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公开(公告)号：KR1019960026995A
公开(公告)日：1996-07-22
申请号：KR1019940035156
申请日：1994-12-19
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L39/00
Abstract: 본 발명은 새로운 산화물인 양질의 고온초전도 박막과, 전자기파 저역통과 필터의 회로해서 이론과, 전산모 사용 소프트웨어와, 반도체소자의 제조공정을 응용한 포토리소그래픽 및 식각공정을 이용하여 전자기파영역(3~33GH
z )에서도 매우 우수한 성능을 발휘하며, 종래의 소자에 비하여 크기도 상당히 감소시킬 수 있는 마이크로 스트립 방식의 저역통과 필터를 제조하는 방법에 관한 것으로서, 전자기파 저역통과 필터이론과 전산모사로써 최적 저역통과 필터의 패턴을 설계하고 상기 설계된 회로 패턴을 전자시켜서 제조한 전자선- 마스크를 사용하여 포토리소그래픽 공정과 필터 패턴의 예리도를 향상시킬 수 있는 식각공정을 통하여 차단주파수가 8GH
z 인 YBCO/LaAIO
3 /Ti/Ag 구조의 저역통과 필터를 제조할 수 있다.
본 발명에 따른 전자기파용 고온초전도 7-극 저역통과 필터는 RF 및 전자기파 통신시스템에서 사용되는 핵심 부품인 주파수 믹서기를 구성하는 중요소자로서 외부에서 가해주는 바이어스를 제어하거나 또는 특정주파수 이하의 신호만을 통과시키는 전송선소자이며 전자기파 대역용 전류변환 스윗치로서도 효과적이다.
또한 본 발명에 따라 제조된 전자기파용 고온초전도 7-극 저역통과 필터는 무손실, 무분산으로 대용량 정보처리가 가능하고 마이크로 스트립 형태의 전송선 소자이므로 제조하는 것이 간단하고, 종래의 3-극, 5-극 저역통과 필터보다 패턴의 크기(1.5㎝×1,5㎝)는 약간 크지만 시뮬레이션의 결과와 상당히 일치하며, 특히 차단주파수 이상에서 입력신호에 대한 저지대역의 가파름(steepness) 특성이 매우 우수하고, 통과대역은 0.5dB(77K) 이내의 삽입손실과 매우 평탄함(flatness)을 가지게 된다.-
公开(公告)号：KR1019960019823A
公开(公告)日：1996-06-17
申请号：KR1019940030105
申请日：1994-11-16
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L39/24
Abstract: 본 발명은 마이크로파 통신 시스템에 사용되는 핵심소자인 대역통과 필터의 일종이며, 새로운 산화물 재료인 고온 초전도체의 박막과 필터의 설계이론 중 평행결합선 방식을 채택한 4-극 대역통과 필터로서, 마이크로파 영역(3∼33GHz)에서의 성능이 매우 우수한 전송선 소자의 제조방법에 관한 것이다.
마이크로파 대역통과 필터 이론과 시뮬레이션으로 최적소자의 패턴을 설계하고, 이를 전사시킨 전자선 마스크를 이용한 포토 리소그래픽 공정과 적절한 식각공정을 통해, YBa
2 Cu
3 O
7-x /Mg0/Ti/Ag 구조의 12GHz용 대역통과필터를 제조하였다.
이러한 본 발명을 이용한 통신부품은 무손실, 무분산으로 신호처리가 가능하고 마이크로스트립 방식의 전송선 소자이므로 제조도 용이하고 간단하다.
또한, 앞서 개발한 2-극 대역통과 필터보다 패턴의 크기는 약간 크지만, 시뮬레이션의 결과와도 잘 일치하고, 특히 입력신호의 통과대역 양단의 저지대역(stop band) 가파르기 특성이 매우 우수하며, 통과대역은 0.5dB 이내의 삽입손실과 매우 평탄함(flatness)을 보여주었다.-
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公开(公告)号：KR1019950021825A
公开(公告)日：1995-07-26
申请号：KR1019930026301
申请日：1993-12-03
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 현재 사용되고 있는 소재와는 전혀 다른 고온 초전도체를 응용하여 정보 통신용 수동소자, 특히 마이크로파 영역에서의 성능이 매우 우수한 평면형 고온초전도 저역통과 필터의 제조방법에 관한 것이다.
