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公开(公告)号：CN103130179A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201210510312.8
申请日：2012-12-03
Applicant: 横河电机株式会社
CPC classification number: H04R31/00 , B81B2201/0271 , B81C1/0015 , B81C1/00666 , B81C2201/0164 , B81C2201/0173 , H03H3/0072 , Y10T29/49005
Abstract: 一种制造具有振动梁的谐振式传感器的方法，包括：（a）提供SOI衬底，SOI衬底包括：第一硅层；在第一硅层上的氧化硅层；以及在氧化硅层上的第二硅层；（b）通过使用氧化硅层作为蚀刻阻挡层来蚀刻第二硅层，来穿过第二硅层形成第一间隙和第二间隙；（c）在第二硅层上形成杂质扩散源层；（d）在第二硅层的表面部分中形成杂质扩散层；（e）通过蚀刻去除杂质扩散源层；以及（f）通过蚀刻来去除氧化硅层的至少一部分，从而在第一硅层与由第一间隙和第二间隙围绕的第二硅层的区域之间形成空气间隙。
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公开(公告)号：CN102173374B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201110090904.4
申请日：2007-10-17
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: B81B3/00
CPC classification number: B81B3/0086 , B81B2201/0271
Abstract: 本发明提供一种MEMS器件，该MEMS器件可以减少MEMS结构体和半导体基板之间的寄生电容。MEMS器件(1)具备MEMS结构体(30)，该MEMS结构体(30)具有隔着绝缘层形成在半导体基板(10)上的固定电极20和可动电极(26)，在固定电极(20)的下方的半导体基板(10)上形成有阱(13)，当固定电极(20)被施加正的电压时，阱(13)是p型阱。另外，对阱(13)施加电压以使阱(13)成为耗尽状态。该电压为使阱(13)维持耗尽状态的电压。
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公开(公告)号：CN101891140B
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201010242902.8
申请日：2007-10-17
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: B81B3/00
CPC classification number: B81B3/0086 , B81B2201/0271
Abstract: 本发明提供一种MEMS器件，该MEMS器件可以减少MEMS结构体和半导体基板之间的寄生电容。MEMS器件(1)具备MEMS结构体(30)，该MEMS结构体(30)具有隔着绝缘层形成在半导体基板(10)上的固定电极20和可动电极(26)，在固定电极(20)的下方的半导体基板(10)上形成有阱(13)，当固定电极(20)被施加正的电压时，阱(13)是p型阱。另外，对阱(13)施加电压以使阱(13)成为耗尽状态。该电压为使阱(13)维持耗尽状态的电压。
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公开(公告)号：CN1977450B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200580021979.X
申请日：2005-07-01
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H03H9/587 , B81B2201/0271 , B81C1/00238 , H03H9/105 , H03H9/1092 , H03H9/564
Abstract: 提供一种具有更小尺寸的压电滤波器。该压电滤波器(10)具有：第一基板(22)，在第一基板22的主表面上安置有至少一个第一压电谐振器(25)；第二基板(12)，在第二基板的主表面上安置有至少一个第二压电谐振器(15)；连接图案(20)，其在第一压电谐振器(25)和第二压电谐振器(15)周围延伸并且安置在第一基板(22)与第二基板(12)之间，第一基板(22)的主表面面对第二基板(12)的主表面，利用连接图案(20)将第一压电谐振器(25)接合到第二压电谐振器(15)上，并且第一压电谐振器(25)远离第二压电谐振器(15)；以及连接层(24x)，用于将垫片(28x)接合到垫片(18x)上，垫片(28x)被安置在第一基板(22)的主表面上并且电连接第一压电谐振器(25)，而垫片18x被安置在第二基板(12)的主表面上并且电连接第二压电谐振器(15)。
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公开(公告)号：CN102035494A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010293408.4
申请日：2010-09-26
Applicant: NXP股份有限公司
Inventor： 罗伯特·詹姆斯·帕斯科·兰德
IPC: H03H9/05
CPC classification number: H03H9/02448 , B81B3/0072 , B81B2201/0271 , B81B2203/0118 , H03H9/2447 , Y10T29/49002
Abstract: 一种谐振器(2)，具有有效弹簧常数(kz)，并包括适合沿振荡方向谐振的梁(4)，所述梁(4)具有梁弹簧常数(kB)，所述梁(4)与所述振荡方向成非零角度θ而延伸，其中，所述谐振器具有预定几何结构，并由一种或多种材料形成，每一种材料具有热膨胀系数(CTE)，每一种材料的CTE连同所述谐振器的预定几何结构一起引起θ随温度而变化，从而补偿梁弹簧常数的温度依赖性，使得所述谐振器的有效弹簧常数在工作温度范围内基本上保持恒定。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101946400A
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200880127024.6
申请日：2008-11-26
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: H03H9/02244 , B81B3/007 , B81B3/0072 , B81B2201/0271 , B81B2203/0109 , B81B2203/0163 , H03H3/0076 , H03H9/02338 , H03H2009/0233 , H03H2009/02496 , H03H2009/02503
