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公开(公告)号：KR1019960027587A
公开(公告)日：1996-07-22
申请号：KR1019940033891
申请日：1994-12-13
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H04B10/00
Abstract: 본 발명은 광섬유를 이용한 장거리 통신에 쓰일 수 있는 장파장용 광 스위치 소자를 구현하는 방법에 있어서 다중양자우물의 물질로 InGaAsP/InP 혼성구조의 구성 성분비 및 구조를 조정하여 광섬유에서 손실 최소치를 갖는 파장영역에서 작용하며 광 출력 강도비 및 광흡수 최대치를 극대화하는 최적화된 구조를 얻기 위한 산출방법을 제안한 것이다.
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公开(公告)号：KR1019960019808A
公开(公告)日：1996-06-17
申请号：KR1019940029926
申请日：1994-11-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/00
Abstract: 본 발명은 외부 전압 인가 없이도 광 쌍안정 특성이 가능한 ESQW S-SEED, ACQW S-SEED, SMQW S-SEED 등의 무전압 광 쌍안정 논리장치의 제작에 있어 기존의 구조를 이용할 경우 쌍안경 특성이 충분치 못한 점을 비대칭 페브리-패로(AFP) 공명 구조를 이용하여 극복함에 있어, 광 입력 저항 불일치된(inpedancde-mismatched) AFP 구조를 이용하여 무전압 광 쌍안정 특성을 향상시키는 방법에 관한 것이다.
일반적으로 사용하는 광 입력 저항 일치된(inpedance-matched) AFP 구조에서는 ON/OFF 강도비가 매우 큰 장점이 있으나, 광 시스템에서 더욱 중요한 반사율의 차이(△R)와 광 쌍안정 폭(△)이 비교적 작다는 단점이 있었다.
이를 해결하는 방법으로 MQW로 이루어진 진성 영역의 두께를 MQW의 주기수를 적절히 줄여 감소시키면 광 시스템에서 필요로 하는 적절한 ON/OFF 강도비를 유지하면서도 △R과 △를 크게 증가시킬 수 있는 저항 불일치된 AFP 구조물 제시한다.
또한 본 발명의 구조에서는, 진성 영역의 두께가 저항 일치된 AFP구조보다 더욱 감소되므로, PIN 다이오드를 이루는 물질에 의해 결정되는 주어진 내재 전압에 의한 내재 전계가 증가하여 광 쌍안정 특성을 더욱 크게 할 수 있는 구조이기도 하다.-
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公开(公告)号：KR102254954B1
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：KR1020180173892
申请日：2018-12-31
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본발명의실시예에따른파장가변반도체레이저는, 변조신호에따라광신호를생성하는활성이득영역, 모드조절신호에따라공진모드를조절하고그리고변조신호에기초하여결정된제 1 보상신호에따라신호처프를보상하는모드조절영역, 및파장선택전류, 변조신호에기초하여결정되고그리고열적처프를보상하는제 2 보상신호, 히터전극에공급되고히터신호에기초하여발진파장을결정하는 DBR(Distributed Bragg Reflector) 영역을포함할수 있다.
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公开(公告)号：KR102252682B1
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：KR1020140115621
申请日：2014-09-01
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/42
Abstract: 본명세서에서는다채널의광신호를송신또는수신하는다채널광모듈장치및 그것의제조방법을개시한다. 본명세서에따른다채널광모듈장치는, 광신호를전송하는다채널광섬유블록, 광신호를수신하는어레이광수신소자부를포함하는서브마운트및 금속광학벤치상에배치되고다채널광섬유블록으로부터전송되는광신호를어레이광수신소자부로유도하는반사부를포함하고, 광신호의어레이광수신소자부로의유도를위해반사부는어레이광수신소자부와수동정렬되고다채널광섬유블록은어레이광수신소자부와능동정렬된다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020160150247A
公开(公告)日：2016-12-29
申请号：KR1020150087754
申请日：2015-06-19
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본발명은파장가변레이저장치에관한것으로, 상기장치는기판상에형성되며, 능동광 도파로, 전단수동광 도파로및 후단수동광 도파로를포함하는광 도파로층; 상기광 도파로층 상부에위치하는클래드층; 및상기클래드층 상부에위치하며, 외부로부터인가되는전력을공급받아열을발생하여상기클래드층을통해상기전단및 후단수동광 도파로로공급하는파장가변층을포함한다.
