公开(公告)号：WO2016135852A1

公开(公告)日：2016-09-01

申请号：PCT/JP2015/055211

申请日：2015-02-24

Applicant: 三菱電機株式会社

Inventor： 奥村　美香

IPC: G01P15/08 ,  G01P15/125

CPC classification number: B81B3/0051 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2203/0118 ,  B81C1/00825 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/013 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/125 ,  G01P15/18 ,  G01P2015/082 ,  G01P2015/084 ,  G01P2015/0871

Abstract: 半導体装置は、基板（１Ａ）と、梁（１２）と、可動構造体（１３）と、第１のストッパ部材（Ｓ１）と、第２のストッパ部材（Ｓ２）と、第３のストッパ部材（Ｓ３）とを備えている。第１のストッパ部材（Ｓ１）は、面内方向において可動構造体（１３）と第１の隙間（Ｔ１）を介して配置されている。第２のストッパ部材（Ｓ２）は、面外方向において可動構造体（１３）と第２の隙間（Ｔ２）を介して配置されている。第３のストッパ部材（Ｓ３）は、面外方向において可動構造体（１３）に対して第２のストッパ部材（Ｓ２）と反対側に配置され、かつ可動構造体（１３）との間に第３の隙間（Ｔ３）を介して配置されている。これにより、可動構造体の過剰な変位を抑制することにより可動構造体を支持する梁の損傷および破損を抑制できる半導体装置およびその製造方法を得ることができる。

Abstract translation: 该半导体装置设置有基板（1A），梁（12），可动构件（13），第一挡块构件（S1），第二挡块构件（S2）和第三挡块构件（S3）。 通过在可移动结构（13）和第一止动构件之间沿面内方向具有第一间隙（T1）来设置第一止动构件（S1）。 第二止动件（S2）通过在可移动结构（13）和第二止动件之间沿着平面外的方向具有第二间隙（T2）来设置。 第三止动构件（S3）通过具有第三间隙（T3）而在面外方向上设置在可移动结构（13）的侧面上，所述侧面与第二止动构件（S2）相反， ）在可移动结构（13）和第三止动件之间。 因此，通过抑制可移动结构的过度位移来抑制支撑可移动结构的梁的损伤和断裂的半导体器件，并且可以提供半导体器件的制造方法。

公开(公告)号：WO2015074818A1

公开(公告)日：2015-05-28

申请号：PCT/EP2014/072581

申请日：2014-10-21

Applicant: SAGEM DEFENSE SECURITE

Inventor： JEANROY, Alain ,  ONFROY, Philippe

IPC: G01C19/574 ,  B81B3/00

CPC classification number: G01C19/574 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2203/0109 ,  B81C1/00547 ,  B81C2201/013 ,  G01C19/5733 ,  G01C19/5769

Abstract: Capteur inertiel comprenant un bâti auquel au moins deux corps sismiques sont reliés par des moyens élastiques pour être mobiles dans un plan de suspension, et des transducteurs pour maintenir en vibration les corps sismiques et pour déterminer un mouvement relatif des corps sismiques l'un par rapport à l'autre, caractérisé en ce que les corps sismiques ont une même forme et une même masse et en ce que les corps sismiques comportent des parties d'emboîtement de telle manière que les corps sismiques soient mutuellement imbriqués l'un dans l'autre tout en étant mobiles dans le plan de suspension relativement à l'autre des corps sismiques, les corps sismiques ayant des centres de gravité confondus l'un avec l'autre. Procédé de fabrication d'un tel capteur.

Abstract translation: 本发明涉及一种惯性传感器，其包括框架，至少两个地震体通过弹性装置连接以便在悬挂平面中可移动，以及换能器以保持地震体振动并确定地震体相对的相对运动 其特征在于，地震体具有单一形状和单个质量，并且地震体包括互锁部分，使得地震体彼此嵌套，同时可在悬架平面中相对于另一个运动 地震体，地震体具有彼此重合的重心。 本发明还涉及一种用于制造这种传感器的方法。

公开(公告)号：WO2012054043A1

公开(公告)日：2012-04-26

申请号：PCT/US2010/053578

申请日：2010-10-21

Applicant: HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L.P. ,  MARDILOVICH, Peter ,  WEI, Qingqiao ,  MILONOVA, Irina Nikolaevna ,  FULLER, Anthony M.

