公开(公告)号：WO2010141836A2

公开(公告)日：2010-12-09

申请号：PCT/US2010/037428

申请日：2010-06-04

Applicant: NORTHWESTERN UNIVERSITY ,  MIRKIN, Chad, A. ,  SHIM, Wooyoung ,  BRAUNSCHWEIG, Adam, B. ,  LIAO, Xing ,  CHAI, Jinan ,  LIM, Jong, Kuk ,  ZHENG, Gengfeng ,  ZHENG, Zijian

Inventor： MIRKIN, Chad, A. ,  SHIM, Wooyoung ,  BRAUNSCHWEIG, Adam, B. ,  LIAO, Xing ,  CHAI, Jinan ,  LIM, Jong, Kuk ,  ZHENG, Gengfeng ,  ZHENG, Zijian

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/0002 ,  B81B2203/0361 ,  B81B2207/056 ,  B81C1/00111 ,  B81C1/0046 ,  B81C2201/0154 ,  B81C2201/0185 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  Y10S977/732

Abstract: Disclosed are methods of lithography using a tip array having a plurality of pens attached to a backing layer, where the tips can comprise a metal, metalloid, and/or semi-conducting material, and the backing layer can comprise an elastomeric polymer. The tip array can be used to perform a lithography process in which the tips are coated with an ink (e.g., a patterning composition) that is deposited onto a substrate upon contact of the tip with the substrate surface. The tips can be easily leveled onto a substrate and the leveling can be monitored optically by a change in light reflection of the backing layer and/or near the vicinity of the tips upon contact of the tip to the substrate surface.

Abstract translation: 公开了使用具有连接到背衬层的多个笔的尖端阵列的光刻方法，其中尖端可以包括金属，准金属和/或半导电材料，并且背衬层可以包括弹性体聚合物。 尖端阵列可用于执行光刻工艺，其中尖端涂覆有当尖端与衬底表面接触时沉积到衬底上的油墨（例如，图案化组合物）。 尖端可以容易地平整到基底上，并且可以通过背衬层的光反射的变化和/或在尖端与基底表面接触时靠近尖端附近来光学地监测流平。

公开(公告)号：WO2010061378A2

公开(公告)日：2010-06-03

申请号：PCT/IL2009/001026

申请日：2009-11-03

Applicant: YEDA RESEARCH AND DEVELOPMENT COMPANY LTD. ,  NAAMAN, Ron ,  BARDEA, Amos ,  YOFFE, Alexander

Inventor： NAAMAN, Ron ,  BARDEA, Amos ,  YOFFE, Alexander

IPC: B81C1/00

CPC classification number: C12M23/06 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0154 ,  B81C2201/0198 ,  C12M27/00 ,  H01F41/16

Abstract: The present invention relates to a method and apparatus for patterning a substrate. The method comprises providing at least one magnetic pattern generator configured and operable to modulate the magnetic field to induce varying magnetic properties to a magnetic field according to a desired pattern; applying the modulated magnetic field in the vicinity of the substrate creating a certain pattern of regions of interaction to be obtained on top of the substrate; and; interacting the substrate with magnetic particles, while under the application of the modulated magnetic field, the magnetic particles being attracted to selected regions of interaction defined by the certain pattern while being substantially not attracted to regions outside the regions of interaction, thus creating on top of the substrate the certain pattern of regions interacted with the magnetic particles. The desired pattern corresponds to a certain pattern for a predetermined magnetic field profile and at a predetermined distance from the magnetic pattern generator, where the sample is to be located.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于图案化衬底的方法和装置。 该方法包括提供至少一个磁图案发生器，其被配置和可操作以根据期望的图案调制磁场以对磁场引起变化的磁特性; 将调制的磁场施加在衬底附近，产生在衬底的顶部上获得的相互作用区域的特定图案; 和; 在将基底与磁性颗粒相互作用的同时，在调制磁场的应用下，磁性颗粒被吸引到由特定图案定义的相互作用区域之间，同时基本上不被吸引到相互作用区域之外的区域，从而在 基板的某些图案区域与磁性颗粒相互作用。 期望的图案对应于预定磁场分布的特定图案，并且距离磁图案发生器预定距离处，其中样本将被定位。

