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公开(公告)号：KR101012091B1
公开(公告)日：2011-02-07
申请号：KR1020080121295
申请日：2008-12-02
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 (1) 세라믹 몸체의 표면에 화학반응을 일으켜 반응 잔류물을 포함하는 표면층을 형성하는 단계; (2) 상기 세라믹 몸체의 표면층에 포함된 반응 잔류물을 제거하여 불규칙한 요철 모양의 표면층을 형성시키는 단계; 및 (3) 상기 불규칙한 요철 모양의 표면층에 다이아몬드막을 증착시키는 단계를 포함하는, 다이아몬드막이 코팅된 세라믹 몸체의 제조방법에 관한 것이다.
다이아몬드막, 표면 화학반응, 불규칙한 요철 모양, 식각, 증착-
公开(公告)号：KR100960595B1
公开(公告)日：2010-06-07
申请号：KR1020080061513
申请日：2008-06-27
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/20
CPC classification number: C30B29/16 , C23C16/407 , C30B25/02 , C30B28/12
Abstract: 본 발명은 박막 상에서의 표면 입자크기 및 표면 거칠기를 향상시켜 캐리어 이동도 특성 및 광산란 효과를 개선할 수 있는 박막 성장방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 박막 성장방법은 기판 상에 다양한 결정 성장방향을 갖는 결정입자들의 핵이 형성되는 제 1 단계와, 상기 다양한 결정 성장방향을 갖는 결정입자들 중 제 1 결정 성장방향을 갖는 제 1 결정입자들의 우선 성장을 유도하여, 우선 성장된 제 1 결정입자들로 이루어진 제 1 집합조직을 형성하는 제 2 단계 및 상기 다양한 결정 성장방향을 갖는 결정입자들 중 제 2 결정 성장방향을 갖는 제 2 결정입자들의 우선 성장을 유도하여, 우선 성장된 제 2 결정입자들로 이루어진 제 2 집합조직을 형성하는 제 3 단계를 포함하여 이루어지며, 상기 제 2 집합조직을 구성하는 제 2 결정입자 각각의 표면 면적은 상기 제 1 집합조직을 구성하는 제 1 결정입자 각각의 표면 면적보다 큰 것을 특징으로 한다.
우선성장, 선택성장, 성장방향제어-
公开(公告)号：KR1020100042948A
公开(公告)日：2010-04-27
申请号：KR1020080102175
申请日：2008-10-17
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/31
Abstract: PURPOSE: A device with improved adhesive force between a diamond layer and a metal electrode layer under a high temperature oxidation atmosphere is provided to use a material from metal to oxide by maintaining the junction between diamond and metal electrodes. CONSTITUTION: A device comprises a diamond layer, a metal electrode layer and a buffer layer. The buffer layer is positioned between the diamond layer and the metal electrode layer. The buffer layer includes a layer repeatedly stacked with the layer selected from a group comprised of a (Me-N) layer, a (Si-N) layer, a (Me-Si-N) layer, a (B-N) layer, and a (Me-Si-N) layer.
