公开(公告)号：KR100119906B1

公开(公告)日：1997-10-17

申请号：KR1019930029092

申请日：1993-12-22

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박성주 ,  하정숙 ,  이재열 ,  노정래 ,  이일항

IPC: H01L21/20

Abstract: A forming method of epitaxial layers having a fine line-width and a thickness of atomic layer without using an etching process. The method comprises the steps of: forming a molecular layer(20) containing a first atom and a second atom on a semiconductor substrate(10); decomposing the molecular layer(20) into the first and second atom; and performing adsorption the decomposed first atom made of silicon atom on the surface of the substrate(10) after removing the decomposed second atom. Thereby, it is possible to control the thickness and the line-width of the epitaxial layer to atomic unit.

Abstract translation: 不使用蚀刻工艺的具有细线宽度和原子层厚度的外延层的形成方法。 该方法包括以下步骤：在半导体衬底（10）上形成含有第一原子和第二原子的分子层（20）; 将分子层（20）分解成第一和第二原子; 并且在除去分解的第二原子之后，在基板（10）的表面上进行由硅原子分解的第一原子进行吸附。 由此，可以将外延层的厚度和线宽控制为原子单位。

公开(公告)号：KR1019970054964A

公开(公告)日：1997-07-31

申请号：KR1019950047434

申请日：1995-12-07

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 전민용 ,  오왕열 ,  이학규 ,  김경현 ,  이일항

IPC: H01S3/00

Abstract: 본 발명은 광섬유 레이저에 관한 것으로 특히, 사냑(Sagnac) 루프 거울과 패러데이 회전 거울을 이용하여 편광에 매우 안정하고, 큰 에너지를 갖는 초단 펄스를 생성할 수 있는 광섬유 레이저에 관한 것이다.
본 발명은 광펌핑 레이저 다이오드; 이득매질 첨가 광섬유; 파장분할 광섬유 결합기; 위한 분산 천이 광섬유; 및 제1편광조절기가 루프 형으로 결합된 비선형 증폭 루프 거울: 제2편광조절기; 및 진행되는 광파의 편광면을 회전시키는 패러데이 회전 거울로 구성되는 선형 거울: 및 상기 비선형 증폭 루프 거울과 상기 선형 거울 사이에 연결되는 광섬유 방향성 결합기로 구성되는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1019970054579A

公开(公告)日：1997-07-31

申请号：KR1019950054540

申请日：1995-12-22

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김성복 ,  노정래 ,  이일항

IPC: H01L33/00

Abstract: 본 발명은 레이저 다이오드의 제조방법에 관한 것으로서, 제1도전형의 불순물이 고농도로 도핑된 화합물 반도체 기판 상의 소정 부분에 높은 인덱스 면을 갖는 V홈을 소정 방향으로 길게 형성하는 공정과, 상기 반도체 기판 상에 제2도전형의 제1클래드층, 불순물이 도핑되지 않은 제1스페이서층, 불순물이 도핑되지 않은 제1경사인덱스층, 불순물이 도핑되지 않은 활성층, 불순물이 도핑되지 않은 제2경사인덱스층, 불순물이 도핑되지 않은제2스페이서층, 제2도전형의 제2클래드층 및 제2도전형의 불순물이 고농도로 도핑된 캡층을 순차적으로 형서하되 InGaAs로 이루어진 상기 제1 및 제2경사 인덱스층들의 성장 온도를 변화시켜 In의 조성비가 포물형으로 변화되도록 형성하는 공정과, 상기 캡층 상부의 V홈과 대응하는 부분에 제2도전형의 오믹 전극과 상 반도체 기판의 하부 표면에 제1도전형의오믹 전극을 형성하는 공정을 구비한다. 따라서, 전하 운반자가 확산되는 것을 방지할 수 있으므로 누설 전류의 감소와 이로 인한 문턱 전류 값을 낮출 수 있으며, 또한, InGaAs의 제1 및 제2경사인덱스층들을 성장 온도를 변화시켜 In의 농도가 변화되도록 결정 성장시키므로 공정이 간단하면서 양자 효율을 증가시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR100119229B1

