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公开(公告)号：KR101243304B1
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：KR1020110072137
申请日：2011-07-20
Applicant: 전자부품연구원
CPC classification number: H01L2224/04105 , H01L2224/16225 , H01L2224/24 , H01L2224/24195 , H01L2924/15311 , H01L2924/19105 , H01L2924/00012
Abstract: 다층 배선 구조의 인터포저 제조 방법은, 박막 수동 소자가 집적된 실리콘 웨이퍼에 양면 라미네이션 공정을 수행하여 유기 물질의 절연층을 각각 형성한 후에 실리콘을 관통하여 형성되는 공간에 집적 회로를 실장하고 실리콘을 관통하여 형성되는 비아 구멍의 내벽으로 패터닝과 전기 도금을 이용하여 박막 수동 소자의 연결 전극으로 사용되는 라이닝 비아를 형성한다. 다음, 라이닝 비아가 형성된 실리콘 웨이퍼에 양면 라미네이션 공정을 수행하여 유기 물질의 절연층을 각각 형성한 후에 집적 회로의 연결 전극으로 사용되는 라이닝 비아를 형성한다.
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公开(公告)号：KR1020130011171A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：KR1020110072137
申请日：2011-07-20
Applicant: 전자부품연구원
CPC classification number: H01L2224/04105 , H01L2224/16225 , H01L2224/24 , H01L2224/24195 , H01L2924/15311 , H01L2924/19105 , H01L2924/00012
Abstract: PURPOSE: An interposer and a manufacturing method thereof are provided to form a through silicon via with a low loss by forming a thick insulation layer using a lamination process. CONSTITUTION: An interposer(10) is formed with a multilayer interconnection structure and includes a silicon wafer(100), an integrated circuit(110), and a thin film passive device(120). A lining via(130) is formed on a silicon wafer. A lining via(140) is formed on an organic insulation layer of the silicon wafer. A lining via(150) is formed with a coaxial structure.
Abstract translation: 目的：通过使用层压工艺形成厚的绝缘层，提供插入件及其制造方法以形成具有低损耗的硅通孔。 构成：内插器（10）形成有多层互连结构，并且包括硅晶片（100），集成电路（110）和薄膜无源器件（120）。 衬底通孔（130）形成在硅晶片上。 衬底通孔（140）形成在硅晶片的有机绝缘层上。 衬套通孔（150）形成有同轴结构。
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公开(公告)号：KR1020120113987A
公开(公告)日：2012-10-16
申请号：KR1020110031700
申请日：2011-04-06
Applicant: 전자부품연구원
CPC classification number: H01P1/20345 , H01P1/2088 , H01P1/212
Abstract: PURPOSE: A band-stop filter for radio frequency choke and a substrate including the same are provided to reduce the size of a component by designing the radio frequency choke to be printed on the substrate instead of an inductor element. CONSTITUTION: An upper plate(110) includes a power line pattern(VP). The power line pattern supplies DC power to an active circuit. A lower substrate(120) is formed on the lower part of the upper substrate. The lower substrate includes a stub line pattern(SP). Some parts of the stub line pattern are formed along the power line pattern.
Abstract translation: 目的：提供一种用于射频扼流圈的带阻滤波器和包括该带阻滤波器的基板，以通过设计要印刷在基板上的射频扼流圈而不是电感器元件来减小元件的尺寸。 构成：上板（110）包括电源线图案（VP）。 电源线图案向有源电路提供直流电源。 下基板（120）形成在上基板的下部。 下基板包括短线图案（SP）。 短线图形的一些部分沿电源线图案形成。
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公开(公告)号：KR1020120113815A
公开(公告)日：2012-10-16
申请号：KR1020110028341
申请日：2011-03-29
Applicant: 전자부품연구원
CPC classification number: H01L23/66 , H01L23/043 , H01L23/481 , H01L23/522
Abstract: PURPOSE: A semiconductor substrate and a semiconductor package are provided to implement high frequency system with high integration by using SIW(Substrate Integrated Waveguide) and embedded IC interconnection technology. CONSTITUTION: A cavity is formed on a silicon substrate(100). A first metal layer(103) is formed on the lower side of the cavity by electroplating. Organic materials(105) are filled in the cavity by a lamination process. A second metal layer(107) is formed in the cavity with the organic materials by electroplating. A plurality of via holes(109) are formed between the first metal layer and the second metal layer.
