公开(公告)号：EP1590644A1

公开(公告)日：2005-11-02

申请号：EP03753322.1

申请日：2003-09-23

Applicant: ROBERT BOSCH GMBH

Inventor： LUTZ, Markus ,  FISCHER, Frank

IPC: G01L9/00 ,  H01L41/00 ,  H01L21/20

CPC classification number: G01L9/0042 ,  B81B3/0081 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/032 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0384 ,  B81C2201/0108

Abstract: An epitaxial layer (3, 5) is deposited on a substrate (1) with adjacently grown mono- and poly-crystalline silicon. A region (5, 6) is exposed as a vertically displaceable polycrystalline membrane, in particular for a pressure sensor, by means of etching. The poly/mono transition regions to both sides of the membrane each have an inclined profile such that the mono-crystalline silicon extends over the polycrystalline silicon in the form of a overhang (6) in the membrane region (5, 6). Piezoelements (10) are implanted in the overhang (6).

公开(公告)号：EP0955668B1

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：EP99109110.9

申请日：1999-05-07

Applicant: Rockwell Science Center, LLC

Inventor： Yao, Jun J. ,  Anderson, Robert J.

IPC: H01L21/00 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00484 ,  B81B2203/0118 ,  B81C2201/0108 ,  B81C2201/014 ,  B81C2201/019

公开(公告)号：EP1454349A2

公开(公告)日：2004-09-08

申请号：EP02793902.4

申请日：2002-11-08

Applicant: Coventor, Incorporated ,  Turnstone Systems Inc.

Inventor： CUNNINGHAM, Shawn, J. ,  TATIC-LUCIC, Sveltana

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/4763 ,  H01P1/10 ,  H01H57/00 ,  H02B1/00

CPC classification number: B81B3/0024 ,  B81B3/0051 ,  B81B2201/014 ,  B81B2201/018 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/04 ,  B81B2207/07 ,  B81C1/0015 ,  B81C2201/0107 ,  B81C2201/0108 ,  B81C2201/0109 ,  H01H1/04 ,  H01H1/504 ,  H01H59/0009 ,  H01H61/04 ,  H01H2001/0042 ,  H01H2001/0063 ,  H01H2001/0089 ,  H01H2059/0072 ,  H01H2061/006 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/522 ,  H01L27/1203 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H02N1/006 ,  H02N10/00 ,  Y10T29/49222 ,  H01L2924/00

Abstract: A method for fabricating a trilayered beam MEMS device includes depositing a sacrificial layer (310) on a substrate and depositing and removing a portion of a first conductive layer on the sacrificial layer (310) to form a first conductive microstructure (312); depositing a structural layer (322) on the first conductive microstructure (312); the sacrificial layer (310), and the substrate (300) and forming a via through the structural layer (322) to the first conductive microstructure (312); depositing a second conductive layer (336) on the structural layer (322) and in the via; forming a second conductive microstructure (324) by removing a portion of the second conductive layer (336), wherein the second conductive microstructure (324) electrically communicates with the first conductive microstructure (312) through the via; and removing a sufficient amount of the sacrificial layer (310) so as to separate the first conductive microstructure (312) from the substrate, wherein the structural layer (322) is supported by the substrate at a first end is freely suspended above the substrate at an opposing second end.

公开(公告)号：EP1454333A1

公开(公告)日：2004-09-08

申请号：EP02797085.4

申请日：2002-11-08

Applicant: Conventor, Incorporated ,  Turnstone Systems Inc.

Inventor： CUNNINGHAM, Shawn, J. ,  DEREUS, Dana, R. ,  Sett, Subham ,  TATIC-LUCIC, Svetlana

IPC: H01H57/00

CPC classification number: B81B3/0024 ,  B81B3/0051 ,  B81B2201/014 ,  B81B2201/018 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/04 ,  B81B2207/07 ,  B81C1/0015 ,  B81C2201/0107 ,  B81C2201/0108 ,  B81C2201/0109 ,  H01H1/04 ,  H01H1/504 ,  H01H59/0009 ,  H01H61/04 ,  H01H2001/0042 ,  H01H2001/0063 ,  H01H2001/0089 ,  H01H2059/0072 ,  H01H2061/006 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/522 ,  H01L27/1203 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H02N1/006 ,  H02N10/00 ,  Y10T29/49222 ,  H01L2924/00

Abstract: A movable, trilayered microcomponent (108) suspended over a substrate (102) is provided and includes a first electrically conductive layer (116) patterned to define a movable electrode (114). The first metal layer (116) is separated from the substrate (102) by a gap. The microcomponent (108) further includes a dielectric layer formed (112) on the first metal layer (116) and having an end fixed with respect to the substrate (102). Furthermore, the microcomponent (102) includes a second electrically conductive layer (120) formed on the dielectric layer (112) and patterned to define an electrode interconnect (124) for electrically communicating with the movable electrode (114).

