公开(公告)号：KR100249825B1

公开(公告)日：2000-03-15

申请号：KR1019970069573

申请日：1997-12-17

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 전치훈 ,  김윤태 ,  백종태 ,  신현국

IPC: H01L21/28

Abstract: 본 발명은 종래의 알루미늄계 반도체 배선에 비해 비저항 및 전자이주(EM: electromigration) 특성면에서 우수한 구리 배선박막을 화학증착법(CVD: chemical vapor deposition)으로 형성시 발생되는 제반 문제점들을 해결하기 위한 것이다.
발명은 구리전구체로서 β-diketonate계 (hfac)CuL 구리화합물에서 리간드 L로써 1-pentene(C
5 H
10 )을 사용하여 구리-리간드(Cu-L)를 약하게 결합시킴으로써 증기압을 높여 박막 증착율을 향상시킬 수 있도록 새롭게 합성한 (hfac)Cu(1-pentene) [1,1,1,5,5,5-hexafluoro-2,4-pentanedionato(1-pentene)copper(I): C
10 H
11 CuF
6 O
2 ] 화합물을 사용하였다. 이때 (hfac)Cu(1-pentene)에 1-pentene을 첨가한 혼합용액을 구리 증착반응의 전구체로서 사용함으로써 Cu(I)계 액체 전구체의 열적 안정성 문제를 해결하였다. 이와같이 (hfac)Cu(1-pentene) 또는 (hfac)Cu(1-pentene)+(1-pentene) 혼합용액을 구리원으로써 증발시켜 일정온도, 일정압력으로 유지된 화학증착 반응로에 도입함으로써 열에너지에 의한 구리원-기판간 증착반응에 의해 전도체, 절연체, 반도체 기판상에 벌크치에 가까운 낮은 전기비저항과 ＜111＞ 결정배향성을 갖는 고순도의 구리박막을 높은 증착율로 재현성있게 형성할 수 있다. 따라서 본 발명에 의한 구리 화학증착법을 사용하여 물리, 화학적으로 우수한 특성을 가져 반도체 배선공정에 적합한 구리박막을 형성할 수 있다.

公开(公告)号：KR100249813B1

公开(公告)日：2000-03-15

申请号：KR1019970069569

申请日：1997-12-17

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 백종태 ,  김윤태 ,  전치훈 ,  김보우

IPC: H01L21/336 ,  B82Y40/00

Abstract: 본 발명은 테라급 이상의 반도체 소자에 적용가능한 실리콘 양자점 형성방법에 관한 것으로, 실리콘 산화막상에 금속-실리콘 합급층을 형성하고, 이를 열처리하여 미세 실리콘 결정립을 형성하고, 금속을 식각하여 실리콘 산화막상에 실리콘 양자점을 형성한다. 본 발명에 의해 형성되는 실리콘 결정립은 단결정급 결정특성을 갖는 양자점으로서 형성되어, 차세대 나노소자 제조를 위해 적용될 수 있다.

公开(公告)号：KR100240649B1

公开(公告)日：2000-02-01

申请号：KR1019960052620

申请日：1996-11-07

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김윤태 ,  전치훈 ,  백종태

IPC: H01L21/22

CPC classification number: H01L21/76856 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76855

Abstract: 배선 금속의 특성 개선을 위한 열처리 공정에 의해 배선 금속의 확산 방지막 내부로의 확산 속도와 실리콘의 확산 방지막 내부로의 확산 속도가 상이한 점을 이용하여 상부의 배선 금속이 확산 방지막 내부를 완전히 관통하여 하부의 실리콘층에 도달하기 전에 확산 방지막 내부에 침투한 실리콘과 이원계 확산 방지막간에 화합물을 형성하게 함으로써 확산 방지 특성이 우수한 삼원계 확산 방지막 형성 방법이 개시된다.

公开(公告)号：KR1019990053234A

公开(公告)日：1999-07-15

申请号：KR1019970072835

申请日：1997-12-23

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 전치훈 ,  김윤태 ,  백종태

IPC: H01L21/283

Abstract: 본 발명은 구리 박막을 화학기상증착법으로 형성시, 구리원이 상온에서 쉽게 열화되는 문제와 구리원이 담겨진 용기를 직접 가열하는 버블러(bubbler) 방식으로 증착로에 구리를 공급함으로써 일어나는 정밀한 유량공급이 어려운 문제점과 구리박막의 낮은 증착율, 높은 비저항, 낮은 결정 배향성, 선택증착과 전면도포 조건 조절의 어려움, 미세 패턴 상의 매립 특성 불량 등 공정상의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 열적 안정성이 뛰어난(hafc)Cu(VTMO)[,1,1,1,5,5,5-hexafluoro-2,4,-pent- anedionato(vinyltrimethoxysilane) copper(Ⅰ):C
10 H
13 O
5 CuF
6 Si] 구리원을 액체상태로 정밀하게 유량을 조절하여 증착로 부근에 전송하고 증착로 직전에서 순간적으로 기화시켜 증착로에 주입하는 액체주입방식을 사용함으로써 구리 전구체의 열화와 분해 및 공급유량 변동에 따른 문제점� � 배제하여 증착 재현성과 균일성을 확보하고, 증착로 안으로 (hfac)Cu(VTMOS) 구리원 및 운반가스와 함께 H(hfac) [1,1,1,5,5,5-hexafluoro-2,4-pentanedione: C
5 H
2 O
2 F
6 ]을 주입하여 열에너지에 의한 기판상의 구리원과 기판간 표면증착반응을 조절하여 구리 증착반응을 촉진하고 구리박막의 물성을 개선하는 방법이다.

