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公开(公告)号：KR1020120049128A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：KR1020110109017
申请日：2011-10-24
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01S3/107 , H01Q19/09 , H01Q23/00 , H01S2302/02
Abstract: PURPOSE: An integrated antenna device module for generating terahertz continuous waves and a fabrication method thereof are provided to reduce the resolution limit of an optical lens by using an existing optical lens as a metamaterial lens. CONSTITUTION: A photoconductive antenna(10) of an integrated antenna device module for generating terahertz continuous waves comprises a photoconductive thin film pattern(11), a metal electrode(12), and a focusing meta material lens(13) for controlling three-dimensional images of an object using high resolution. A substrate is high resistant silicon or InP(Indium Phosphide). The metal electrode applies a DC bias voltage to the photoconductive thin film pattern. The photoconductive thin film pattern is deposited on a front surface of the substrate. The photoconductive thin film pattern irradiates tera-herts continuous waves according to the incidence of the femto second laser pulse having the pulse time of an ultrashort pulse.
Abstract translation: 目的：提供一种用于产生太赫兹连续波的集成天线装置模块及其制造方法，以通过使用现有的光学透镜作为超材料透镜来减小光学透镜的分辨率极限。 构成：用于产生太赫兹连续波的集成天线装置模块的光电导天线（10）包括光电导薄膜图案（11），金属电极（12）和用于控制三维 使用高分辨率的对象的图像。 衬底是高电阻硅或InP（磷化铟）。 金属电极向光导薄膜图案施加DC偏置电压。 光导薄膜图案沉积在基板的前表面上。 光电导薄膜图案根据具有超短脉冲脉冲时间的毫微微秒激光脉冲的入射照射太赫兹连续波。
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公开(公告)号：KR101057114B1
公开(公告)日：2011-08-16
申请号：KR1020080123093
申请日：2008-12-05
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 화합물 반도체 바이폴라 트랜지스터 및 그 형성방법이 제공된다. 상기 화합물 반도체 바이폴라 트랜지스터는 기판 상의 컬렉터층, 컬렉터층 상의, 상기 컬렉터 층의 일부를 덮는 베이스층, 베이스층 상의, 상기 베이스층의 일부를 덮는 이미터층, 베이스층 상에 접촉된 하부전극, 베이스층 상의 한 쌍의 저항 전극, 하부전극을 덮는 유전막, 및 상기 하부전극과 대향되며, 상기 유전막 상에 배치되는 상부전극을 포함한다.
캐패시터, 저항-
公开(公告)号：KR1020110066607A
公开(公告)日：2011-06-17
申请号：KR1020090123338
申请日：2009-12-11
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/86 , H01L29/737
CPC classification number: H01L29/66318 , H01L21/8252 , H01L27/0605 , H01L29/66204 , H01L29/7371 , H01L29/868
Abstract: PURPOSE: A monolithic microwave integrated circuit device and a method for forming the same are provided to simplify a process by forming the electrode of HBT(Heterojuction Bipolar Transistor) and a PIN diode. CONSTITUTION: In a monolithic microwave integrated circuit device and a method for forming the same, a sub-collector layer(110) is formed on the HBT domain and PIN diode area of a substrate(100). A collector layer(120) is formed on the Sub-collector layer. A base layer(130) is formed on the collector layer. An emitter layer(140) and an emitter cap layer(150) are formed on the base layer. The emitter pattern and the emitter cap pattern of the HBT region are formed by patterning the emitting layer and the emitter cap layer.
Abstract translation: 目的：提供单片微波集成电路器件及其形成方法，以通过形成HBT（异质双极晶体管）电极和PIN二极管来简化工艺。 构成：在单片微波集成电路器件及其形成方法中，在基底（100）的HBT域和PIN二极管区域上形成子集电极层（110）。 集电极层（120）形成在子集电极层上。 在集电体层上形成基层（130）。 在基底层上形成发射极层（140）和发射极覆盖层（150）。 HBT区域的发射极图案和发射极帽图案通过图案化发光层和发射极盖层而形成。
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公开(公告)号：KR1020110011522A
公开(公告)日：2011-02-08
申请号：KR1020100032755
申请日：2010-04-09
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H04B10/508 , H04B10/00
Abstract: PURPOSE: A device and a method for generating a continuous terahertz wave are provided to suppress an optical carrier by a polarization feature of a light source. CONSTITUTION: An optical carrier providing unit(110) provides two optical carriers of a single wavelength. A light intensity modulating unit(120) receives one from the two optical carriers. The light intensity modulating unit generates a DSBSC(Double Sideband-Suppressed Carrier) signal including a DSB(Double Sideband) signal and a suppressed optical carrier. An extraction unit(130) receives the other one among the two optical carriers. The extraction unit extracts an optical carrier of a single polarization component. An optical coupler couples an optical carrier of a single polarization component with the DSB-SC signal.
