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公开(公告)号：KR101201891B1
公开(公告)日：2012-11-16
申请号：KR1020090026068
申请日：2009-03-26
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786 , H01L27/115
CPC classification number: H01L21/28291 , H01L29/78391 , H01L29/7869
Abstract: 본 발명은 투명 비휘발성 메모리 박막 트랜지스터에 대한 것으로, 이 소자는투명 기판 위에 형성되어 있는 소스 및 드레인 전극, 상기 소스 및 드레인 전극 및 상기 소스 및 드레인 전극 사이의 상기 투명 기판 위에 형성되어 있는 투명 반도체 박막, 상기 투명 반도체 박막 위에 형성되어 있는 유기 강유전체 박막, 그리고 상기 유기 강유전체 박막 위에 상기 투명 반도체 박막과 정렬하여 형성되어있는 게이트 전극을 포함한다. 따라서, 투명 비휘발성 메모리 박막 트랜지스터는 유기물 강유전체 박막과 산화물 반도체 박막을 사용하고, 상기 유기물 강유전체 박막 하부 및 상에 보조 절연막을 형성함으로써, 저온 공정이 가능하고 저렴하게 제작이 가능한 투명 비휘발성 메모리 소자를 실현할 수 있다.
투명, 비휘발성, 메모리, 유기 강유전체, 산화물 반도체-
公开(公告)号：KR1020120078557A
公开(公告)日：2012-07-10
申请号：KR1020110046955
申请日：2011-05-18
Applicant: 한국전자통신연구원 , 건국대학교 산학협력단
IPC: G09G3/36
CPC classification number: G09G3/3674 , G09G2310/08 , H01L29/7869 , H03K19/01742
Abstract: PURPOSE: A scan driver is provided to prevent malfunction caused due to turn-off of transistor by being composed of a transistor with a depletion mode characteristic. CONSTITUTION: An input switch(710) controls an input of an output signal of stage according to a first clock. A pull-up unit(720) transmits a first output signal clock to an output node. A pull-down unit(740) constantly maintains a node voltage between the input switch and pull-up unit. A pull-down unit(730) constantly maintains a voltage of the output node.
Abstract translation: 目的：提供扫描驱动器，以防止由于具有耗尽模式特性的晶体管组成的由于晶体管截止而引起的故障。 构成：输入开关（710）根据第一时钟控制载物台的输出信号的输入。 上拉单元（720）将第一输出信号时钟发送到输出节点。 下拉单元（740）在输入开关和上拉单元之间始终保持节点电压。 下拉单元（730）始终保持输出节点的电压。
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公开(公告)号：KR1020120078556A
公开(公告)日：2012-07-10
申请号：KR1020110046952
申请日：2011-05-18
Applicant: 한국전자통신연구원 , 건국대학교 산학협력단
CPC classification number: G09G3/36 , G09G3/3614 , G09G2310/08 , H01L2924/13069 , H01L2924/13091 , H02M3/07
Abstract: PURPOSE: A DC voltage conversion circuit of liquid crystal display apparatus is provided to be used in driving of liquid crystal display devices by generating a higher voltage from a clock signal and limited DC voltage. CONSTITUTION: A main pumping circuit unit(710) includes a first TFT through eighth TFT. The main pumping circuit unit outputs a voltage to drive a liquid crystal device. A gate control signal generator(720) controls a voltage applied to a gate of a plurality of TFT by a reversal of a clock signal. The gate control signal generator includes a eleventh TFT through sixteenth TFT. The main pumping circuit unit and gate control signal generator generate a voltage by sharing each other's nodes.
Abstract translation: 目的：提供一种液晶显示装置的直流电压转换电路，用于通过从时钟信号和有限的直流电压产生较高的电压来驱动液晶显示装置。 构成：主泵电路单元（710）包括第一TFT至第八TFT。 主泵电路单元输出驱动液晶装置的电压。 门控制信号发生器（720）通过反转时钟信号来控制施加到多个TFT的栅极的电压。 栅极控制信号发生器包括第十一TFT至第十六TFT。 主泵电路单元和门控信号发生器通过共享彼此的节点产生电压。
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公开(公告)号：KR101108193B1
公开(公告)日：2012-01-31
申请号：KR1020080128176
申请日：2008-12-16
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L45/148 , G11C13/0004 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1206 , H01L45/122 , H01L45/144
Abstract: 비휘발성 프로그래머블 소자는 제1 단자와, 제1 단자에 연결되는 제1 문턱 스위칭층과, 제1 문턱 스위칭층에 연결되는 상변화층과, 상변화층에 연결되는 제2 문턱 스위칭층과, 제2 문턱 스위칭층에 연결되는 제2 단자와, 상변화층의 일측부 및 타측부에 각각 연결되는 제3 단자 및 제4 단자를 포함하여 이루어진다.