公开(公告)号：WO2008152151A2

公开(公告)日：2008-12-18

申请号：PCT/EP2008057579

申请日：2008-06-16

Applicant: X FAB SEMICONDUCTOR FOUNDRIES ,  KNECHTEL ROY

Inventor： KNECHTEL ROY

IPC: B81C1/00

CPC classification number: C23C16/042 ,  B81C1/0038 ,  B81C2201/0154 ,  B81C2201/038 ,  C23C14/042 ,  H01L23/544 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: The invention relates to a method and a through-vapor mask for depositing layers in a structured manner by means of a specially designed coating mask (1) which has structures (4) that accurately fit into complementary alignment structures (5) of the microsystem wafer (2) to be coated (8) in a structured manner such that the mask and the wafer can be accurately aligned relative to one another. Very precisely defined areas on the microsystem wafer are coated (8) through holes (7, 7') in the coating mask, e.g. by means of sputtering, CVD, or evaporation processes.

Abstract translation: 本发明描述了一个过程，用于与专门设计的涂层掩模（1）结构化的层沉积的蒸气渗透掩模，所述结构（4），其紧密地配合到互补调整结构（5）的图案化，以被涂覆（8）微系统技术晶片（2）设置，所以 该掩模和晶片可以精确地彼此对齐。 通过在涂层掩模孔（7,7“）非常精确限定的区域可以通过溅射，CVD或蒸发方法来涂覆到微系统技术晶片（8），例如。

公开(公告)号：WO2007106911A2

公开(公告)日：2007-09-20

申请号：PCT/US2007064132

申请日：2007-03-16

Applicant: UNIV ILLINOIS ,  RAPAKA VENKATA K ,  FANG NICHOLAS X ,  FERREIRA PLACID M ,  HSU KENG HAO ,  SCHULTZ PETER L

Inventor： FANG NICHOLAS X ,  FERREIRA PLACID M ,  HSU KENG HAO ,  SCHULTZ PETER L

IPC: C25D5/02

CPC classification number: C25D5/02 ,  B23H3/00 ,  B23H3/04 ,  B81C1/0046 ,  B81C2201/0154 ,  B82Y30/00 ,  C25D17/002 ,  C25D17/005 ,  C25D17/007 ,  C25F3/14 ,  G01Q80/00 ,  H01L21/32134

Abstract: The present invention provides an electrochemical fabrication platform for making structures, arrays of structures and functional devices having selected anodized and/or microsized physical dimensions, shapes and spatial orientations. Methods, systems and system components of the present invention use an electrochemical stamping tool for generating patterns of relief and/or recessed features exhibiting excellent reproducibility, pattern fidelity and resolution on surfaces of solid state ionic conductors and in metal. Electrochemical stamping tools of the present invention are capable high throughput patterning of large substrate areas and, thus, enable a robust and commercially attractive manufacturing pathway to a range of functional systems and devices including nano- and micro-electromechanical systems, sensors, energy storage devices and integrated electronic circuits.

Abstract translation: 本发明提供一种电化学制造平台，用于制造具有所选阳极氧化和/或微尺寸物理尺寸，形状和空间取向的结构，结构阵列和功能装置。 本发明的方法，系统和系统组件使用电化学冲压工具来产生在固态离子导体和金属表面上表现出优异的再现性，图案保真度和分辨率的浮雕和/或凹陷特征图案。 本发明的电化学冲压工具能够实现大面积基板区域的高通量图案化，并且因此能够实现一系列功能系统和设备的强大且商业上有吸引力的制造途径，包括纳米和微机电系统，传感器，储能装置 和集成电子电路。

公开(公告)号：TW200914366A

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：TW097104876

申请日：2008-02-12

Applicant: 日東電工股份有限公司 NITTO DENKO CORPORATION

Inventor： 前野洋平 MAENO, YOUHEI ,  吉田良德 YOSHIDA, YOSHINORI ,  菅生悠樹 SUGO, YUKI

IPC: B82B

CPC classification number: B81C1/00111 ,  B81C2201/0154 ,  C09J7/00 ,  C09J2201/626

