-
公开(公告)号：KR100982667B1
公开(公告)日：2010-09-17
申请号：KR1020080021878
申请日：2008-03-10
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 전기방사법을 이용하여 측면 발광 광섬유를 사용한 조명에 관한 것으로서, 기판과 광섬유 소재인 혼합 용액을 분사하는 니들 사이의 거리 조절이 가능한 전기방사 장치에 의해 소정의 및 형태로 광섬유를 배열한 기판; 및 상기 기판의 측면에 결합되어 상기 배열된 광섬유로 빛을 전달하는 광원으로 이루어지며, 이러한 측면 발광 광섬유 조명을 통해 일정한 면적에 소용되는 광원을 광섬유로 대체하여 제작 비용을 줄일 수 있으며, 상기 측면 발광 광섬유 조명의 구동 전력을 낮춤과 동시에 열 발생을 억제할 수 있는 효과가 있다.
측면 발광 광섬유, 측면 발광 광섬유 조명, 전기방사법, 거리 조절기, LED, 백라이트 유닛, 아크릴 모노머, 아크릴 중합체인 피엠에이.-
122.发明公开
公开(公告)号：KR1020100073015A
公开(公告)日：2010-07-01
申请号：KR1020080131590
申请日：2008-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: PURPOSE: A THz wave Tx/Rx module which a silicon ball lens is unified with a photoconductive antenna and a manufacturing method thereof are provided to easily generate and measure THz wave. CONSTITUTION: A plurality of photoconductive antennas(240) is formed into an array structure on a substrate. The whole structure is cut into the fixed size in order that one photoconductive antenna locate on the silicon wafer of the fixed size. The side of the silicon wafer cut into the fixed size is ground and a hemisphere silicon ball lens(230) is formed. A signal wire for the electrical contact with an outside element is connected to the photoconductive antenna.
Abstract translation: 目的：提供硅球透镜与光电导天线一体化的太赫兹波Tx / Rx模块及其制造方法，以便于生成和测量太赫兹波。 构成：多个光电导天线（240）在衬底上形成阵列结构。 将整个结构切割成固定尺寸，以便一个光电导天线位于固定尺寸的硅晶片上。 将切割成固定尺寸的硅晶片的侧面研磨，并形成半球硅球透镜（230）。 用于与外部元件的电接触的信号线连接到光电导天线。
-
公开(公告)号：KR1020090063047A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：KR1020080021878
申请日：2008-03-10
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: A side light emitting optical fiber illumination and a manufacturing method for the same are provided, which reduce the manufacture cost by replacing the light source used in the fixed area with the optical fiber. A side light emitting optical fiber illumination comprises the substrate, and the light source. The substrate arranges the optical fiber in the predetermined location and form. The light source is combined with the side of substrate. The light source deliverers the light to the arranged optical fiber. The electro-spinning apparatus comprises the syringe(120), the nozzle(130), and the controller(140). The syringe contains the mixture which is the material of the optical fiber. The nozzle discharges mixture according to the pumping. The controller sprays mixture to substrate.
Abstract translation: 提供一种侧光发射光纤照明及其制造方法，其通过用光纤替换固定区域中使用的光源来降低制造成本。 侧面发光光纤照明包括基板和光源。 基板将光纤布置在预定位置和形式中。 光源与基板的一侧结合。 光源将光提送到布置的光纤。 电纺设备包括注射器（120），喷嘴（130）和控制器（140）。 注射器包含作为光纤材料的混合物。 喷嘴根据泵送排出混合物。 控制器将混合物喷射到基材上。
-
公开(公告)号：KR1020090061958A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：KR1020070128991
申请日：2007-12-12
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L23/12
CPC classification number: H01L31/0203 , H01L31/02325
Abstract: A packing apparatus of terahertz device is provided to smoothly measure the electrical characteristic of the independent electrical device. The packing apparatus of terahertz device comprises a terahertz wave device(31), a device substrate(32), a ball lens block(33), a lower case(34) and an upper case(35). The terahertz wave device has the specific active region. The active region performs detection and the radiation of the terahertz wave. The device substrate has the opening region on the center. The terahertz wave device is settled in the device substrate. The opening area of the device substrate arranges with the active region of the terahertz wave device. The device substrate electrically connects with the terahertz wave device. The ball lens block is arranged on the terahertz wave device. The lower part and upper cases surround the device substrate and terahertz wave device. The lower part and upper cases expose the active region of the terahertz wave device.