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公开(公告)号：KR1020150051792A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：KR1020130133743
申请日：2013-11-05
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H04B10/50
CPC classification number: H04B10/501 , H04B10/2587 , H04B10/272 , H04B10/516
Abstract: 본발명의실시예에따른반사형파장무의존광원은연속광인캐리어신호를입력받고변조된광신호를출력한다. 본발명의반사형파장무의존광원은입력되는광신호가이득을가지도록증폭동작을수행하는반도체광 증폭기; 상기반도체광 증폭기와연결되고변조된광신호를발생하는광 변조기; 상기광 변조기의변조된광신호를반사하는고 반사막; 및상기고 반사막, 상기광 변조기, 그리고상기반도체광 증폭기에직렬연결되는브래그반사경을포함하되, 상기브래그반사경과상기고 반사막에의해브래그공진기가형성된다.
Abstract translation: 根据本发明的实施例的反射无色光发射机接收连续光的载波信号并输出调制的光信号。 根据本发明的反射无色光发射机包括：半导体光放大器，其执行放大操作以使输入的光信号具有增益;连接到半导体光放大器并产生调制光信号的光调制器， 反射光调制器的调制光信号的高反射层和串联连接到高反射层的布拉格反射器，光调制器和半导体光放大器。 布拉格反射器和高反射层形成布拉格谐振器。
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公开(公告)号：KR101394965B1
公开(公告)日：2014-05-16
申请号：KR1020100100401
申请日：2010-10-14
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01S5/142 , B82Y20/00 , H01S5/026 , H01S5/028 , H01S5/1212 , H01S5/1215 , H01S5/125 , H01S5/22 , H01S5/34306
Abstract: 본 발명은 파장 가변 외부 공진 레이저 발생 장치에 관한 것이다. 본 발명의 파장 가변 외부 공진 레이저 발생 장치는 제 1 기판 및 제 1 기판과 인접한 제 2 기판을 포함한다. 제 1 기판 상에, 직렬 연결된 광 증폭기, 빗살 반사기 및 광 신호 처리기가 제공된다. 제 2 기판 상에, 광 증폭기와 연결되는 외부 파장 가변 반사기가 제공된다. 광 증폭기, 빗살 반사기 및 광 신호 처리기는 연속적인 도파로를 구성한다. 빗살 반사기는 제 1 회절 격자 및 제 2 회절 격자로 구성된다.
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公开(公告)号：KR101382522B1
公开(公告)日：2014-04-18
申请号：KR1020100088472
申请日：2010-09-09
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 광대역 파장 가변과 초고속 고출력으로 동작하는 광신호를 출력하는 파장 가변 레이저 광원 모듈을 개시한다. 그 모듈은, 서로 다른 복수개의 발진 파장들을 갖는 광신호를 발진하는 레이저 어레이와, 상기 레이저 어레이의 온도를 변화시키는 온도 조절기와, 상기 레이저 어레이의 상기 온도 조절기에 대향되는 측부에서 상기 광신호를 변조 또는 증폭 출력하는 광 집적 소자를 포함한다.
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公开(公告)号：KR101371401B1
公开(公告)日：2014-03-10
申请号：KR1020100108685
申请日：2010-11-03
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/10 , H01L21/306 , H01L21/20
CPC classification number: H01L31/107 , H01L31/02027 , H01L31/02161 , H01L31/184 , Y02E10/544
Abstract: 애벌런치 광다이오드 및 그 형성방법이 제공된다. 애벌런치 광다이오드의 형성방법은 엔형 기판 상에 화합물 반도체 흡수층, 화합물 반도체 그래이딩층, 차아지 시트층, 화합물 반도체 증폭층, 선택적 습식 식각층 및 피형 전극층을 유기 금속 화학 기상 증착 방법으로 순차적으로 형성하는 것을 포함한다.
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