고온초전도 에피텍셜박막과 시뮬레이션으로 구한 최적의 회로패턴을 전사시킨 전자선 마스크를 이용한 포토리소그래피공정과 혼합식각공정을 통해, YBa
2 Cu
3 O
7-8 /LaAlO
3 /Cr/Cu/Au구조의 마이크로파(5GHz)저역통과 필터를 제조한다.
본 발명에 따라 제조된 소자의 저온 마이크로파 특성측정을 통해 고온초전도체의 마이크로파 응용가능성과, 저온(77K근방)에서는 기존의 금속박막형 마이크로파 수동소자보다 성능이 우수함을 확인하였다.
고온초전도 박막의 제조에서부터 마이크로파 저역통과 필터를 구현하기까지는 복잡하고 다양한 공정들을 거치게 되지만 이러한 공정들을 통해 기판위에 형상화하는 회로패턴의 정밀도 및 예리도를 휠씬 높일 수 있게 된다.-
公开(公告)号：KR1019950001621B1
公开(公告)日：1995-02-27
申请号：KR1019910025369
申请日：1991-12-30
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L39/02
Abstract: The method for being applicable to manufacture the high temp. super conducting passive device or thin film type antenna includes the steps of: (a) designing the microwave housing with the high frequency design system; (b) patterning the resonator with optimal size by depositing the high. temp. super conducting thin film on the dielectric single crystal (MgO,LaAlO) in vacuum; and (c) inserting the resonator into the housing to form the high frequency jig.
Abstract translation: 适用于制造高温的方法 超导无源器件或薄膜型天线包括以下步骤：（a）利用高频设计系统设计微波外壳; （b）通过沉积高分辨率来构图最佳尺寸的谐振器。 温度。 在真空中电介质单晶（MgO，LaAlO）上的超导薄膜; 和（c）将谐振器插入壳体中以形成高频夹具。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019940017120A
公开(公告)日：1994-07-25
申请号：KR1019920025028
申请日：1992-12-22
IPC: H03H3/00
Abstract: 본 발명은 수 GHz이상의 고주파대역에서 사용되는 이동통신 및 위성통신 시스템에서의 불필요한 잡음(nose)을 제거할 수 있고, 손실 특성들의 향상된 고온초전도 고주파 공진기의 제조방법에 관한것으로, 특히 임계온도(T
c )이하에서는 전기 저항이 없어지는 고온초전도 박막을 이용하고 소장의 구조는 고리형(ring type)으로 함으로써 경박단소화와 저온 고주파 특성을 향상시킬 수 있도록 하는 통신용 고주파 고리형 공진기(Ring resonator)의 제조방법에 관한것이다.-
公开(公告)号：KR1019940016981A
公开(公告)日：1994-07-25
申请号：KR1019920025339
申请日：1992-12-24
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L39/00
Abstract: 본 발명은 이동통신 및 위성통신용 고주파 수동소자의 한 종류로서, 고온초전도 에피박막을 이용하여 개발한 고주파용(-10㎓) 고온초전도 3극 대역통과 여파기(YBa
2 Cu
3 O
7-x /LaAlO
3 /Au구조)에 관한 것으로, 소자의 회로패턴을 제작하기에 앞서 시뮬레이터(模擬實驗)으로 최적회로패턴을 설계하며, 고온 초전도 박막의 습식식각에 의한 초전도성의 열화를 최소화하기 위해, 펄스레이저증착(pulsed laser deposition 또는 laser ablation)법을 응용한 금속마스크 형상화공정(laser ablation aided mask-patterning process)으로 유전체 단결정 LaAlO
3 기판(8) 위에 최적설계된 여파기 회로패턴을 직접형상화한후, 자체제작한 고주파 하우징(microwave housing 또는 jig)를 이용하여 이 소자의 고주파 특성을 측정함으로써 고온초전도체의 고주파 응용가능성을 타진하고 기존의 금속제(금,구리 ) 고주파수소자보다 성능이 우수한가를 살펴보았는바, 실제로 고온초전도체의 임계온도 이하에서는 금속박막형 소자보다 훨씬 우수한 고주파 특성을 보여 주었다.-
公开(公告)号：KR1019920009654B1
公开(公告)日：1992-10-22
申请号：KR1019900010551
申请日：1990-07-12
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L39/06
Abstract: The method for mfg. a sputtering target comprises (a) raising the temp. of La2O3-Al2O3 mixed powder 1550-1700 deg.C in alumina crucible under an air atmosphere at a rate of 10 deg.C/min, maintaining it for 2-4 hr, and cooling it to a room temp. at a rate of 5 deg.C/min to obtain an aluminate powder, and (b) raising the temp. of the aluminate powder under an Ar atmosphere to 1700-1900 deg.C at a rate of 5 deg.C/min for 2 hr, cooling it to a room temp. at a rate of 8 deg.C, and heat-treating the sintered material under an air atmosphere at 1500 deg.C for 3 hr. The target is used as a Josephson device.
