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公开(公告)号:KR100937164B1
公开(公告)日:2010-01-15
申请号:KR1020070134192
申请日:2007-12-20
CPC classification number: H01J37/32935
Abstract: 본 발명은 공정 모니터링 장치 및 공정 모니터링 방법을 제공한다. 이 장치는 공정을 진행하는 공정 챔버, 탐침 전극을 포함하면서 공정 챔버에 배치되는 탐침구조체, 탐침구조체 주위에 플라즈마를 생성하는 플라즈마 발생장치, 및 탐침구조체에 적어도 2개의 기본 주파수를 가진 교류 전압을 인가하여 공정 모니터링 파라미터를 추출하는 구동 처리부를 포함한다.
공정 모니터링, 랑뮈어 프르브, 챔버의 표면 상태-
公开(公告)号:KR1020090125490A
公开(公告)日:2009-12-07
申请号:KR1020080051624
申请日:2008-06-02
Applicant: 한국표준과학연구원
IPC: H01L21/66 , H01L21/3065
Abstract: PURPOSE: A plasma monitoring method and an apparatus thereof are provided to monitor chamber wall state and plasma, by measuring spectrum emitted from plasma through the window of the chamber confining the plasma. CONSTITUTION: A chamber including a window and confining plasma is prepared(S100). An optical signal is generated by measuring spectrum emitted from the plasma through the window of the chamber(S200). A reference signal is extracted from the optical signal by considering transmission reduction of the window(S300). Signal variation is extracted using the reference signal and the optical signal(S400). The chamber is controlled by using the signal variation(S500). Reduction rate is calculated by using the temporal variation of the optical signal.
Abstract translation: 目的:提供等离子体监测方法及其装置,通过测量从等离子体发射的限制等离子体的室的窗口来监测室壁状态和等离子体。 构成:制备包括窗口和限制等离子体的室(S100)。 通过测量从等离子体通过室的窗口发出的光谱产生光信号(S200)。 通过考虑窗口的传输减少从光信号中提取参考信号(S300)。 使用参考信号和光信号提取信号变化(S400)。 通过使用信号变化来控制腔室(S500)。 通过使用光信号的时间变化来计算减少率。
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公开(公告)号:KR100926032B1
公开(公告)日:2009-11-11
申请号:KR1020070114647
申请日:2007-11-12
Applicant: 한국표준과학연구원
IPC: G01J3/02
Abstract: 본 발명은 시간분해 THz 펌프-프로브 분광기에 관한 것으로, 특히 펨토초 레이저 빔을 3개로 분리하여 2개의 빔을 THz 프로브와 THz 펌프를 통해 샘플에 입사하여 THz파를 생성하고, THz 펌프 빔과 THz 프로브 빔이 샘플에 도달하는 시간 차이를 달리하여 시간 차이에 따른 THz 프로브 빔에 변화를 주고 샘플을 투과한 THz 프로브 빔과 제3빔을 집광하여 테라헤르츠파를 검출할 수 있도록 함으로써, 기존과 달리 테라헤르츠 주파수 영역에서 시간에 따른 테라헤르츠파의 변화량을 측정할 수 있는 시간분해 THz 펌프-프로브 분광기에 관한 것이다. 이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 펨토초 초고속 레이저빔을 생성하는 빔 생성기(10); 펨토초 초고속 레이저빔을 제1, 제2 및 제3빔으로 분리하는 제1 및 제2빔분리기(20,30); 제1빔을 이용하여 테라헤르츠파를 생성하여 샘플(100)에 입사시켜 주는 THz 프로브(40); 제2빔을 이용하여 테라헤르츠파를 생성하고 샘플(100)에 입사하여 테라헤르츠파의 주파수를 가변시켜 주는 THz 펌프(50); 및 샘플(100)을 투과한 테라헤르츠 프로브 빔과 제3빔을 집광하여 테라헤르츠파를 측정하는 측정수단(60);을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.
티타늄-사파이어 레이저빔, THz 프로브, THz 펌프, 광전달 딜레이, 검출기-
公开(公告)号:KR1020090049159A
公开(公告)日:2009-05-18
申请号:KR1020070115266
申请日:2007-11-13
Applicant: 한국표준과학연구원
Abstract: 본 발명은 초정밀 및 고분해능의 테라헤르츠 분광기 및 그 측정방법에 관한 것으로, 펨토초 레이저로 테라헤르츠 주파수 빗살을 형성하여 연속발진 테라헤르츠파의 주파수와 비교 분석하여 주파수를 측정하는 초정밀 및 고분해능의 테라헤르츠 분광기 및 그 측정방법을 제공하는데 그 목적이 있다. 이를 해결하기 위한 수단으로서 본 발명은, 연속발진 테라헤르츠파를 생성하여 샘플(50)에 조사해 주는 제1광원부(10); 테라헤르츠 주파수 빗살을 형성하기 위한 제2광을 조사하는 제2광원부(20); 샘플(50)을 투과한 연속발진 테라헤르츠파와 조사된 제2광에 의해 생성된 테라헤르츠 주파수 빗살을 비교하여 가장 인접한 주파수를 검출하는 검출기(30); 및 이 인접 주파수를 분석하는 분석수단(40);을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.
