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公开(公告)号：CN104220365A
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201380018033.2
申请日：2013-03-14
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81B7/0074 , B81B7/0077 , B81B2201/0257 , B81B2203/0315 , B81B2207/015 , B81B2207/07 , B81C1/00309 , B81C1/0065
Abstract: 一种半导体器件。所述器件包括具有电气轨迹的基底、安装到所述基底上的MEMS裸晶和半导体芯片中的至少一个和间隔件。所述间隔件具有连接到所述基底的第一端并且包括耦合至所述电气轨迹的电气互连。所述至少一个MEMS裸晶和半导体芯片包含在所述间隔件中。所述间隔件和基底形成包含所述至少一个MEMS裸晶和半导体芯片的腔。当半导体器件经由间隔件的第二端安装到电路板时，所述腔形成声学容积。
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公开(公告)号：CN104093661A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201280057350.0
申请日：2012-09-27
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
Inventor： A·费伊
CPC classification number: B81B7/0058 , B81B7/0061 , B81B7/0077 , B81B2201/0257 , B81C1/00269 , H04R1/04 , H04R1/06 , H04R1/086 , H04R17/00 , H04R19/005 , H04R31/006 , H04R2201/003
Abstract: 本发明涉及一种微机电芯片(1)，具有衬底(1a)，被构造在衬底(1a)中的微机电结构(1b)，和被布置在衬底(1a)的表面上的保护元件(3)，该保护元件保护微机电结构(1b)免受杂质和/或外部的机械作用。
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公开(公告)号：CN104025622A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201280065518.2
申请日：2012-11-14
Applicant: 欧姆龙株式会社
CPC classification number: G01R27/2605 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81C1/00873 , G01H11/06 , H04R19/005 , H04R19/04
Abstract: 振动膜(33)被设置在硅基板(32)的顶面上，板部(39)被固定到硅基板(32)的顶面以便具有间隙地覆盖活动电极膜。板部(39)由绝缘材料制成。固定电极膜(40)形成在板部(39)的底面上，并且振动膜(33)和固定电极膜(40)构成电容器。在板部(39)周围的区域中，硅基板(32)的顶面的整个外周缘从板部(39)暴露。在基板(32)的顶面上，由绝缘材料制成的绝缘片(47)形成在从板部(39)暴露的区域的一部分中，并且电连接到振动膜(33)的电极垫(48)和电连接到固定电极膜(40)的电极垫(49)设置在绝缘片(47)的顶面上。
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公开(公告)号：CN103935952A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410030527.9
申请日：2014-01-22
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： H·托伊斯
CPC classification number: B81C1/00333 , B81B3/0018 , B81B3/0021 , B81B2201/0257 , B81B2207/012 , B81B2207/09 , B81C1/0023 , B81C1/00261 , B81C2203/0109 , B81C2203/0154 , H01L29/84 , H01L2224/05554 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2924/1461 , H01L2924/1815 , H04R1/08 , H01L2924/00014
Abstract: 在各种实施例中，提供了一种用于制造芯片封装体的方法。该方法包括：将芯片布置在基板之上，芯片包括传声器结构和通向传声器结构的开口；并且将芯片用包封材料包封，使得开口保持成至少部分地不具有包封材料。
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公开(公告)号：CN103818872A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201310471850.5
申请日：2013-10-11
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00825 , B81B2201/0235 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81C1/00873 , B81C2201/017 , B81C2201/053 , H04R19/005 , H04R19/04 , H04R31/00 , H04R2201/003
Abstract: MEMS器件和制造MEMS器件的方法。公开了一种用于制造MEMS器件的方法。此外，公开了MEMS器件和包括该MEMS器件的模块。实施例包括一种用于制造MEMS器件的方法，包括在基板的第一主表面上形成MEMS堆叠、在基板的第二主表面上形成聚合物层并在聚合物层和基板中形成第一开口，使得第一开口邻接MEMS堆叠。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103765579A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201280032667.9
申请日：2012-06-29
Applicant: 村田电子有限公司
Inventor： 海基·库斯玛
