公开(公告)号：KR100218670B1

公开(公告)日：1999-09-01

申请号：KR1019960061516

申请日：1996-12-04

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 맹성재 ,  이재진 ,  편광의

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66863 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/28581 ,  H01L21/28587

Abstract: 본 발명은 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 초고주파 저잡음용 소자제작을 위해 게이트 저항을 줄이는 방법으로 Ｔ형 게이트가 사용되고 있는데, 종래의 방법은 공정이 복잡하거나 게이트의 두께에 제한으로 잡음지수를 줄이는데 한계가 있었다. 이러한 문제점을 해결하기 위한 본 발명은 에피구조를 이용하여 전계효과 트랜지스터를 제작할 때 게이트 길이를 줄이기 위해 이중 노광에 의해 게이트패턴을 형성하고 얇은 금속막을 증착한 후 도금용 패턴을 형성하고 전기 도금으로 게이트를 형성하는 공정을 수행하므로 생산 단가와 수율을 높일 수 있으며, 잡음지수를 향상시킬 수 있는 반도체 소자의 게이트 형성 방법이 제시된다.

公开(公告)号：KR1019990052551A

公开(公告)日：1999-07-15

申请号：KR1019970072044

申请日：1997-12-22

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김민건 ,  황인갑 ,  이재진 ,  편광의 ,  이창석

IPC: H01Q1/08 ,  H01Q1/27

Abstract: 본 발명은 휴대용 전화기에서 전화 통화 시에 자동으로 안테나를 올려주고 통화 종료 시 자동으로 안테나를 내려주는 장치와 이 장치를 사용하지 않을 시 통화 중 휴대 전화기의 수신 신호의 세기에 따라 수신 신호가 일정치 이하로 약해질 경우 안테나를 자동으로 올려주는 장치에 관한 것으로 휴대전화기 사용 시 통화 율을 높이고 안테나로부터 발생되는 전자파가 휴대전화기 안에 있는 안테나로부터 뇌로 직접 방사되는 것을 방지하기위한 것을 그 목적으로 한다.
본 발명에는 전화를 수신하기 위하여 키 패드의 키를 누르면 동시에 전화기 안테나의 구동 장치를 동작시켜 안테나를 올려주는 회로와 전화 통화가 끝난 후 통화 종료 버튼을 누르면 자동으로 안테나를 내려주는 회로로 구성되며, 또한 전화기에 수신되는 신호에 따라 수신 신호가 약할 때 자동으로 안테나를 올려주고 통화가 끝나면 자동으로 안테나를 내려 주는 회로로 구성된다.

公开(公告)号：KR100204600B1

公开(公告)日：1999-06-15

申请号：KR1019960047659

申请日：1996-10-23

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김민건 ,  김충환 ,  이창석 ,  이재진 ,  편광의

IPC: H01L23/28

CPC classification number: H03H7/38 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 본 발명은 초고주파 모노리식 집적회로의 실장에 사용되는 패키지 접지단 패들의 기생성분을 나타내는 등가회로에 관한 것으로, 각각의 단자로부터 출력되는 임피던스 성분을 하나의 공통 임피던스 성분으로 하고, 이 공통 임피던스를 접지 하도록 한 등가회로 구조를 도입함으로써, 다운 본딩되는 금선의 수에 따라 기생성분의 표현을 쉽게 확장할 수 있는 패키지 접지단 패들의 근사적인 등가회로에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR100194601B1

公开(公告)日：1999-06-15

申请号：KR1019950047857

申请日：1995-12-08

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이경호 ,  이재진

IPC: H01L21/334

Abstract: 본 발명은 금속반도체 전계효과트랜지스터의 제조방법에 관한 것으로서, 갈륨비소 기판에 오믹전극 접합부위를 이온주입법으로 형성시킬 때 종래의 원자규소 대신 분자규소 소스를 이온주입하여 합금화 열처리 시 잔류 격자손상에 의한 규소의 유입 및 오믹전극 중의 게르마늄의 확산을 촉진시켜 오믹전극의 접촉저항 및 기생특성을 개선시킨다. 따라서 분자규소 소스를 주입하여 접합부위를 형성시키면 잔류격자손상과 그로인한 과잉의 규소유입에 의하여 후속 오믹전극의 합금화 열처리 시 오믹전극의 게르마늄이 기판내부로 확산되는 현상을 증진시킬 수 있다.
또한 이러한 채널과 접합부위를 자기정렬형(self-aligned) MESFET의 전도층 및 접합으로 각각 활용하면 기생특성을 개선시키고 고집적도를 이룰 수 있게 된다.