Abstract translation: 制造方法 溅射靶包括（a）提高温度。 的La2O3-Al2O3混合粉末在氧化铝坩埚中以10℃/ min的速度在空气气氛中保持2小时，并将其冷却至室温。 以5摄氏度/分钟的速度获得铝酸盐粉末，和（b）提高温度。 的铝酸盐粉末在Ar气氛下以5℃/ min的速度加热至1700-1900℃2小时，冷却至室温。 以8摄氏度的速度在1500℃下在空气气氛下对烧结材料进行热处理3小时。 目标被用作约瑟夫逊设备。
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公开(公告)号：KR101191377B1
公开(公告)日：2012-10-15
申请号：KR1020080131596
申请日：2008-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G01J3/108 , G01J3/02 , G01J3/0208 , Y10T29/49826
Abstract: 본 발명은 테라헤르츠파 송수신 모듈 패키지 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 실리콘 볼렌즈, 광전도 안테나 및 집속 렌즈를 간단하게 정렬시켜 하나의 완전하고 독립된 테라헤르츠파 송수신 모듈 패키지를 구현함으로써, 테라헤르츠파를 용이하게 발생시키거나 측정할 수 있는 것을 특징으로 한다. 따라서 본 발명에 따르면, 테라헤르츠파 발생 및 측정 시스템의 구축에 소요되는 시간 및 비용을 획기적으로 감소시킬 수 있으며, 테라헤르츠파 발생 및 측정 시스템의 단순화 및 소형화를 도모할 수 있다. 또한, 광전도 안테나에서 발생된 테라헤르츠파의 특성을 간단하게 측정할 수 있다. 게다가, 상부 및 하부 덮개에 의해 광전도 안테나, 실리콘 볼렌즈 및 집속 렌즈의 정렬 상태를 그대로 유지하면서 보존 및 운반이 가능하여 안정성을 확보할 수 있을 뿐만 아니라, 외부 환경에 의해 테라헤르츠파 소자가 오염되는 것을 최소화할 수 있다.
테라헤르츠파, 광전도 안테나, 실리콘 볼렌즈, 정렬-
公开(公告)号：KR1020110015107A
公开(公告)日：2011-02-15
申请号：KR1020090072651
申请日：2009-08-07
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S3/05
CPC classification number: H01S3/08013 , H01S1/005 , H01S3/0606 , H01S3/08036
Abstract: PURPOSE: An apparatus for generating parametric terahertz wave and a method for generating the same are provided to obtain technical and economical effects using commercial infrared laser and non-linear optical crystal. CONSTITUTION: A laser generator(100) generates near infrared laser. A non-linear optical crystal part(200) receives the near infrared laser and generates idler light according to the crystal direction orientation of crystal. The non-linear optical crystal part generates terahertz wave according to the wave number vector difference of the near infrared laser and the idler light. An emitting part emits the terahertz wave to the outside of the crystal.
Abstract translation: 目的：提供一种用于产生参数太赫兹波的装置及其产生方法，以使用商业红外激光和非线性光学晶体获得技术和经济效果。 构成：激光发生器（100）产生近红外激光。 非线性光学晶体部件（200）接收近红外激光，并根据晶体的晶体方向产生惰性光。 非线性光学晶体部分根据近红外激光器和惰轮光的波数向量差产生太赫兹波。 发射部分将太赫兹波发射到晶体的外部。
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