Abstract translation: 提供太赫兹装置的包装装置以平滑地测量独立电气装置的电气特性。 太赫兹装置的包装装置包括太赫兹波装置（31），装置基板（32），球透镜块（33），下壳体（34）和上壳体（35）。 太赫兹波器件具有特定的有源区域。 有源区域执行太赫兹波的检测和辐射。 器件衬底在中心具有开口区域。 太赫兹波器件被安置在器件衬底中。 器件基板的开口面积与太赫兹波器件的有源区域配置。 器件衬底与太赫兹波器件电连接。 球形透镜块设置在太赫波装置上。 下部和上壳围绕器件衬底和太赫兹波器件。 下部和上部壳体暴露了太赫兹波器件的有源区域。
-
125.发明公开
公开(公告)号：KR1020090056764A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：KR1020080015284
申请日：2008-02-20
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01S3/1026 , G02B27/30 , G02F2/02 , H01Q15/23 , H01S3/1075
Abstract: A terahertz wave generating device of high output, a manufacturing method thereof, and a near field electro spinning device are provided to increase an output of the terahertz wave by increasing a voltage applied to a photoconductive antenna based on a wide band gap material with a high breakdown voltage. A terahertz wave generating device of high output includes a semi-insulating substrate and a photoconductive antenna(120). The photoconductive antenna has an electrode pattern formed for applying the voltage to the upper part of the semi-insulating substrate and has an array shape by arranging a wide band gap material in the upper part of the electrode pattern in a row. A lens(110), the photoconductive antenna, and a power supply unit(130) are formed in the upper part of the semi-insulating substrate. A bias voltage is applied from the power supply unit to the photoconductive antenna. If a light wave of an ultraviolet range is injected by a semiconductor laser, the photoconductive antenna absorbs the light and generates the terahertz wave with high intensity.
Abstract translation: 提供高输出的太赫兹波发生装置及其制造方法和近场电纺丝装置，以通过增加基于宽带隙材料的光电导天线的电压来增加太赫兹波的输出 击穿电压。 高输出的太赫波产生装置包括半绝缘衬底和光电导天线（120）。 光电导天线具有形成为将电压施加到半绝缘基板的上部的电极图案，并且通过在电极图案的上部排列布置宽带隙材料而具有阵列形状。 在半绝缘基板的上部形成透镜（110），光电导天线和电源单元（130）。 从电源单元向光电导天线施加偏置电压。 如果通过半导体激光器注入紫外线范围的光波，则光电导天线吸收光并产生高强度的太赫兹波。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100848317B1
公开(公告)日：2008-07-24
申请号：KR1020060124125
申请日：2006-12-07
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/00
CPC classification number: G01R31/2822 , G01R31/2841
Abstract: 주입되는 광파 및 전파를 이용하여 테라헤르츠파를 생성하는 테스트 대상 장치;
광섬유를 통해 전달되는 광을 이용하여 상기 테스트 대상 장치를 스캔하는 탐침; 및
상기 전파를 생성하여 상기 테스트 대상 장치에 주입하는 구동 발진기-
公开(公告)号：KR1020080052087A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：KR1020060124125
申请日：2006-12-07
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/00
CPC classification number: G01R31/2822 , G01R31/2841
Abstract: An apparatus and a method for generating THz-waves by heterodyning optical and electrical waves are provided to control precisely a near-field optical fiber probe by using the near-field optical fiber probe and a nano-actuator. A test target unit generates THz-waves by using injected optical waves and electric waves. A probe is formed to scan the test target unit by using light received through an optical fiber. A driving oscillator(7) generates the electric waves and applies the electric waves to the test target device. The probe includes a lossless optical waveguide part, a tapering optical fiber part, and a probe terminal in order to connect the optical waveguide part with the optical fiber. Diameter of the probe terminal is shorter than wavelength of the light. A scanning direction of the probe crosses the direction in which the electric waves are injected.
Abstract translation: 提供了一种用于通过外光学和电波产生太赫兹波的装置和方法，以通过使用近场光纤探针和纳米致动器精确地控制近场光纤探针。 测试目标单元通过使用注入的光波和电波产生太赫兹波。 形成探针，通过使用通过光纤接收的光来扫描测试目标单元。 驱动振荡器（7）产生电波并将电波施加到测试目标器件。 该探针包括无损光波导部分，锥形光纤部分和探针端子，以将光波导部分与光纤连接。 探针端子的直径比光的波长短。 探针的扫描方向与电波注入的方向交叉。
-
128.发明授权급격한 ＭＩＴ 소자, 그 소자를 이용한 ＭＩＴ 센서 및 그ＭＩＴ 센서를 포함한 경보기 및 이차전지 폭발 방지 회로 失效突发的金属 - 绝缘体转换MIT装置，MIT传感器使用相同的突发MIT装置，以及报警装置和二次电池防爆电路，包括相同的MIT传感器
公开(公告)号：KR100825760B1
公开(公告)日：2008-04-29
申请号：KR1020060125063
申请日：2006-12-08
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L49/003 , G01K3/005
Abstract: 본 발명은 급격한 MIT를 일으키는 전이 온도 또는 전이 전압을 요구되는 특정 온도 또는 특정 전압으로 가변할 수 있는 급격한 MIT 소자, 그 급격한 MIT 소자를 이용한 MIT 센서, 및 그 MIT 센서를 포함한 경보기 및 이차전지 폭발방지 회로를 제공한다. 그 급격한 MIT 소자는 전이 온도 또는 전이 전압에서 급격한 금속-절연체 전이(Metal-Insulator Transition:MIT)를 일으키는 급격한 MIT 박막; 급격한 MIT 박막에 컨택하는 적어도 2 개의 전극 박막;을 포함하고, 전극박막으로 인가되는 전압, 급격한 MIT 박막에 영향을 미치는 전자파, 압력 및 개스 농도 변화 중 적어도 하나의 인자의 변화에 의해 전이 온도 또는 전이 전압이 가변된다. 그 MIT 센서는 급격한 MIT 소자를 이용하여 형성되고, 온도 센서, 적외선 센서, 이미지 센서, 압력 센서, 및 개스 농도 센서 및 스위치 등이 될 수 있다. 또한, 그 경보기는 MIT 센서; 및 MIT 센서에 직렬로 연결된 경보신호기;를 포함하고, 그 이차전지 폭발방지 회로는 이차전지; 이차전지에 부착되어 이차전지의 온도를 감지하여 이차전지의 폭발을 방지하는 MIT 센서; 및 이차 전지에 의해 전력을 공급받는 회로 본체;를 포함한다.