Abstract translation: 目的：提供一种用于产生连续太赫兹波的装置和方法，以通过光源的偏振特征来抑制光学载体。 构成：光载波提供单元（110）提供单个波长的两个光载波。 光强调制单元（120）从两个光载波接收一个。 光强调制单元生成包括DSB（双边带）信号和抑制光载波的DSBSC（双边带抑制载波）信号。 提取单元（130）接收两个光学载体中的另一个。 提取单元提取单个偏振分量的光载体。 光耦合单个偏振分量的光载波与DSB-SC信号。
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公开(公告)号：KR1020100061283A
公开(公告)日：2010-06-07
申请号：KR1020090028546
申请日：2009-04-02
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H03F1/0211 , H03F1/302 , H03F3/191
Abstract: PURPOSE: A bias circuit of a power amplifier is provided to control a bias current by controlling bias resistance or a bias control current. CONSTITUTION: A bias circuit comprises a reference voltage terminal(10), a bias terminal(20), and an output terminal(30). The reference voltage terminal is connected to a bias resistance. The bias resistance is connected to a first capacitor, a base of a first transistor, a collector of a second transistor, and a base of a third transistor. The bias terminal is connected to the first capacitor and the collector of the first transistor. The output terminal is connected to the collector of the third transistor. The output terminal is connected to a power amplifier in order to transfer a bias current.
Abstract translation: 目的：提供功率放大器的偏置电路，通过控制偏置电阻或偏置控制电流来控制偏置电流。 构成：偏置电路包括参考电压端子（10），偏置端子（20）和输出端子（30）。 参考电压端子连接到偏置电阻。 偏置电阻连接到第一电容器，第一晶体管的基极，第二晶体管的集电极和第三晶体管的基极。 偏置端子连接到第一晶体管的第一电容器和集电极。 输出端子连接到第三晶体管的集电极。 输出端子连接到功率放大器以传送偏置电流。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100860073B1
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：KR1020070046853
申请日：2007-05-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/737
Abstract: 본 발명은 이종 접합 바이폴라 트랜지스터 제조방법에 관한 것으로, 본 이종 접합 바이폴라 트랜지스터는 기판 상에 부컬렉터층, 컬렉터층, 베이스층, 에미터층 및 에미터 캡층을 형성하는 단계; 상기 에미터 캡층 상부에 에미터 전극을 형성하는 단계; 상기 에미터 전극 하부에 형성된 상기 에미터 캡층과 상기 에미터 층을 식각하여 상기 베이스 층을 노출시키는 단계; 상기 노출된 베이스 층 상에 베이스 전극을 형성하는 단계; 상기 베이스 전극 하부에 형성된 상기 베이스층과 상기 컬렉터층을 식각하여 상기 부컬렉터층을 노출시키는 단계; 상기 부컬렉터층 상에 컬렉터 전극을 형성하는 단계; 및 상기 부컬렉터층을 식각하는 단계; 상기 부컬렉터층이 식각된 상기 기판 전면에 절연층을 형성하는 단계; 상기 에미터 전극, 베이스 전극 및 컬렉터 전극 및 기판의 상단이 노출되도록 상기 절연층을 전면적으로 이방성 식각하는 단계; 및 일측부는 상기 기판 상에 타측부는 상기 베이스 전극에 형성되며, 이들을 연결하는 베이스 연결선을 포함하는 베이스 패드를 형성하는 단계를 포함한다.
이에 따라, 베이스패드를 베이스전극을 포함한 소자영역으로부터 분리시킴으로써, 베이스-컬렉터 커패시턴스의 증가를 제거할 수 있으며, 또한, 에어 브리지(air-bridge) 연결선 형성 기술에서 발생하는 과도한 하부식각을 제거할 수 있어 이종접합 바이폴라 트랜지스터를 안정적으로 제작할 수 있다.
이종접합 바이폴라 트랜지스터, 메사식각, 베이스 전극, 베이스 연결선, 베이스패드, 커패시턴스-
公开(公告)号：KR1020080052177A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：KR1020070043334
申请日：2007-05-04
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/737
CPC classification number: H01L29/66318 , H01L29/0817
Abstract: A heterojunction bipolar transistor is provided to separate an emitter from a base by additionally using a dielectric on the lateral surface of an emitter so that a partition is formed. A sub collector layer(110), a collector layer(120), a base layer(130), an emitter layer(140) and an emitter cap layer(150) are sequentially stacked on a substrate(100). An emitter electrode(160) is formed on the emitter cap layer. A first dielectric layer is formed on both lateral surfaces of the emitter electrode. The emitter cap layer and the emitter layer are etched by using the emitter electrode as a mask so that the base layer is exposed and an emitter(170) of a mesa type is formed. A second dielectric layer is formed on the lateral surface of the first dielectric layer and the emitter of the mesa type. A base electrode(180) is formed on the exposed base layer by using the emitter electrode as a mask, self-aligned with the emitter electrode. The base layer and the collector layer can be etched to expose the sub collector layer, and a collector electrode can be formed on the sub collector.