公开(公告)号：KR1020150135287A

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：KR1020157026106

申请日：2014-03-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스기타,깃페이 ,  하시모토,히로유키

IPC: B81C1/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: B81C1/00047 ,  B81C2201/0104 ,  B81C2201/0108 ,  B81C2201/0132 ,  B82Y40/00

Abstract: 오목형상을포함하는하부구조체(30)가준비되고, 증착중합법에의해, 상기하부구조체위에유기막으로이루어지는희생막(40)을퇴적시켜, 상기오목형상이상기희생막으로매립되고, 상기희생막의불필요부분이제거되고, 불필요부분이제거된상기희생막위에상부구조체(50)가형성되고, 상기희생막을제거하여, 상기하부구조체와상기상부구조체의사이에공극을형성함으로써, 중공구조체가제조된다.

公开(公告)号：KR1020150131246A

公开(公告)日：2015-11-24

申请号：KR1020157029099

申请日：2014-03-03

Applicant: 스냅트랙, 인코포레이티드

Inventor： 브로스니한,티모시제이. ,  빌라리얼,자비어 ,  징그라스,마이클앤드류

IPC: G02B26/02 ,  G02B5/00 ,  B29D11/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: G02B5/005 ,  B29D11/0074 ,  B81C1/00317 ,  B81C2201/0108 ,  G02B26/023

Abstract: 본개시내용은이미지들을디스플레이하기위한시스템들, 방법들및 장치를제공한다. 하나의이러한장치는기판에커플링된디스플레이엘리먼트들의어레이및 디스플레이엘리먼트의어레이위에부유되는고가어퍼처층(EAL: elevated aperture layer)을포함한다. EAL은기판에커플링되며, 디스플레이엘리먼트들각각에대하여, 광의통로가 EAL을관통하도록하기위한적어도하나의어퍼처를포함한다. 이러한장치를제조하는방법은 EAL을통해에칭홀을형성한는단계, 적어도부분적으로승화가능한희생몰드를사용하는단계, 2-페이즈릴리스프로세스를사용하는단계, 및희생몰드의일부분이장치의부분들을둘러싸면서유지되도록장치를릴리스하는단계중 적어도하나를포함한다.

公开(公告)号：KR1020140126696A

公开(公告)日：2014-10-31

申请号：KR1020147018512

申请日：2012-12-06

Applicant: 조지아 테크 리서치 코오포레이션

Inventor： 콜,폴,에이. ,  사하,라자쉬 ,  프리츠,네이던

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/56

CPC classification number: B81C1/00261 ,  B81B3/0018 ,  B81C1/00333 ,  B81C2201/0108 ,  B81C2203/0154

Abstract: 상품, 리드-프레임 패키징이 이용될 수 있도록, 웨이퍼 형태인 경우 MEMS 장치의 가동부는 캡슐화되고 보호된다. 에폭시시클로헥실 다면체 올리고머 실세스퀴옥산(EPOSS)과 같은 오버코트 중합체는 희생 중합체를 패터닝할 뿐만 아니라 에어-캐비티를 오버코트하는 마스크 물질로서 이용되었다. 결과의 에어-캐비티는 깨끗하고, 데브리-프리(debris-free)이며 단단하다. 상기 캐비티는 MEMS 장치의 리드-프레임 패키징 동안 성형 압력을 견딜 수 있는 실질적 강도를 가진다. 20 pm × 400 pm 내지 300 ㎛ × 400 um 의 광범위한 캐비티가 제조되었고, 기계적으로 안정한 것으로 나타났다. 이들은 광범위한 크기로 MEMS 장치를 잠재적으로 수용할 수 있다. 상기 캐비티의 강도는 나노-압흔을 이용하여 조사되었고, 분석적 및 유한 요소 기법을 이용하여 모델링되었다. 이런 프로토콜을 이용하여 패키지된 용량성 공진기는 깨끗한 감지 전극 및 우수한 기능성을 나타냈다.

