 발명은 유기용매 증기를 이용하여 웨이퍼(14)에 흡착된 수분을 제거하도록 구성된 제1건조챔버(10)와 제1건조챔버(10)로부터 웨이퍼(14)를 반입하여 일정기간 동안 정체시켜 웨이퍼(14)를 건조하도록 하는 제2건조챔버(12)로 이루어지는 건조장치에 있어서, 제2건조챔버(12) 내부로 가열수단에 의해 가열된 질소가스를 공급함으로써 유기용매(14)가 증발온도와 상온의 사이에서 유지되도록 질소 공급수단(40,42)이 설치되어 있는 것을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명에 따르면 제1건조챔버(10)에서 웨이퍼(14)에 흡착되는 IPA 증기를 잔존 가능한 오염원과 반응하기 전에 건조토록 함으로써 웨이퍼(14)의 결함을 줄일 수 있는 효과가 있다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100173947B1
公开(公告)日：1999-04-01
申请号：KR1019950043722
申请日：1995-11-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: 본 발명은 웨이퍼세정시스템의 프로세스 챔버내에 채워져 있는 세정용액의 농도변화를 검출하는 반도체 제조시스템의 세정용액 농도검출장치에 관한 것으로서, 그 구성은 상기 세정용액의 농도를 검출하기 위하여 제1출력 포트를 통하여 제1제어신호를 출력하고, 입력포트를 통하여 세정용액 농도검출신호를 입력하여 기준신호와 비교하여 세정용액 농도가 기준농도의 범위를 벗어나는 지를 결정하며, 그리고 상기 세정용액 농도가 기준농도의 범위를 벗어난 경우 제2제어신호를 출력하는 프로세서(10)와: 검사용 용기(50)와; 상기 제1제어신호를 입력하여 상기 세정용액과 초순수공급라인을 통하여 공급되는 초순수의 일정량이 상기 검사용 용기(50)내에 수용되도록 하고 그리고 일정시간경과후 상기 검사용 용기(50)내에 수용된 혼합물을 배출시키도록 제어하는 제어수단(20)과; 상기 검사용 용기(50)내에 수용된 상기 혼합물의 수소이온지수를 검출하여 상기 세정용액 농도검출신호로서 상기 프로세서(10)로 제공하는 세정용액 농도검출수단(40)을 포함한다. 상기 세정용액 농도검출장치에 의하면, 주기적으로 또는 연속적으로 세정용액의 농도를 검사할 수 있기 때문에 세정용액의 적절한 시기에 교체할 수 있고, 그래서 세정공정 중에 발생될 수 있는 웨이퍼의 손실을 초기단계에서 방지할 수 있다. 또한 세정용액이 불량한 경우, 즉 세정용액의 검출된 수소이온 지수값이 일정 기준값이 범위를 벗어난 경우에 알람을 통하여 경고할 수 있어서 조작자로 하여금 그 세정용액의 적절한 교체시기를 알려줄 수 있다.
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公开(公告)号：KR2019990005636U
公开(公告)日：1999-02-18
申请号：KR2019970018991
申请日：1997-07-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: 본 고안은 웨이퍼 세정장치에 관해 개시한다. 본 고안은 디핑 방식의 세정장치이므로 대구경 웨이퍼의 세정도 세정장치에 무리를 주지 않는 범위내에서 실시할 수 있고 케미컬 세정조와 린스 및 건조 세정조가 일체형으로 되어 있어 린스와 드라이를 동일한 세정조에서 실시할 수 있으므로 웨이퍼의 세정시간을 단축하여 반도체장치의 생산성을 높일 수 있다. 아울러, 적외선이나 자외선 램프와 같은 보조 건조설비를 구비하여 웨이퍼 표면에 잔존하는 탄소성분의 오염물을 효과적으로 제거할 수도 있으므로 반도체장치의 수율을 개선할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019980077764A
公开(公告)日：1998-11-16
申请号：KR1019970015005
申请日：1997-04-22
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: 본 발명은 반도체기판의 세정장치 및 이를 이용한 반도체기판의 세정방법에 관한 것이다. 본 발명에 의한 반도체기판의 세정장치는 스트리핑 스테이션(stripping station)의 바닥면과 일단이 연결된 세정액 주입관, 상기 세정액 주입관의 타단에 의하여 지지되고, 상기 세정액 주입관으로부터 세정액을 공급받아 세정이 이루어지느 세정조, 상기 세정액 주입관과 상기 세정조를 수납하며, 합성수지로 이루어진 하우징(housing), 및 상기 하우징이 고온에 의하여 변형되는 것을 방지하고 세정액 증기의 배기효율을 증가시키기 위하여 상기 하우징의 측벽에 설치된 합성수지로 이루어진 냉각수단을 구비하는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR1019980076181A
公开(公告)日：1998-11-16
申请号：KR1019970012749
申请日：1997-04-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/105
Abstract: 본 발명은 반도체장치의 커패시터 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은, 하부전극 상에 산화막-질화막-산화막의 구조의 유전막으로 이루어지는 반도체장치의 커패시터 및 그 제조방법에 있어서, 상기 유전막 중에서 상기 하부전극 상의 산화막은 상기 하부전극의 세정시 형성되는 케미컬산화막을 소정의 두께로 잔류시킨 산화막으로, 하부전극 상에 산화막-질화막-산화막의 구조로 이루어지는 유전막을 형성하기 위한 반도체장치의 커패시터 제조방법에 있어서, (1) 상기 하부전극 상에 잔류하는 파티클 등의 오염원을 제거하는 세정단계; (2) 상기 (1)의 세정시 상기 하부전극 상에 형성되는 케미컬산화막이 소정의 두께로 상기 하부전극 상에 잔류하도록 식각시키는 식각단계; 및 (3) 상기 (2)의 식각으로 상기 소정의 두께로 잔류된 케미컬산화막 상에 질화막을 적층시키는 적층단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다.
따라서, 케미컬산화막을 유전막으로 이용함으로써 파티클 등과 같은 오염원으로 인한 불량을 방지하여 제품의 신뢰도가 향상되는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1019980068037A
公开(公告)日：1998-10-15
申请号：KR1019970004469
申请日：1997-02-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: 반도체 장치의 세정액에 대하여 개시한다. 본 발명은 반도체 기판 상에 형성된 산화물을 제거하는 반도체 장치의 세정액에 있어서, 상기 세정액은 0.01 ∼10%의 플루오로 붕산(HBF
4 : fluoboric acid)의 희석액에 0.01∼10%의 양성 전해이온수가 포함된 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 세정액을 제공한다. 본 발명은 강산을 사용하지 않으면서 세정액에 H
+ 이온을 공급하여 플루오로 붕산(HBF
4 )의 식각속도를 증가시킬 수 있다. 또한, 본 발명은 공급하는 H
+ 이온의 농도를 마음대로 바꿀수 있어 플루오로 붕산(HBF
4 )의 산화물 식각속도를 조절할 수 있다.
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