테라헤르츠, 검출기, 티타늄-사파이어 레이저, 후방파 발진관-
公开(公告)号:KR100592977B1
公开(公告)日:2006-06-23
申请号:KR1020030072877
申请日:2003-10-20
Applicant: 한국표준과학연구원
IPC: H01L21/66
Abstract: 본 발명은 화학 증착 공정시 용기 내의 전구체 잔존량 진단장치 및 진단방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 화학증착 공정 중 용기 내 잔존하는 전구체의 수위를 초음파의 송/수신을 통해 발생되는 신호를 분석하여 정확히 측정할 수 있는 화학 증착 공정시 용기 내의 전구체 잔존량 진단장치 및 진단방법에 관한 것이다. 따라서 본 발명에 의하면, 전구체가 보관되어 있는 용기에 초음파를 사용하는 수위 진단기를 설치하여 전구체의 수위를 실시간으로 측정하여 전구체의 고갈로 인한 피해를 사전에 방지하여 제품 불량율을 현저하게 감소시킬 수 있고, 상기의 측정결과를 토대로 전구체의 정확한 교체시기를 알 수 있으므로 전구체의 사용기간을 최대로 연장할 수 있다.
증착, 전구체, 초음파, 웨이퍼, 반도체, A/D 변환기, 펄스, 리시버-
公开(公告)号:KR1020050059505A
公开(公告)日:2005-06-21
申请号:KR1020030091131
申请日:2003-12-15
Applicant: 한국표준과학연구원
IPC: C23C16/448
CPC classification number: C23C16/4482 , Y10S261/65
Abstract: 본 발명은 화학 기상 증착공정을 위한 전구체의 기화장치에 관한 것으로, 밀폐용기에 담긴 전구체 수용액이 최저수위까지 기화됨이 가능하도록 밀폐용기의 내벽면 일측에 근접되게 편중/배치되고 높이방향을 따라 최저수위까지 배관되는 연결관과, 연결관의 하단에 관이음되고, 밀폐용기의 바닥면을 따라 배관되는 기포발생관을 포함하는 것을 특징으로 한다. 이 때 기포발생관은, 바닥면의 내주연을 따라 배관되는 폐곡선 형상, 바닥면을 가로질러 배관되는 직선 형상, 폐곡선 형상 및 폐곡선의 내주연을 가로질러 배관되는 직선 형상 등으로 이루어지는 것이 바람직하며, 그 외주연 상부에 일정간격을 따라 통기구가 형성되어 전구체 수용액의 최저수위에서 그 전반에 걸친 기포발생 및 버블링이 이루어질 수 있다.
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公开(公告)号:KR1020050037651A
公开(公告)日:2005-04-25
申请号:KR1020030072877
申请日:2003-10-20
Applicant: 한국표준과학연구원
IPC: H01L21/66
Abstract: 본 발명은 화학 증착 공정시 용기 내의 전구체 잔존량 진단장치 및 진단방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 화학증착 공정 중 용기 내 잔존하는 전구체의 수위를 초음파의 송/수신을 통해 발생되는 신호를 분석하여 정확히 측정할 수 있는 화학 증착 공정시 용기 내의 전구체 잔존량 진단장치 및 진단방법에 관한 것이다. 따라서 본 발명에 의하면, 전구체가 보관되어 있는 용기에 초음파를 사용하는 수위 진단기를 설치하여 전구체의 수위를 실시간으로 측정하여 전구체의 고갈로 인한 피해를 사전에 방지하여 제품 불량율을 현저하게 감소시킬 수 있고, 상기의 측정결과를 토대로 전구체의 정확한 교체시기를 알 수 있으므로 전구체의 사용기간을 최대로 연장할 수 있다.
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公开(公告)号:KR100386822B1
公开(公告)日:2003-06-09
申请号:KR1020010015394
申请日:2001-03-24
Applicant: 한국표준과학연구원
IPC: G01P5/08
Abstract: A flux distribution measuring apparatus measures distribution of flow rates of a flowable medium. The measuring apparatus includes thin metal wire(s) for scanning a flowable medium and lead wires connected to the thin metal wire(s), wherein a voltage difference is detected between adjacent lead wires while the measuring apparatus scans the flowable medium in the direction perpendicular to a flow path of the flowable medium. The voltage differences are generated due to temperature changes in the thin metal wire(s) while scanning the flowable medium having different flow rates. The measuring apparatus visualizes the distribution of flow rates of a flowable medium using a computer which receives and processes the voltage differences detected.
Abstract translation: 磁通量分布测量装置测量可流动介质的流量分布。 测量装置包括用于扫描可流动介质的细金属丝和连接到细金属丝的导线,其中当测量装置在垂直方向上扫描可流动介质时在相邻导线之间检测到电压差 到可流动介质的流动路径。 当扫描具有不同流速的可流动介质时,由于细金属丝中的温度变化而产生电压差。 测量装置使用接收并处理检测到的电压差的计算机使流动介质的流量分布可视化。
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