公开(公告)号：KR1020050026560A

公开(公告)日：2005-03-15

申请号：KR1020057001834

申请日：2003-07-31

Applicant: 가부시키가이샤 니콘

Inventor： 이시즈야도루

IPC: B81B7/04 ,  G02B26/08 ,  B81C1/00 ,  G02B26/02

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81C2201/0108 ,  G02B6/3518 ,  G02B6/3546 ,  G02B6/3572 ,  G02B6/3584 ,  G02B6/3596 ,  Y10S438/926

Abstract: A three-dimensional structure element having a plurality of three-dimensional structural bodies and capable of being uniformly formed without producing a dispersion in shape of the three-dimensional structural bodies, comprising a substrate (11) and the three-dimensional structural bodies (1) disposed in a predetermined effective area (20) on the substrate (11), the three-dimensional structural bodies (1) further comprising space parts formed in the clearances thereof from the substrate (11) by removing sacrificing layers, the substrate (11) further comprising a dummy area (21) having dummy structural bodies (33) so as to surround the effective area (20), the dummy structural body (33) further comprising space parts formed in the clearances thereof from the substrate (11) by removing the sacrificing layers, whereby since the dummy area (21) is heated merely to approx. the same temperature as the effective area (20) in an ashing process for removing the sacrificing layers to prevent a temperature distribution from occurring in the effective area (20).

Abstract translation: 一种具有多个三维结构体并能够均匀形成而不产生三维结构体形状分散的三维结构元件，包括基底（11）和三维结构体（1） ），所述三维结构体（1）还包括通过去除牺牲层从所述基板（11）形成在其间隙中的空间部分，所述基板（11）被布置在所述基板（11）上的预定有效区域（20） ）还包括具有虚拟结构体（33）以围绕所述有效区域（20）的虚拟区域（21），所述虚拟结构体（33）还包括通过所述基板（11）从所述基板（11）的间隙形成的空间部分， 去除牺牲层，由此由于虚拟区域（21）被加热到约 在用于去除牺牲层的灰化过程中与有效区域（20）相同的温度以防止在有效区域（20）中发生温度分布。

公开(公告)号：KR101032670B1

公开(公告)日：2011-05-06

申请号：KR1020057007472

申请日：2003-10-31

Applicant: 조지아 테크 리서치 코오포레이션

Inventor： 콜,폴에이 ,  알렌,수안비드스트럽 ,  헨더슨,클리포드리 ,  자야찬드란,조셉폴 ,  리이드,홀리에 ,  화이트,켈레스타이

IPC: G03F7/004

CPC classification number: B81C1/00476 ,  B81C2201/0108 ,  H01L21/7682 ,  Y10S430/114

Abstract: 중합체, 그의 사용 방법 및 그의 분해 방법이 개시된다. 그중 중합체의 일례는 희생 중합체 및 광산 발생제를 함유하는 조성물을 포함한다.
희생 중합체, 분해, 광산 발생제

公开(公告)号：KR100865911B1

公开(公告)日：2008-10-29

申请号：KR1020070011531

申请日：2007-02-05

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 송준태 ,  황현석

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00944 ,  B81C2201/0108

Abstract: 본 발명은 미세 구조물 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 초소형 정밀기계(Micro Electro Mechanical System, MEMS)의 구조물 제조방법에 있어서, 실리콘 기판위에 희생층 물질을 도포하여 패터닝(patterning)하고, 상기 희생층 물질과 동일한 물질의 포스트를 형성하는 공정을 포함하는 제조방법을 제공함으로써, 미세 구조물 제조 시 점착을 미연에 방지하며, 1번의 공정만을 추가하여 간편하게 포스트를 제조할 수 있고, 희생층 물질로 포토레지스트를 사용하기 때문에 원하는 형태의 희생층을 쉽게 제작할 수 있는 등의 효과가 있다.
미세 구조물, 초소형 정밀기계(Micro Electro Mechanical System, MEMS), 포스트(post), 포토레지스트