CPC classification number: B81B7/0074 , B81B2201/0235 , B81B2201/025 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2201/036 , B81B2207/012 , B81B2207/095 , B81C1/00333 , G01C19/5783 , G01L19/0084 , G01L19/148 , G01P1/023 , G01P1/026 , G01P15/0802 , H01L21/568 , H01L23/528 , H01L23/5389 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/19 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L25/16 , H01L25/18 , H01L25/50 , H01L27/14618 , H01L2223/6677 , H01L2224/12105 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2224/1703 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/8312 , H01L2224/8319 , H01L2224/92125 , H01L2224/97 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/1433 , H01L2924/1461 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/18162 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及制造系统级封装器件的方法以及系统级封装器件。在该方法中，将至少一个具有预定尺寸的第一类管芯、至少一个具有预定尺寸的第二类管芯以及系统级器件的至少一个其它部件包含到系统级封装器件中。选择所述第一类管芯和所述第二类管芯中的至少一者以用于重定尺寸。向所选择的管芯的至少一侧添加材料，使得所添加的材料和所选择的管芯形成重定尺寸的管芯结构。在所述重定尺寸的管芯结构上形成连接层。对所述重定尺寸的管芯结构进行定尺寸，以允许将未被选择的管芯以及所述至少一个其它部件安装成经由所述连接层与所述重定尺寸的管芯结构接触。
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公开(公告)号：CN103688556A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201280035472.X
申请日：2012-07-20
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: H04R7/06 , B81B3/0051 , B81B2201/0257 , H04R19/005 , H04R19/04 , H04R2201/003
Abstract: 本发明提出一种用于实现具有微机械麦克风结构的麦克风结构元件的膜片结构的衬底侧的过载保护的可能性，所述过载保护尽可能小地妨碍麦克风结构的阻尼特性。所述麦克风结构包括膜片结构（2），所述膜片结构具有至少一个声激励膜片（11），所述膜片结构构造在所述半导体衬底（1）上方的膜片层中。所述膜片结构跨越衬底后侧中的至少一个声孔（13）。固定的、声音可穿透的对应元件（14）在所述膜片层上方构造在所述结构元件（10）的层结构中。按照本发明，在所述膜片结构（2）的外边缘区域上至少构造隆起部（17），所述隆起部突出于所述声孔（13）的边缘区域，从而所述声孔（13）的所述边缘区域用作衬底侧的、用于所述膜片结构（2）的止挡。
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公开(公告)号：CN103347808A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201180007059.8
申请日：2011-12-29
Applicant: 歌尔声学股份有限公司
CPC classification number: H04R1/02 , B81B7/0061 , B81B2201/0257 , H01L2924/1461 , H04R1/086 , H04R7/04 , H04R19/005 , H04R19/04 , H04R2201/003 , H04R2201/02 , H04R2207/00
Abstract: 一种硅基MEMS麦克风包括硅基底（100）和支撑在该硅基底上的声学传感部（11），其中，在所述基底中形成有网络结构背孔（140），并且该网络结构背孔与所述声学传感部对齐；所述网络结构背孔包括多个网梁（141），该多个网梁彼此互联并且支撑在所述网络结构背孔的侧壁（142）上；所述多个网梁和所述侧壁界定了多个网孔（143），该多个网孔都具有锥形形状并且在所述硅基底的上部在所述声学传感部的附近汇合成一个孔。网状结构背孔有助于使例如抛掷试验中所产生的空气压力脉冲流线型化，从而减小对麦克风的声学传感部的冲击，并且也可以用作保护性过滤器以防止诸如颗粒等外部物质进入麦克风。
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公开(公告)号：CN101631739B
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN200780017312.1
申请日：2007-03-20
Applicant: 沃福森微电子股份有限公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00158 , B81B2201/0257 , B81B2203/0127 , B81C99/004 , B81C2201/0109 , H04R7/10 , H04R7/18 , H04R19/005 , H04R2307/207 , Y10S977/733
Abstract: 一种MEMS器件，例如电容式麦克风，包括响应于由声波产生的压力差而自由移动的柔性膜11。第一电极13机械耦合到柔性膜11，并且它们一起形成电容式麦克风器件的第一电容板。第二电极23机械耦合到大致呈刚性的结构层或背板14，它们一起形成电容式麦克风器件的第二电容板。电容式麦克风形成在例如为硅晶片的衬底1上。背部体积33提供在膜11下面，并且使用通过衬底1的“背部蚀刻”而形成。第一腔9直接位于膜11下面，并且在制备工艺期间使用第一牺牲层而形成。插入第一和第二电极13和23之间的是第二腔17，它是在制备期间使用第二牺牲层而形成。多个通气孔15将第一腔9和第二腔17连接。多个声孔31布置在背板14中，以便使得空气分子能够自由移动，从而声波可以进入第二腔17。与背部体积33相关联的第一和第二腔9和17使得膜11能够响应于通过背板14中的声孔31进入的声波而移动。提供第一和第二牺牲层具有在制造期间保护膜以及使背部蚀刻工艺与膜的限定分离的优点。通气孔15帮助移除第一和第二牺牲层。通气孔15还有助于电容式麦克风的工作特性。
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公开(公告)号：CN102948170A
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201180007585.4
申请日：2011-01-14
Applicant: 缅因大学
Inventor： 盖伊·勒玛匡德 , 瓦莱丽·勒玛匡德 , 以利亚·玛丽·勒弗夫尔 , 玛丽安·亚历山大·劳伦斯·瓦伊达斯克 , 约翰·穆兰 , 法比恩·让·弗朗索斯·帕瑞恩
CPC classification number: B81B3/007 , B81B2201/0257 , H04R7/04 , H04R7/18 , H04R9/047 , H04R9/06 , H04R9/10 , H04R23/00 , H04R31/006 , H04R2201/003
Abstract: 具有MEMS技术的电动式扬声器结构，包括：定子-成形构件(2)、膜片-成形构件(3)、以及用于连接所有这些构件的弹性形变构件(4)，其特征在于定子-成形构件(2)、膜片-成形构件(3)、以及连接构件(4)通过加工硅芯片由单一部件构成。
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