Inventor： MARDILOVICH, Peter ,  WEI, Qingqiao ,  MILONOVA, Irina Nikolaevna ,  FULLER, Anthony M.

IPC: C25D11/04 ,  B82B3/00

CPC classification number: C25D1/006 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/0197 ,  C25D11/045 ,  C25D11/08 ,  C25D11/10 ,  C25D11/12 ,  C25D11/24 ,  C25D11/26

Abstract: A nano-structure (100, 100') includes an oxidized layer (14'), and at least two sets (24, 24') of super nano-pillars (20) positioned on the oxidized layer (14'). Each of the at least two sets (24, 24') of super nano-pillars (20) includes a plurality of super nano-pillars (20), where each set (24, 24') is separated a spaced distance from each other set (24, 24').

Abstract translation: 纳米结构（100,100'）包括氧化层（14'）和位于氧化层（14'）上的超级纳米柱（20）的至少两组（24,24'）。 超级纳米柱（20）的至少两个组（24,24'）中的每一个包括多个超级纳米柱（20），其中每个组（24,24'）彼此间隔开距离 设置（24,24'）。

公开(公告)号：WO2011162949A2

公开(公告)日：2011-12-29

申请号：PCT/US2011039560

申请日：2011-06-08

Applicant: IBM ,  DANG DINH ,  DOAN THAI ,  DUNBAR GEORGE A ,  HE ZHONG-XIANG ,  HERRIN RUSSELL T ,  JAHNES CHRISTOPHER V ,  MALING JEFFREY C ,  MURPHY WILLIAM J ,  STAMPER ANTHONY K ,  TWOMBLY JOHN G ,  WHITE ERIC J

Inventor： DANG DINH ,  DOAN THAI ,  DUNBAR GEORGE A ,  HE ZHONG-XIANG ,  HERRIN RUSSELL T ,  JAHNES CHRISTOPHER V ,  MALING JEFFREY C ,  MURPHY WILLIAM J ,  STAMPER ANTHONY K ,  TWOMBLY JOHN G ,  WHITE ERIC J

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H01H59/00

CPC classification number: B81C1/00365 ,  B81B3/0021 ,  B81B3/0072 ,  B81B2201/01 ,  B81B2201/014 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/0015 ,  B81C1/00476 ,  B81C1/00619 ,  B81C1/00626 ,  B81C1/00666 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2201/017 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0172 ,  G06F17/5068 ,  G06F17/5072 ,  H01H1/0036 ,  H01H57/00 ,  H01H59/0009 ,  H01H2057/006 ,  H01L41/1136 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/937 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/435 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/49105 ,  Y10T29/49121 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/5313 ,  H01L2924/00

Abstract: Planar cavity Micro-Electro-Mechanical System (MEMS) structures, methods of manufacture and design structure are provided. The method includes forming at least one Micro-Electro-Mechanical System (MEMS) cavity (60a, 60b) having a planar surface using a reverse damascene process.

Abstract translation: 提供了平面腔微机电系统（MEMS）结构，制造方法和设计结构。 该方法包括使用反向镶嵌工艺形成具有平面表面的至少一个微机电系统（MEMS）腔（60a，60b）。

公开(公告)号：WO2010096706A2

公开(公告)日：2010-08-26

申请号：PCT/US2010/024806

申请日：2010-02-19

Applicant: CORNELL UNIVERSITY ,  MANIPATRUNI, Sasikanth ,  LIPSON, Michal

Inventor： MANIPATRUNI, Sasikanth ,  LIPSON, Michal

IPC: H01S3/08

CPC classification number: G02B26/001 ,  A61F9/022 ,  A61F9/023 ,  B81B3/0083 ,  B81B2201/04 ,  B81B2201/047 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0315 ,  B81C1/0015 ,  B81C2201/013 ,  G02B1/005 ,  G02B6/4209 ,  G02C7/104 ,  G02C7/107 ,  H01S3/005 ,  H01S3/0064

Abstract: There is set forth herein an optomechanical device which can comprise a first mirror and a second mirror forming with the first mirror a cavity. In one aspect the first mirror can be a movable mirror. The optomechanical device can be adapted so that the first mirror is moveable responsively to radiation force.