公开(公告)日：1997-07-30

申请号：KR1019930026307

申请日：1993-12-03

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 최영완 ,  권오균 ,  심숙이 ,  이일항

IPC: H01L31/00 ,  H01L33/00

公开(公告)号：KR1019970052321A

公开(公告)日：1997-07-29

申请号：KR1019950053645

申请日：1995-12-21

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박강호 ,  하정숙 ,  이일항

IPC: H01L21/28

Abstract: 본 발명은 반도체 위에 금속박막을 형성하는 방법에 관한 것으로 특히, 초고진공내에서 계면활성제로서 Sb나 As을 이용하여 Si과 같은 반도체 기판 위에 균일하게 금속 박막을 형성하는 방법에 관한 것으로, 기판으로 사용될 반도체 단결정을 깨끗하게 진공 내에서 세척하여 오염되지 않고 균일한 면을 얻는 다음, 기판을 적절한 온도 정도로 가열하면서 계면활성제를 진공증착하는 제1단계; 및 상기 제1단계에서 형성된 계면활성제 박막 위에 금속을 진공 증착하는 제2단계로 수행되는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1019970048681A

公开(公告)日：1997-07-29

申请号：KR1019950052644

申请日：1995-12-20

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 현경숙 ,  권오균 ,  김광준 ,  이일항

IPC: G02B26/00

Abstract: 본 발명은 두 개의 다른 파장 소자를 집적시켜 논리, 스위칭, 파장 변환 등의 역할이 가능한 광 소자에 관한 것으로, 제1도전형으로 도우핑된 반도체 기판(1)위에 상기 기판(1)에 대해 투명한 파장에서 동작하는 광 소자로서 제1도전형전극(2)과 광학적 활성층의 다중양자 우물구조층(3) 및 제2도전형전극(4)이 순차적으로 순차적으로 형성되는 제1광소자 구조를 구비하고, 상기 제1광소자 구조위에 상기 제1광소자 구조에서 사용되는 제1파장과 또 자른 제2파장에서 동시에 고반사율을 갖는 거울 구조(5)를 구비하며, 상기 거울 구조(5)위에 상기 제2파장에서 동작하는 제2도전형전극(6)과 광학적 활성층의 다중양자 우물구조층(7) 및 제2도전형 반도체 전극층(8)이 순차적으로 형성되는 제2광소자 구조를 구비하고, 상기 제1도전형 기반(1)과 제2도전형전극(6)에 대 오믹전극(9)과, 상기 제2도전형전극(4)과 제2도전형 반도체 전극층(8)에 대한 오믹전극(10)과, 상기 제2광소자 구조에 대한 무반사막(11)과, 상기 제1광소자 구조에 대한 무반사막(12)이 구비되고 상기 제2도전형전극(4)과 제2도전형전극(6)을 연결하는 금속으로 구성되는이중 파장 DBR을 이용한 수직 구조형의 광변조기에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR1019970009860B1

公开(公告)日：1997-06-18

申请号：KR1019930028672

申请日：1993-12-20

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 하정숙 ,  박성주 ,  이재열 ,  이일항

IPC: H01L21/302

Abstract: This invention relates to a method of etching an ultramicroscopic semiconductor device of atom scale by the use of a scanning tunneling microscope (STM). This method includes the steps of applying a chemical material for surface stabilization on a semiconductor (1)'s surface; creating a chemical reaction between an atomic layer (1a) and the chemical material, applying a given pulse voltage to a probe (2) of the STM approaching the semiconductor's surface (3) to be etched, and etching the surface (3)'s surface atomic layer.

Abstract translation: 本发明涉及通过使用扫描隧道显微镜（STM）蚀刻原子尺度的超微型半导体器件的方法。 该方法包括在半导体（1）的表面上施加用于表面稳定化的化学材料的步骤; 在原子层（1a）和化学材料之间产生化学反应，向接近要蚀刻的半导体表面（3）的STM的探针（2）施加给定的脉冲电压，并蚀刻表面（3） 表面原子层。