Abstract: 本發明提供一種簡便且易於人工製造如下構造體之方法,該構造體係模仿壁虎腳掌上可見之具有微細兩段階層之構造體。具有兩段階層之柱狀構造體之製造方法包括以下步驟:(1)於基材上多孔膜之孔內填充樹脂之步驟;(2)使該樹脂硬化而形成柱狀構造部之步驟;(3)對該柱狀構造部之端部進行電漿蝕刻處理,形成具有兩段階層之柱狀構造部之步驟;以及(4)自該基材除去該多孔膜之步驟。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种简便且易于人工制造如下构造体之方法,该构造体系模仿壁虎脚掌上可见之具有微细两段阶层之构造体。具有两段阶层之柱状构造体之制造方法包括以下步骤:(1)于基材上多孔膜之孔内填充树脂之步骤;(2)使该树脂硬化而形成柱状构造部之步骤;(3)对该柱状构造部之端部进行等离子蚀刻处理,形成具有两段阶层之柱状构造部之步骤;以及(4)自该基材除去该多孔膜之步骤。

公开(公告)号：TWI605009B

公开(公告)日：2017-11-11

申请号：TW105120725

申请日：2016-06-30

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

Inventor： 彭榮輝 ,  PENG, JUNG HUEI ,  朱家驊 ,  CHU, CHIA HUA ,  賴飛龍 ,  LAI, FEI LUNG ,  林詳淇 ,  LIN, SHIANG CHI

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00238 ,  B81B7/0038 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/04 ,  B81B2207/012 ,  B81C1/00285 ,  B81C2201/0125 ,  B81C2201/0154 ,  B81C2201/019 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/035 ,  B81C2203/0792

公开(公告)号：TW201713589A

公开(公告)日：2017-04-16

申请号：TW105120725

申请日：2016-06-30

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

Inventor： 彭榮輝 ,  PENG, JUNG HUEI ,  朱家驊 ,  CHU, CHIA HUA ,  賴飛龍 ,  LAI, FEI LUNG ,  林詳淇 ,  LIN, SHIANG CHI

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00238 ,  B81B7/0038 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/04 ,  B81B2207/012 ,  B81C1/00285 ,  B81C2201/0125 ,  B81C2201/0154 ,  B81C2201/019 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/035 ,  B81C2203/0792

Abstract: 本揭露提供一種互補金屬氧化物半導體(CMOS)結構，其包括一基板、該基板上方之一金屬化物層、該金屬化物層上方之一感測結構及鄰近於該感測結構之一訊號傳輸結構。該感測結構包括該金屬化物層上方之一除氣層、該除氣層上方之一經圖案化除氣阻障，及該經圖案化除氣阻障上方之一電極。該訊號傳輸結構電耦接該電極及該金屬化物層。

Abstract in simplified Chinese: 本揭露提供一种互补金属氧化物半导体(CMOS)结构，其包括一基板、该基板上方之一金属化物层、该金属化物层上方之一传感结构及邻近于该传感结构之一信号传输结构。该传感结构包括该金属化物层上方之一除气层、该除气层上方之一经图案化除气阻障，及该经图案化除气阻障上方之一电极。该信号传输结构电耦接该电极及该金属化物层。

公开(公告)号：TW201133970A

公开(公告)日：2011-10-01

申请号：TW099131967

申请日：2010-09-21

Applicant: 法國原子能和替代能源委員會

Inventor： 班瓦地 摩哈瑪

IPC: H01L ,  B81C

CPC classification number: H01L51/0004 ,  B81C1/00492 ,  B81C2201/0154 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/5012

Abstract: 一種在支撐物1的頂表面上產生至少一個圖案的方法,該支撐物1是由有第一熱導電率的材料所製造,該方法包含:配置光罩7的步驟,該光罩7由有第二熱導電率的材料所製造且包含至少一個凹部8(其具有對應於圖案的形狀),使光罩接觸支撐物1的底部表面,在整個方法期間,第一導電率比上第二導電率的比率大於或等於2、或小於或等於1/2。該方法更進一步地包含:在頂表面上沉積溶液的步驟,該溶液包含經設計以形成圖案的材料,以及揮發溶液的步驟。

Abstract in simplified Chinese: 一种在支撑物1的顶表面上产生至少一个图案的方法,该支撑物1是由有第一热导电率的材料所制造,该方法包含:配置光罩7的步骤,该光罩7由有第二热导电率的材料所制造且包含至少一个凹部8(其具有对应于图案的形状),使光罩接触支撑物1的底部表面,在整个方法期间,第一导电率比上第二导电率的比率大于或等于2、或小于或等于1/2。该方法更进一步地包含:在顶表面上沉积溶液的步骤,该溶液包含经设计以形成图案的材料,以及挥发溶液的步骤。