Abstract: 本发明提供一种微机电谐振器，所述微机电谐振器可以包括以体模式振动并且包括分别具有密度的第一多个区域以及分别具有密度的第二多个区域的一个或者多个谐振器块，所述第二多个区域中的每一个区域的所述密度与所述第一多个区域中的每一个区域的所述密度不同。可以将所述第二多个区域设置成非均匀结构。所述振动可以包括第一状态，在所述第一状态下，所述谐振器块至少部分沿第一和/或第二方向收缩，并且至少部分沿第三和/或第四方向膨胀，所述第二方向与所述第一方向相反，所述第四方向与所述第三方向相反。
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公开(公告)号：CN101902210A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200910246822.7
申请日：2009-11-12
Applicant: 微晶公司
CPC classification number: H03H9/1021 , B81B7/007 , B81B2201/0271 , B81B2207/096 , H03H9/02818 , H03H9/02952 , H03H9/0557
Abstract: 本发明涉及一种压电谐振器的封装。本发明涉及一种包括压电谐振器(14)和外壳(10)的组件，所述外壳包括：基座部分(11)，所述谐振器被安装在该基座部分上；从所述基座部分延伸以便至少部分地围绕所述谐振器的壁(12)；以及固定于所述壁以封闭所述外壳的盖体。该基座部分包括主要部分(17)和至少两个导电通孔(16a，16b)。导电通孔通过该基座部分将所述压电谐振器和外部电路电连接，每个导电通孔被绝缘衬层(18)围绕以使得所述通孔与该主要部分(17)绝缘。该基座部分(11)的主要部分(17)被绝缘分隔物(21)分为两部分，如此设置使得该两个导电通孔位于所述分隔物的不同侧。
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公开(公告)号：CN101180794A
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200680017224.7
申请日：2006-03-09
Applicant: 霍尼韦尔国际公司
CPC classification number: B81C1/00142 , B81B2201/0271 , B81C2201/019 , B81C2203/036 , B81C2203/051 , H03H3/0072 , H03H9/2447 , H03H9/462 , Y10T29/49005 , Y10T29/49128 , Y10T29/49155 , Y10T29/49156 , Y10T29/49826 , Y10T29/49861
Abstract: 使用双晶片过程制造单晶硅微机械谐振器的方法，包括绝缘体上硅(SOI)(104)或绝缘基础晶片和谐振器晶片(108)，其中谐振器锚(122，124)、电容气隙(116)、隔离沟(128，130)和校准标记被微机械加工于基础晶片的活性层(114)中；谐振器晶片(124)的活性层直接结合至基础晶片的活性层；除去谐振器晶片的柄层(144)和电介质层(140)；观察窗开口于谐振器晶片的活性层中；使用光致抗蚀剂材料掩蔽谐振器晶片的单晶硅半导体材料活性层；使用硅干燥蚀刻微机械加工技术在谐振器晶片的活性层中机械加工单晶硅谐振器；且随后干燥剥离光致抗蚀剂材料。
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公开(公告)号：CN101111993A
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200680003423.2
申请日：2006-01-19
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H03H9/173 , B81B2201/0271 , B81C1/00476 , H01L21/31111 , H03H3/02 , H03H9/02149 , H03H2003/021 , Y10T29/42
Abstract: 本发明提供一种能够抑制构造体腐蚀的微型机器的制造方法以及微型机器。其特征在于，具有：在基板(11)上构图形成具有含有氟化氢的解离物质的硅氧化物类材料的牺牲层(12)的第一工序；以覆盖牺牲层(12)的状态在上述基板(11)上形成构造体(16)的第二工序；在牺牲层(12)上的构造体(16)上形成到达牺牲层(12)的孔部(18)的第三工序；从孔部(18)只导入氟化氢气体或者只导入氟化氢气体和惰性气体，利用牺牲层(12)中的解离物质来进行牺牲层(12)的蚀刻，由此在基板(11)和构造体(16)之间形成振动空间的第四工序。
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公开(公告)号：EP3268305A1
公开(公告)日：2018-01-17
申请号：EP16711347.1
申请日：2016-03-07
Applicant: Murata Manufacturing Co., Ltd.
Inventor： LIUKKU, Matti , RUOHIO, Jaakko , VESTERINEN, Hannu
IPC: B81B3/00 , G01P15/125 , H01G5/14
CPC classification number: B81B3/0045 , B81B3/0056 , B81B3/0086 , B81B2201/0221 , B81B2201/0271 , G01P15/125 , G01P2015/0814 , H01G5/14
Abstract: A MEMS structure that provides an improved way to selectively control electromechanical properties of a MEMS device with an applied voltage. The MEMS structure includes a capacitor element that comprises at least one stator element, and at least one rotor element suspended for motion parallel to a first direction in relation to the stator element. The stator element and the rotor element form at least one capacitor element, the capacitance of which varies according to displacement of the rotor element from an initial position. The stator element and the rotor element are mutually oriented such that in at least one range of displacements of the rotor element from an initial position, the second derivative of the capacitance with respect to the displacement has negative values.
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