금속-절연체 전이, 급격한 MIT 소자, 온도 센서, 경보기 회로, 리튬이온 전 지 보호회로-
129.发明授权
公开(公告)号：KR100799577B1
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：KR1020060083570
申请日：2006-08-31
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G01N27/122 , G01N27/127
Abstract: A method for manufacturing a sensor for detecting gases and biochemical materials, an integrated circuit including the sensor, and a method for manufacturing the integrated circuit are provided to prevent degradation of MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)-based unit elements by integrating a plurality of compact sensors for detecting gases and biochemical materials with multi-functioning unit elements in the same circuit by low temperature process. An integrated circuit(20) comprises a semiconductor substrate(200), a sensor for detecting gases and biochemical materials(250), a heater(210), and a signal processing unit(220). The sensor for detecting gases and biochemical materials comprises a pair of electrodes(252) provided within a first area on the semiconductor substrate, and a metal oxide nano-structure layer(254) provided on the surface of the electrodes. The heater is provided on a second area adjacent the sensor on the semiconductor substrate. The signal processing unit is made with MOSFET elements provided in a third area on the semiconductor substrate to process a predetermined signal obtained by changes of current flowing via the electrodes of the sensor. A method for manufacturing the integrated circuit comprises the steps of: forming a plurality of MOSFET elements on the semiconductor substrate; and forming the sensor for detecting gases and biochemical materials on the MOSFET elements; wherein the steps for forming the sensor comprises; forming a passivation film(240) on the MOSFET elements; forming at least a pair of electrodes on the passivation film; and forming a metal oxide nano-structure layer over the surface of the electrodes at the normal temperature to 400°C.
Abstract translation: 一种用于制造用于检测气体和生化材料的传感器的方法，包括该传感器的集成电路和一种用于制造集成电路的方法，用于防止基于MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的单位元件的劣化 用于通过低温过程在同一电路中检测具有多功能单元元件的气体和生化材料的多个紧凑型传感器。 集成电路（20）包括半导体衬底（200），用于检测气体和生化材料的传感器（250），加热器（210）和信号处理单元（220）。 用于检测气体和生化材料的传感器包括设置在半导体衬底上的第一区域内的一对电极（252）和设置在电极表面上的金属氧化物纳米结构层（254）。 加热器设置在与半导体衬底上的传感器相邻的第二区域上。 信号处理单元由设置在半导体基板上的第三区域中的MOSFET元件制成，以处理通过经由传感器的电极流动的电流的变化而获得的预定信号。 一种用于制造集成电路的方法包括以下步骤：在半导体衬底上形成多个MOSFET元件; 并形成用于检测MOSFET元件上的气体和生化材料的传感器; 其中用于形成传感器的步骤包括： 在所述MOSFET元件上形成钝化膜（240）; 在钝化膜上形成至少一对电极; 并在常温至400℃的电极表面上形成金属氧化物纳米结构层。
-
公开(公告)号：KR100772508B1
公开(公告)日：2007-11-01
申请号：KR1020060018506
申请日：2006-02-25
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 주위의 잡음신호에 영향을 받지 않고, 간단한 구조로 부분방전을 직접 확인할 수 있는 부분방전 측정장치 및 이를 포함하는 측정시스템을 제공한다. 그 장치 및 시스템은 급격한 금속-절연체 전이를 하는 절연체의 부분방전에 의해 도전되는 피뢰부와, 피뢰부에 전기적으로 연결되고 제1 저항값 R
1 을 가지며 부분방전을 감지하는 제1 전극 및 제1 전극과 병렬로 연결되고 R
1 보다 작은 저항값 R
2 를 가지는 적어도 하나의 제2 전극을 포함한다.
급격한 금속-절연체 전이, 부분방전, 피뢰부
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
212
records
(took 0.027 seconds)