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公开(公告)号：KR1020120006218A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：KR1020100066837
申请日：2010-07-12
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L21/28291 , H01L29/22 , H01L29/516 , H01L29/78391 , H01L27/11502
Abstract: PURPOSE: A non-volatile memory transistor with a dual gate structure is provided to apply operating voltage by connecting a first gate electrode and a second gate electrode, thereby improving electric field mobility characteristics. CONSTITUTION: A first gate electrode(102) is arranged on a substrate(100). A first gate insulating film(104) is arranged on the first gate electrode. Source and drain electrodes(106) are arranged on the first gate insulating film. A channel film is arranged on the first gate insulating film between the source and drain electrodes. A second gate insulating film(112A) is arranged on the channel film. A second gate electrode(118) is arranged on the second gate insulating film.
Abstract translation: 目的：提供具有双栅极结构的非易失性存储晶体管，通过连接第一栅电极和第二栅电极来施加工作电压，从而提高电场迁移率特性。 构成：第一栅电极（102）布置在基板（100）上。 第一栅极绝缘膜（104）布置在第一栅电极上。 源极和漏极（106）布置在第一栅极绝缘膜上。 沟道膜布置在源极和漏极之间的第一栅极绝缘膜上。 第二栅极绝缘膜（112A）布置在沟道膜上。 第二栅极电极（118）布置在第二栅极绝缘膜上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101030017B1
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：KR1020080127270
申请日：2008-12-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
Abstract: 본 발명의 비휘발성 프로그래머블 스위치 소자는 반도체 기판 상에 형성된 제1 전극과, 제1 전극 상에서 제1 전극의 일부를 노출하는 콘택홀을 갖는 절연층을 포함한다. 콘택홀에는 발열 전극이 매립되어 있다. 발열 전극 상에는 상변화층이 형성되어 있다. 상변화층의 양쪽 측면에 접촉된 금속층이 형성되어 있다. 상변화층과 연결되고 금속층과는 절연된 제2 전극이 형성되어 있다. 상변화층을 중심으로 금속층의 일측부와 연결되어 제3 전극이 형성되어 있다. 상변화층을 중심으로 금속층의 타측부와 연결되어 제4 전극이 형성되어 있다.
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公开(公告)号：KR1020100121107A
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：KR1020090040094
申请日：2009-05-08
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115 , G11C11/15
CPC classification number: G11C11/16 , H01L27/1159 , G11C11/15 , H01L21/28291 , H01L21/3065 , H01L29/6684
Abstract: PURPOSE: A non-volatile memory device using organic ferroelectric thin film and a manufacturing method thereof are provided to improve the manufacturing yield and operation performance of a transparent and flexible non-volatile memory by offering the most appropriate photoresist stripping liquid and a photo lithography process. CONSTITUTION: A conductive thin film layer or a semiconductor film layer(202) is formed on a substrate(200). An organic ferroelectric thin film layer(204) is formed on the top of the conductive thin film layer or the semiconductor film layer. A top electrode layer(206) is formed on the top of the organic ferroelectric thin film layer.