Abstract translation: 这里阐述了一种光学机械装置，其可以包括第一反射镜和与第一反射镜一起形成空腔的第二反射镜。 在一个方面中，第一镜子可以是可移动的镜子。 可以调整光机械装置，使得第一反射镜可响应辐射力而移动。

公开(公告)号：JP6373474B2

公开(公告)日：2018-08-15

申请号：JP2017501600

申请日：2015-02-24

Applicant: 三菱電機株式会社

Inventor： 奥村 美香

IPC: G01P15/125 ,  H01L29/84 ,  G01P15/08

CPC classification number: B81B3/0051 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2203/0118 ,  B81C1/00825 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/013 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/125 ,  G01P15/18 ,  G01P2015/082 ,  G01P2015/084 ,  G01P2015/0871

公开(公告)号：JP2018520893A

公开(公告)日：2018-08-02

申请号：JP2017564569

申请日：2016-06-28

Applicant: キオニクス,インコーポレイテッド

Inventor： アダムス,スコット ジー. ,  ブラックマー,チャールズ ダブリュー.

IPC: B81B7/02

CPC classification number: B81B7/007 ,  B81B2207/096 ,  B81C1/00301 ,  B81C2201/013 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5329

Abstract: 【課題】基板貫通相互接続部及びMEMSデバイスを備えた電子システムに関するシステム、方法、及びコンピュータプログラム製品を提供する。 【解決手段】第1の表面と第2の表面とを有する基板内に形成された相互接続部であって、この相互接続部は、バルク領域と、第1の表面から第2の表面まで延びるビアと、第1の表面を通って基板内に延び、ビアの周りの閉じたループを画定する絶縁構造であって、少なくとも1つの固体部分によって分離されたシーム部分を含む絶縁構造と、絶縁構造から第2の表面に向かって延びる絶縁領域であって、バルク領域からビアを分離する絶縁領域と、を含み、絶縁構造と絶縁領域は共同で、ビアとバルク領域との間の電気的隔離を提供する。 【選択図】図6A

公开(公告)号：JPWO2016135852A1

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：JP2017501600

申请日：2015-02-24

Applicant: 三菱電機株式会社

Inventor： 美香 奥村 ,  美香 奥村

IPC: G01P15/08 ,  G01P15/125 ,  H01L29/84

CPC classification number: B81B3/0051 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2203/0118 ,  B81C1/00825 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/013 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/125 ,  G01P15/18 ,  G01P2015/082 ,  G01P2015/084 ,  G01P2015/0871

Abstract: 半導体装置は、基板(1A)と、梁(12)と、可動構造体(13)と、第1のストッパ部材(S1)と、第2のストッパ部材(S2)と、第3のストッパ部材(S3)とを備えている。第1のストッパ部材(S1)は、面内方向において可動構造体(13)と第1の隙間(T1)を介して配置されている。第2のストッパ部材(S2)は、面外方向において可動構造体(13)と第2の隙間(T2)を介して配置されている。第3のストッパ部材(S3)は、面外方向において可動構造体(13)に対して第2のストッパ部材(S2)と反対側に配置され、かつ可動構造体(13)との間に第3の隙間(T3)を介して配置されている。これにより、可動構造体の過剰な変位を抑制することにより可動構造体を支持する梁の損傷および破損を抑制できる半導体装置およびその製造方法を得ることができる。