公开(公告)号：KR1019970017974A

公开(公告)日：1997-04-30

申请号：KR1019950028613

申请日：1995-09-01

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김성복 ,  박성주 ,  노정래 ,  이일항

IPC: H01L21/20

Abstract: 본 발명은 화합물 반도체의 결정 성장방법에 관한 것으로서, (100)면의 GaAs 반도체기판에 습식 식각에 의해 경사면이 (100)면과 55。의 경사각을 이루는 (111)면을 갖는 V자 홈(15)을 형성하고, 재차, 상기 반도체기판을 염산용액과 H
2 SO
4 ;H
2 O
2 =20 : 1 : 1용액에 의해 경사면을 55。보다 낮은 경사각, 예를 들면, 48∼53。의 경사각을 갖는 비(非)-(111)면이 되도록 식각한 후 반도체기판의 상부에 에너지 대역 폭이 큰 장벽층과 작은 활성층으로 이루어진 쌍이 다수 개로 이루어지는 양자 구조를 형성하도록 결정 성장한다.
이때, 장벽층과 활성층은 에너지가 낮은 가장 안정한 면을 이루면서 상장하므로 V자 홈 비-(111)면을 이루는 경사면에서 장벽층과 활성층은 (111)면을 이루는 방향으로 성장되고, 경사면을 이루는 비-(111)면과 성장면인 (111)면의 경계에서 장벽층과 활성층이 성장되지 않거나 성장 속도가 늦어 상기 활성층은 V자 홈의 바닥에 형성되는 것과 경사면에 형성되는 것이 서로 분리된다.
따라서, V자 홈의 바닥에 형성되는 활성층의 폭을 한정하여 양자 세선 또는 양자점의 구조를 용이하게 이를 수 있다.

公开(公告)号：KR1019970013440A

公开(公告)日：1997-03-29

申请号：KR1019950025694

申请日：1995-08-21

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 권오균 ,  김광준 ,  최영완 ,  이일항

IPC: H01L33/00

Abstract: 이 발명은 화합물 반도체 다중양자우물(multipe quantum well) 구조에서의 전기광흡수효과(electro-absoption effect)를 이용한 수직구조형(vertical cavity stack layer) 무전압 광쌍안정 논리소자(Non-biased optical bistable device)에 관한 것으로서, 반절연 기판 및 거울층 위에 다중양자우물 구조로 된 중간활성층을 가지는 핀 다이오드를 적층시키고, 소자의 표면에 무반사막을 입힌 구조로 형성하여, 핀 다이오드의 수직 적층에 의해 중간활성층의 양자우물의 주기수를 여러층으로 분배하고, 중간활성층의 두께를 크게 줄어들게 하여 광스위칭에 필요한 동작전압이 크게 감소시킬 수 있고, 여러층으로 분배된 양자우물수로 인하여 충분한 흡수층을 가지게 되어 공명기 구조가 필요없게 됨으로써 공명기 두께 조절의 어려움을 없애고, 넓은 면적에 걸쳐 균일한 성능을 가지도록 는 효과를 얻을 수 있다.

公开(公告)号：KR1019960013804B1

公开(公告)日：1996-10-10

申请号：KR1019930015636

申请日：1993-08-12

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 정종술 ,  곽종훈 ,  황월연 ,  서호형 ,  이일항

IPC: G02B26/00

Abstract: a substrate(10); a first mirror layer(20) formed by stacking a low refractive index media and a high refractive index media in turn on the substrate(10); a second mirror layer(40) formed by stacking a high refractive index material and a low refractive index material in turn; and a spacer layer(30) formed with Kerr material between the first and the second mirror layer(20,40). The reflectance of the first mirror layer(20) is 95 precent or 100 precent and the reflectance of the second mirror layer(40) is 5 precent or 30 precent and the initial tuning phase of the spacer layer(30) is m +t where m is an integer and t is 0.7 or 0.8.

Abstract translation: 基板（10）; 依次在所述基板（10）上层叠低折射率介质和高折射率介质而形成的第一镜层（20）; 依次层叠高折射率材料和低折射率材料形成的第二镜层（40）; 以及在第一和第二镜层（20,40）之间形成有克尔材料的间隔层（30）。 第一镜面层（20）的反射率为95以上或100以上，第二镜面层（40）的反射率为5个或30个以上，并且间隔层（30）的初始调谐相位为m + t， m为整数，t为0.7或0.8。