Abstract translation: 目的：提供使用有机铁电薄膜的非易失性存储器件及其制造方法，以通过提供最合适的光致抗蚀剂剥离液体和光刻工艺来提高透明和柔性非易失性存储器的制造成品率和操作性能 。 构成：在衬底（200）上形成导电薄膜层或半导体膜层（202）。 在导电薄膜层或半导体膜层的顶部形成有机铁电薄膜层（204）。 顶部电极层（206）形成在有机铁电薄膜层的顶部。
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公开(公告)号：KR100990215B1
公开(公告)日：2010-10-29
申请号：KR1020080069493
申请日：2008-07-17
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L45/1233 , H01L45/06 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/1625 , H01L45/1683
Abstract: 본 발명은 상변화 메모리 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 특히 상변화 재료층이 서로 다른 조성의 다층 구조로 형성되는 상변화 메모리 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 상변화 메모리 소자는 기판 상에 형성된 제 1 전극층; 상기 제 1 전극층 상에 형성된 발열성 전극층; 상기 발열성 전극층 상에 형성되고, 상기 발열성 전극층의 일부를 노출시키는 포어가 형성된 절연층; 상기 포어를 매립하는 형태로 형성되어 상기 발열성 전극층의 일부와 접촉하는 상변화 재료층; 및 상기 상변화 재료층의 상부에 형성된 제 2 전극층으로 구성된다. 본 발명은 메모리 동작영역으로서 뛰어난 안정성을 가지는 Ge
2 Sb
2
+
x Te
5 조성의 상변화 재료를 사용하여 메모리 동작의 안정성을 보장함과 동시에, 상기 Ge
2 Sb
2
+
x Te
5 조성의 상변화 재료의 상하부에 Ge
2 Sb
2 Te
5 조성의 상변화 재료로 구성되는 보조 영역을 배치함으로써 전극을 통한 열에너지의 누설을 방지하여 소비 전력을 감소시킬 수 있다.
상변화, 상변화 메모리, 칼코게나이드, 안티몬-
公开(公告)号：KR1020100107799A
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：KR1020090026068
申请日：2009-03-26
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786 , H01L27/115
CPC classification number: H01L21/28291 , H01L29/78391 , H01L29/7869 , H01L29/6684
Abstract: PURPOSE: A transparent non-volatile memory thin film transistor and a method for manufacturing the same are provided to be perform under lower temperature by forming an auxiliary insulating film on a transparent semiconductor thin film and an organic ferroelectric thin film. CONSTITUTION: Source and drain electrodes(102) are formed on a transparent substrate(100). A transparent semiconductor thin film(104) is formed between the source and the drain electrodes. An organic ferroelectric thin film(108) is formed on the transparent semiconductor thin film. A gate electrode(116) is formed on the organic ferroelectric thin film. A first auxiliary insulating film(106) is formed on the transparent semiconductor thin film. A second auxiliary insulating film(110) is formed on the organic ferroelectric thin film.
Abstract translation: 目的：通过在透明半导体薄膜和有机铁电薄膜上形成辅助绝缘膜，提供透明非易失性存储器薄膜晶体管及其制造方法，以在较低温度下进行。 构成：源极和漏极（102）形成在透明衬底（100）上。 在源极和漏极之间形成透明半导体薄膜（104）。 在透明半导体薄膜上形成有机铁电薄膜（108）。 在有机铁电薄膜上形成栅电极（116）。 在透明半导体薄膜上形成第一辅助绝缘膜（106）。 在有机铁电薄膜上形成第二辅助绝缘膜（110）。
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公开(公告)号：KR100968889B1
公开(公告)日：2010-07-09
申请号：KR1020080047400
申请日：2008-05-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115 , H01H36/00 , B82Y10/00
Abstract: 본 발명은 상변화 물질을 이용한 비휘발성 프로그래머블 스위치 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 특히 전극 간에 칼코게나이드 나노와이어를 형성하는 비휘발성 프로그래머블 스위치 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 비휘발성 프로그래머블 스위치 소자는 표면상에 홈이 형성된 기판; 상기 기판 상에 형성되고, 상기 홈을 기준으로 두 개의 영역으로 분리되는 제 1 전극층; 상기 제 1 전극층의 각 영역의 상부에 형성되는 제 2 전극층; 및 상기 홈의 상부에서 상기 제 1 전극층의 절단면 사이에 형성되는 칼코게나이드 나노와이어로 구성된다. 본 발명은 칼코게나이드 나노와이어로 구성되는 스위치 소자를 제공함으로써, 종래의 스위치 소자와 달리 비휘발성의 프로그래머블 스위치 소자를 제공할 수 있다.
재구성형 LSI, 프로그래머블 스위치, 상변화 메모리, 비휘발성
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