Abstract translation: 提供了一种异质结双极晶体管，通过额外地使用发射极的侧表面上的电介质将发射极与基极分离，从而形成隔板。 在基板（100）上依次层叠副集电极层（110），集电极层（120），基极层（130），发射极层（140）和发射极覆盖层（150）。 发射极电极（160）形成在发射极盖层上。 在发射电极的两个侧表面上形成第一电介质层。 通过使用发射电极作为掩模来蚀刻发射极覆盖层和发射极层，从而露出基极层并形成台面型发射极（170）。 在第一电介质层的侧面和台面型的发射体上形成第二电介质层。 通过使用发射电极作为掩模，在曝光的基底层上形成基极（180），与发射电极自对准。 可以对基底层和集电体层进行蚀刻以露出副集电极层，并且集电极可以形成在副集电极上。
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公开(公告)号：KR100734874B1
公开(公告)日：2007-07-03
申请号：KR1020050124043
申请日：2005-12-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/42
CPC classification number: G02B6/12004 , G02B6/4246 , H01L2224/05553 , H01L2224/48091 , H01S5/005 , H01S5/02212 , H01S5/0264 , H01S5/0265 , H01S5/0683 , H04B10/40 , H01L2924/00014
Abstract: 광섬유를 통하여 서로 다른 파장의 광신호를 동시에 송신 및 수신하는 기능을 가지는 양방향성 광모듈을 제공한다. 본 발명은 기판 상에 형성된 레이저 다이오드의 광축에 정렬하여 반도체 광증폭기가 집적되어 있는 송신용 광소자와, 상기 송신용 광소자의 레이저 다이오드의 광축에 대해, 수광면이 수직으로 놓이는 포토 다이오드로 구성된 수신용 광소자를 포함하여 서로 다른 파장의 광신호를 동시에 송신 및 수신한다. 이와 같은 구성되는 본 발명의 양방향성 광모듈은 TO형 패키지를 채용하면서 수요 부품수를 감소시켜 모듈 제작 공정을 간단하게 하여 저가에 우수한 특성의 모듈을 제작할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100641055B1
公开(公告)日：2006-11-02
申请号：KR1020050121441
申请日：2005-12-12
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/73
Abstract: A compound semiconductor bipolar transistor and a fabrication method are provided to improve safety of a device and to reduce a whole are of layout. A compound semiconductor bipolar transistor device includes a sub collector layer(111), a collector layer(112), a base layer(113), an emitter layer(114), and an emitter cap layer(115) that are sequentially filed on a half insulation substrate(100). A collector electrode(123) is located on the sub collector layer, a base electrode(122) is located on the base layer, and an emitter electrode(121) is located on the emitter cap layer. An insulation layer(130) exposes the emitter electrode, the base electrode, and the collector electrode, and covers the transistor. A metal interconnection(150) connects the emitter electrode, the base electrode, and the collector electrode. A capacitor(160) comprises the sub collector layer, a sub electrode located on the other sub collector of the other region, the insulation layer, and a portion of the metal interconnection. A resistance is located on the insulation layer.
Abstract translation: 提供了一种化合物半导体双极晶体管及其制造方法，以提高器件的安全性并减少整体布局。 化合物半导体双极型晶体管器件包括依次堆积在集电极层（111），集电极层（112），基极层（113），发射极层（114）和发射极覆盖层（115） 半绝缘基板（100）。 集电极（123）位于子集电极层上，基极（122）位于基极层上，发射极（121）位于发射极盖层上。 绝缘层（130）暴露发射极电极，基极电极和集电极电极，并覆盖晶体管。 金属互连（150）连接发射极电极，基极电极和集电极电极。 电容器（160）包括副集电极层，位于另一区域的另一副集电极上的副电极，绝缘层以及金属互连的一部分。 电阻位于绝缘层上。
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公开(公告)号：KR100636595B1
公开(公告)日：2006-10-23
申请号：KR1020040090673
申请日：2004-11-09
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/737
CPC classification number: H01L29/66318 , H01L29/7371
Abstract: 본 발명은 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판 상에 서브 컬렉터층, 컬렉터층, 베이스층, 에미터층 및 에미터캡층을 순차적으로 적층하는 단계와, 상기 에미터캡층 상부에 에미터 전극을 형성하는 단계와, 상기 에미터 전극을 마스크로 하여 상기 기판에 수직 및 역경사 방향으로 상기 에미터캡층 및 상기 에미터층을 순차적으로 식각하여 상기 베이스층이 노출되도록 메사형태의 에미터를 형성하는 단계와, 상기 에미터 전극을 마스크로 하여 노출된 상기 베이스층의 상부에 상기 에미터 전극과 자기정렬되는 베이스전극을 형성하는 단계를 포함함으로써, 메사형태의 에미터와 베이스 전극간의 간격을 최소화하고 재현성 있게 제어할 수 있으며, 고주파 특성이 우수한 자기정렬 소자를 구현할 수 있는 효과가 있다.
이종접합 바이폴라 트랜지스터, 자기정렬, 결정이방성, 메사식각, 에미터 전극, 베이스 전극
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