Abstract translation: 目的：提供一种在高温氧化气氛下在金刚石层和金属电极层之间具有改善的粘合力的装置，以通过维持金刚石和金属电极之间的接合来使用金属与氧化物的材料。 构成：装置包括金刚石层，金属电极层和缓冲层。 缓冲层位于金刚石层和金属电极层之间。 缓冲层包括与由（Me-N）层，（Si-N）层，（Me-Si-N）层，（BN）层和 （Me-Si-N）层。
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114.发明授权양광주가 존재하지 않는 직류 전원 플라스마 증착 장치와,양광주를 배제한 상태에서의 물질 증착 방법 및 이에 의해제조된 다이아몬드 박막 有权DC等离子体辅助化学气相沉积装置，没有一个积极的柱，在一个正极柱和一个金刚石薄层的存在下沉积材料的方法
公开(公告)号：KR100924287B1
公开(公告)日：2009-10-30
申请号：KR1020070045695
申请日：2007-05-10
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: C23C16/503 , C23C16/272 , Y10T428/268
Abstract: 본 발명은 양광주가 존재하지 않는 직류 전원 플라스마 증착 장치와, 양광주를 배제한 상태에서의 물질 증착 방법 및 이에 의해 제조된 다이아몬드 박막에 관한 것이다. 본 발명은 반응 챔버 내에 서로 대향하도록 설치된 음극과 양극 사이에 직류 전압을 인가하여 전극 간 공간에 방전을 개시하고 반응 가스를 도입하여, 양극에 장착되어 양극 역할을 겸하는 기판의 표면에 물질을 증착함에 있어, 음극 글로우 및 양극 글로우가 각각 음극 및 기판 표면을 피복하는 박층 형태로 존재하는 반면, 양광주 (positive column)는 존재하지 않거나 무시할 수 있을 정도로 작은 상태에서 물질을 증착하는 것을 특징으로 하는 양광주를 배제한 상태에서의 물질 증착 방법을 제공한다. 본 방법에 의해 제조된 다이아몬드 박막은 균일하고 불순물을 포함하지 않으며 결정질이 우수한 특성을 지닌다.
양광주, 직류 전원, 플라스마, 다이아몬드 박막, 글로우-
公开(公告)号：KR100922543B1
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：KR1020070093541
申请日：2007-09-14
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: C23C16/277 , B82Y30/00 , C23C16/271 , C23C16/279
Abstract: 본 발명은 나노 결정질 다이아몬드 박막 중의 비정상 거대 입자 (abnormal large grain)의 개재를 방지하는 방법에 관한 것으로서, 본 발명의 방법은 열 필라멘트 시브이디 공정으로 나노 결정질 다이아몬드 박막을 증착함에 있어 부적절한 공정제어로 인해 야기될 수 있는 비정상 거대 입자의 개재를 방지할 수 있게 해줌으로써, 비정상 거대 입자의 개재로 인해 야기될 수 있는 각종 응용분야에서의 문제점들을 미연에 방지할 수 있게 해준다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020090094631A
公开(公告)日：2009-09-08
申请号：KR1020080019699
申请日：2008-03-03
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: G01N27/4145 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: A biosensor device and manufacturing method thereof are provided to improve lifetime, repeatability, and stability of sensor. A biosensor device comprises: a gate electrode (6) which is made of a diamond thin film; a gate insulating layer (5) which is made at lower part of gate electrode; a channel layer (2) which is made on semiconductor substrate of the lower portion of insulating layer; and a source/drain area (3, 4) which is made on the semiconductor substrate of both sides of gate electrode.
Abstract translation: 提供了一种生物传感器装置及其制造方法，以提高传感器的寿命，重复性和稳定性。 生物传感器装置包括：由金刚石薄膜制成的栅电极（6）; 栅极绝缘层（5），其形成在栅电极的下部; 沟道层（2），其形成在绝缘层下部的半导体衬底上; 以及在栅电极的两侧的半导体衬底上制成的源/漏区（3,4）。
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公开(公告)号：KR1020090050484A
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：KR1020070116932
申请日：2007-11-15
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/3497 , H01J37/3435
Abstract: 본 발명은 플라스마 증착 장치 및 방법에 관한 것으로, 직류 전원(방전) 플라스마 증착 공정에 의해 다이아몬드를 비롯한 물질을 증착함에 있어 고융점 금속재질의 음극표면에 균열을 생기는 현상을 방지하며, 실리콘 등의 반도체 기판을 사용할 경우 반도체 기판의 손상을 방지하여 균일하고 손상이 없는 상태로 박막을 증착할 수 있는 이점이 있다.