公开(公告)号：JP2017196727A

公开(公告)日：2017-11-02

申请号：JP2017064299

申请日：2017-03-29

Applicant: スカイワークスフィルターソリューションズジャパン株式会社

Inventor： 鷹野 敦 ,  古川 光弘 ,  亀山 一郎 ,  上林 哲也

IPC: B81B7/02 ,  H03H9/25 ,  H03H3/08 ,  H03H3/02 ,  H03H9/17 ,  B81C1/00

CPC classification number: H03H3/0072 ,  B81B1/002 ,  B81C1/00087 ,  B81C1/00333 ,  H03H3/08 ,  H03H9/1085 ,  H03H9/171 ,  H03H9/19 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2203/0353 ,  B81B2207/09 ,  B81C2201/013 ,  B81C2203/0136 ,  H03H9/54 ,  H03H9/64

Abstract: 【課題】犠牲層除去のためのウェットエッチング工程ゆえにMEMS装置のための空洞内に残留するエッチング液の量を減らすとともに、空洞を画定する膜の構造強度を、膜に貫通孔が設けられている場合であっても確保する。 【解決手段】電子部品10を作製する方法であって、基板11の主表面に機能部13を形成することと、主表面において機能部を覆う犠牲層を形成することと、犠牲層を覆うキャップ層14を形成することと、キャップ層を通る孔14a,14bを形成することと、孔を通じたウェットエッチング工程を用いて犠牲層を除去することにより空洞100を形成することと、キャップ層及び主表面を覆う第1樹脂層31を形成することとを含み、キャップ層は主表面において空洞を囲む周縁部を形成し、孔は、主表面に沿って空洞の内部と空洞の外部とを連通する周縁孔14bを含む。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2016540245A

公开(公告)日：2016-12-22

申请号：JP2016534246

申请日：2014-11-25

Applicant: インフェニックス インコーポレイテッドInphenix, Inc. ,  インフェニックス インコーポレイテッドInphenix, Inc.

Inventor： カマル ムハンマド ,  カマル ムハンマド ,  リ トンニン ,  リ トンニン ,  イーユー デビッド ,  イーユー デビッド ,  チ チニアン ,  チ チニアン

IPC: G02B26/00 ,  G02B5/08 ,  H01S3/10 ,  H01S3/106 ,  H01S5/14

CPC classification number: G02B26/001 ,  B81C1/00317 ,  B81C2201/013 ,  G02B1/11 ,  G02B1/12 ,  H01L33/46 ,  H01L39/2467 ,  H01L2924/1461 ,  H01S3/08027 ,  H01S3/083 ,  H01S3/105 ,  H01S3/1062 ,  H01S5/141 ,  H01S5/18366

Abstract: 微小電気機械システム(MEMS)ベースのファブリペロー(FP)フィルターキャビティ調整を伴う波長可変利得媒質を、波長可変レーザーとして提供する。当該システムは、波長選択用のレーザーキャビティとフィルターキャビティとを含む。レーザーキャビティは、半導体光増幅器(SOA)等の利得媒質と、2つのコリメーティングレンズと、端部反射器とからなる。MEMS−FPフィルターキャビティは、静電力で制御可能な、固定反射器と可動反射器とを含む。MEMS反射器を動かすことによって、FPフィルターキャビティ長を変えることで、波長を調整することができる。MEMS−FPフィルターキャビティ変位は、ステップ電圧によって離散的に、または連続駆動電圧によって連続して調整することができる。連続調整用の駆動周波数は、MEMS構造の共振周波数またはその他任意の周波数であってもよく、波長可変範囲は、30nm、40nm、および100nm超等の異なる波長可変範囲に及び得る。

Abstract translation: 与微机电系统的可调谐增益介质（MEMS）的法布里 - 珀罗（FP）过滤腔调整，以提供一个波长可调激光器。 该系统包括激光腔和一过滤腔用于波长选择。 激光腔，作为一个半导体光放大器（SOA），和两个准直透镜，包括一个端部反射器的增益介质，例如。 MEMS-FP过滤腔，其可以通过静电力来控制，并且一个固定反射器和一个活动反射器。 通过移动MEMS反射，通过改变FP过滤腔长度可以调整波长。 MEMS-FP过滤腔位移可以连续通过一个阶跃电压离散或连续的驱动电压进行调整。 用于连续调整驱动频率可以是一个谐振频率或者MEMS结构的任何其他频率，波长可调范围为30nm，可以为40纳米，和100nm的不同波长的可变范围超过等。