公开(公告)号：KR1019980034537A

公开(公告)日：1998-08-05

申请号：KR1019960052620

申请日：1996-11-07

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김윤태 ,  전치훈 ,  백종태

IPC: H01L21/22

Abstract: 배선 금속의 특성 개선을 위한 열처리 공정에 의해 배선 금속의 확산 방지막 내부로의 확산 속도와 실리콘의 확산 방지막 내부로의 확산 속도가 상이한 점을 이용하여 상부의 배선 금속이 확산 방지막 내부를 완전히 관통하여 하부의 실리콘층에 도달하기 전에 확산 방지막 내부에 침투한 실리콘과 이원계 확산 방지막간에 화합물을 형성하게 함으로써 확산 방지 특성이 우수한 삼원계 확산 방지막 형성 방법이 개시된다.

公开(公告)号：KR100133439B1

公开(公告)日：1998-04-23

申请号：KR1019940024348

申请日：1994-09-27

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박민 ,  유병곤 ,  이중환 ,  전치훈 ,  구진근

IPC: H01L21/205

Abstract: 본 발명은 반도체 초고집적회로(ULSI)의 제조공정에서 금속층간 절연막(inter metal dielectric : IMD)의 형성공정 뿐만 아니라 가스를 분사시켜 박막을 형성하는 공정에 있어서 종래의 가스분산장치(이하 Shower-Head라 함)에 냉각장치 기능을 부착함으로써 절연막의 형성시 shower-head면에 증착되는 박막을 최대한 억제하고, 미립자(particle)의 발생을 감소시키며, 박막 형성에 따른 Shower-Head의 수명을 연장시켜줌으로써 반도체 제조공정 시간을 단축(troughput 향상)시켜 그 결과 실제 장비의 가동시간을 높이는 데 있다.
본 발명은 반도체 제조 공정에서 플라즈마 및 열에너지를 이용하여 가스의 분해에 의해 박막을 증착하는 가스분산장치(Shower-Head)를 구비한 반도체 제조장치에 있어서, 상기 가스분산장치에 불필요하게 증착되는 가스의 용이한 제거를 위하여, 증착시 상기 가스분산장치의 온도를 낮게 제어할 수 있는 냉각기능을 부가한 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR200071927Y1

公开(公告)日：1993-04-13

申请号：KR2019880022176

申请日：1988-12-30

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김윤태 ,  강봉구 ,  김보우 ,  이영수 ,  전치훈

IPC: H01L21/205

公开(公告)号：KR100058719B1

公开(公告)日：1993-01-25

申请号：KR1019900007234

申请日：1990-05-21

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김윤태 ,  전치훈 ,  이영수 ,  김보우

IPC: H01L21/263

公开(公告)号：KR100057468B1

公开(公告)日：1992-12-19

申请号：KR1019900007230

申请日：1990-05-21

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 전치훈 ,  김윤태 ,  이영수 ,  김보우

IPC: H01L21/306

公开(公告)号：KR1019920008039B1

公开(公告)日：1992-09-21

申请号：KR1019900007233

申请日：1990-05-21

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이영수 ,  김윤태 ,  전치훈 ,  김보우 ,  장원익

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/324

Abstract: Rapid thermal processing (RTP) apparatus for safely exhausting the product generated from the manufacturing process and maintaining the vacuum state to clean the substrate include: a vacuum pump (15) for maintaining the low pressure state and for exchanging the environment gas of reaction furnace (1); a vacuum valve (11); a main vacuum tube (13); a throtle valve (8); a vacuum exhaust system having an exhaust pipe (14) and a main exhaust pipe (30) in the case of power stoppaging; a pressure control system having the vacuum system I, II (6,17) and pressure indicator A,B (7,18) and throtle valve controler (9). The RTP is useful for semiconductor manufacturing process.

Abstract translation: 用于安全地排出由制造过程产生的产品并保持真空状态以清洁基板的快速热处理（RTP）装置包括：用于维持低压状态和更换反应炉的环境气体的真空泵（15） 1）; 真空阀（11）; 主真空管（13）; 阀门（8）; 在动力停止的情况下具有排气管（14）和主排气管（30）的真空排气系统; 具有真空系统I，II（6,17）和压力指示器A，B（7,18）和阀门控制器（9）的压力控制系统。 RTP可用于半导体制造过程。