플라스마 증착, 박막 증착, 힛업(heatup)Abstract translation: 本发明涉及一种等离子沉积装置和方法，一个DC电源（放电）从它的负电极表面上产生的裂纹的高熔点金属材料为包括通过等离子体沉积工艺金刚石的沉积材料防止，以及半导体诸如硅 当使用衬底时，具有能够防止半导体衬底受损并且可以以均匀且未受损的状态沉积薄膜的优点。
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公开(公告)号：KR1020090028169A
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：KR1020070093541
申请日：2007-09-14
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: C23C16/277 , B82Y30/00 , C23C16/271 , C23C16/279
Abstract: A method for preventing the abnormal large grain inclusion in the nanocrystalline diamond film is provided to prevent abnormal large grain inclusion from being interposed in the NCD(Nano-Crystalline Diamond) thin film evaporated by the hot filament chemical vapor deposition. In the process of depositing the NCD thin film by using the hot filament chemical vapor deposition process, the interposing of the abnormal large grain inclusion among the NCD thin film is prevented by using one or more among the following method. After the inert material is extended from the substrate to 50 mm over, the temperature of the inert material is measured by a thermocouple. The material having inactive and the high heat conduction is coated on the thermocouple. The contactless temperature measurement means is used.
Abstract translation: 提供了防止纳米晶体金刚石膜中异常大晶粒夹杂的方法，以防止异常的大晶粒夹杂物插入通过热丝化学气相沉积蒸发的NCD（纳米结晶金刚石）薄膜中。 在通过使用热丝化学气相沉积工艺沉积NCD薄膜的过程中，通过使用以下方法中的一种或多种来防止NCD薄膜中的异常大晶粒夹杂物的插入。 在将惰性材料从衬底延伸到50mm之后，通过热电偶测量惰性材料的温度。 具有无活性和高热传导的材料涂覆在热电偶上。 使用非接触式温度测量装置。
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公开(公告)号：KR100779740B1
公开(公告)日：2007-11-26
申请号：KR1020050098402
申请日：2005-10-19
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 고온에서 안정적으로 사용가능한 표면 피복용 경질 다층 박막에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 Ti
1-x Al
x N 막층(0≤x≤1, 이하 "TiAlN 막층")과 비정질의 Si-N
막층으로 구성된 박막 단위체를 하나 이상 포함하며, 상기 TiAlN 막층과 상기 비정질의 Si-N
막층이 교대로 적층되어 있는 표면 피복용 박막으로서, 상기 박막 단위체의 두께는 1.3 내지 12 nm이며, 상기 박막 단위체를 구성하는 TiAlN막층의 두께는 1 내지 10 nm이며, 상기 박막 단위체를 구성하는 비정질 Si-N 막층의 두께는 0.3 내지 0.7 nm이며, 상기 TiAlN막층 및 상기 비정질 Si-N 막층은 스퍼터링에 의해 증착된 것을 특징으로 하며, 이와 같은 표면 피복용 경질 다층 박막은 피복층의 경도, 인성(toughness), 내산화성, 열 안정성이 우수하여 절삭공구 및 미세 정밀부품의 표면강도 향상을 위하여 널리 적용될 수 있는 효과가 있다.
경질 다층 박막, TiAlN, 비정질 Si-N, 금속질화물, 경도, 인성, 열 안정성-
公开(公告)号：KR100660479B1
公开(公告)日：2006-12-26
申请号：KR1020040083434
申请日：2004-10-19
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C23C28/00
Abstract: 본 발명은 표면 피복용 경질 다층 박막에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 내산화성 및 열 안정성이 우수한 Ti
x Al
y N (0.2≤y≤1, x+y=1) 막과 경도 및 내산화성이 우수한 크롬질화물(CrN) 막을 각각 한 층씩 포함하는 박막 단위체의 두께를 1 ∼ 20 nm로 형성시키고 상기 박막 단위체들을 적층시켜 전체의 다층 박막의 두께를 0.5 ∼ 10 ㎛로 코팅함으로써 피복층의 경도, 내산화성 및 열 안정성이 우수하여 절삭공구 및 미세 정밀부품의 표면강도 향상을 위하여 널리 적용될 수 있을 뿐만 아니라 집합조직의 방향과 무관하게 TiAlN 막의 알루미늄의 함량 또는 적층되는 상기 박막 단위체의 두께를 조절하여 절삭 공구 및 미세 정밀부품의 물성을 조절할 수 있도록 개선된, 표면 피복용 경질 다층 박막에 관한 것이다.
경질 다층 박막, TiAlN, 금속질화물, 경도, 내산화성, 열 안정성
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