Abstract translation: 目的：提供半导体衬底和半导体封装，通过使用SIW（衬底集成波导）和嵌入式IC互连技术实现高集成度的高频系统。 构成：在硅衬底（100）上形成腔体。 通过电镀在空腔的下侧形成第一金属层（103）。 有机材料（105）通过层压工艺填充在空腔中。 通过电镀在有机材料的空腔中形成第二金属层（107）。 在第一金属层和第二金属层之间形成多个通孔（109）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101115526B1
公开(公告)日：2012-02-27
申请号：KR1020100006617
申请日：2010-01-25
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L21/60
Abstract: 본 발명은 관통 실리콘 비아(Through Silicon Via; TSV) 제조 방법에 관한 것으로, 특히 폴리머 진공 열압착 공정을 이용한 관통 실리콘 비아 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명의 관통 실리콘 비아 제조 방법은 실리콘 기판의 전면에 구멍을 뚫는 (a) 단계; 상기 실리콘 기판의 전면에 폴리머 필름을 놓는 (b) 단계; 진공 상태에서 열과 압력을 이용하여 상기 폴리머 필름을 상기 실리콘 기판의 전면에 접합시키고 상기 구멍에 채워 넣는 (c) 단계; 상기 폴리머 필름으로 메워진 구멍을 처음 뚫을 때의 지름보다 작게 재차 뚫는 (d) 단계; 및 상기 재차 뚫린 구멍을 금속으로 메우는 (e) 단계를 포함하여 이루어진다.-
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公开(公告)号：KR1020110118289A
公开(公告)日：2011-10-31
申请号：KR1020100037800
申请日：2010-04-23
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H04B1/50
Abstract: 송수신용 다이플렉서를 이용한 RF 프런트 엔드 모듈이 제공된다. 본 RF 프런트 엔드 모듈은, 포트들 중 일부를 송신신호 입력에 이용하고, 포트들 중 다른 일부를 수신신호 출력에 이용하는 송수신용 신호전달부 및 송수신용 신호전달부를 통해 전달받은 송신신호를 방사하고 수신된 수신신호를 상기 송수신용 신호전달부로 전달하는 안테나를 포함한다. 이에 의해, RF 프런트 엔드 모듈에서 개별로 설계 및 구현되고 있는 송신용 또는 수신용 다이플렉서를 하나의 송수신용 다이플렉서로 구현함에 따라 송신용과 수신용 모두 적용될 수 있어 부품의 활용도가 높아지게 된다.
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公开(公告)号：KR101062147B1
公开(公告)日：2011-09-05
申请号：KR1020090047232
申请日：2009-05-29
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: PCB를 사용하여, 2.4GHz의 ISM 대역에서 사용되는 W-LAN 모듈의 RF 프론트-엔드(Front-end)인, PAM(Power Amplifier Module) IC, PAM의 특성을 향상시키기 위한 매칭 단(Matching Stage), 수신용 대역 통과 필터(Rx BPF), 발신용 저역 통과 필터(Tx LPF), 및 스위치 IC(또는 DPDT 스위치)를 하나의 모듈로 구현하는 PCB를 사용한 무선 LAN용 프론트 엔드 모듈 및 그 제조 방법이 각각 개시되어 있다. 모듈은 PAM(Power Amplifier Module) IC, 수신용 대역 통과 필터(Rx BPF), 발신용 저역 통과 필터{Tx LPF), 및 스위치 IC를 포함하는 PCB를 사용한 무선 LAN용 프론트 엔드 모듈에 있어서, 상기 스위치 IC, 상기 PAM IC, 및 상기 수신용 대역 필터는 상기 PCB 기판 상의 일 측에 위치하고 그 내부에 부품으로서 임베딩되며, 상기 발신용 저역 필터가 상기 스위치 IC와 상기 PAM IC가 위치한 옆 면에 분포 소자로서 상기 PCB 기판 내에 임베딩되는 것을 특징으로 한다.
무선 LAN, 프론트 엔드 모듈, PCB, 비아 홀
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