公开(公告)号：KR100148419B1

公开(公告)日：1998-12-01

申请号：KR1019940023880

申请日：1994-09-22

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이재진 ,  이해권 ,  김경수 ,  박형무

IPC: H01L21/28

Abstract: 본 발명은 박막을 성장할 때 가열된 기판에 초음파를 인가하여 기판에 형성되는 박막의 질을 개선하는 장치에 관한 것으로, 종래의 박막성장장치에 고품질의 성장박막을 얻기 위하여 성장중인 기판에 초음파를 인가하는 장치를 제공하는데 목적이 있다.
이러한 목적으로 본 발명은 기판에 성장박막을 강하게 용착시킬 수 있고, 성장이 어려운 물질도 쉽게 성장이 가능하도록 하여 박막의 질을 향상시킬 수 있고 전기적, 광학적 특성이 좋은 박막을 제조할 수 있다. 본 발명은 상술한 작용으로 박막성장 중 기판에 인가한 초음파에 의하여 부착력이 향상되므로 기존의 부착력이 낮아 성장이 어려웠던 물질의 성장이 가능하여지고, 부착계수가 반인 물질은 배로 증가하게 되므로 결정성장 중 배경압력을 충분히 낮추어 성장박막의 질을 향상시킬 수 있고 소오스를 절감할 수 있는 효과를 기대할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019980079053A

公开(公告)日：1998-11-25

申请号：KR1019970016711

申请日：1997-04-30

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 문재경 ,  김해천 ,  이재진

IPC: H01L21/302

Abstract: 본 발명은 반도체 소자의 제조 공정에 사용되는 웨이퍼의 습식 식각용 홀더에 관한 것이다.
습식 식각용 홀더는 반도체 웨이퍼의 습식 식각공정에서 식각용액에 반도체 웨이퍼를 위치시키는데 사용되는 것으로, 종래의 습식 식각용 홀더는 상하위치에 따라 농도차가 있는 식각용액내에 반도체 웨이퍼를 수직으로 세워 위치하게 함으로써 반도체 웨이퍼의 상하위치별로 식각 속도의 차이가 생겨 웨이퍼 전체의 전기적 특성 균일도를 떨어뜨리는 문제점이 있었다.
이에 본 발명은 반도체 웨이퍼를 식각용액내에 수평방향으로 위치하게 하는 수평장착수단을 구비한 반도체 식각용 홀더를 안출하여 식각액의 상하위치에 따른 농도차이의 영향을 줄여 웨이퍼 공정 재현성과 특성 균일도 및 생산 수율 향상 효과를 얻을 수 있으며, 반도체 소자 제작 공정에 있어서 공정개선 및 원가 절감에 기여할 수 있게 하였다.

公开(公告)号：KR1019980045886A

公开(公告)日：1998-09-15

申请号：KR1019960064131

申请日：1996-12-11

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김충환 ,  문재경 ,  김해천 ,  이재진 ,  편광의

IPC: H03F3/345

Abstract: 본 발명은 갈륨 비소 메스펙트(GaAs MESFET)를 이용한 직류 전류 보상 회로를 사용하여 기존의 회로와 비교하여 면적도 작게 차지하고, 외부 변화에 대하여 내부 회로의 직류전류의 변화를 줄일 수 있는 갈륨 비소 인한스먼트/디플리션 메스펙트을 이용한 직류 전류 보상 회로에 관해 개시된다.

公开(公告)号：KR1019980014634A

公开(公告)日：1998-05-25

申请号：KR1019960033694

申请日：1996-08-14

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김해천 ,  문재경 ,  이재진

IPC: H01L21/28

Abstract: 본 발명은 T형 게이트제조 방법에 관한 것으로, 스텝퍼를 사용하여 실리콘 나이트라이드의 증착 및 건식 식각에 의하여 게이트 길이가 짧은 T-형 게이트를 제조하므로서, 게이트 길이가 짧게 형성되면서도 게이트 저항이 증가하지 않아 소자의 이득 및 잡음 특성이 나빠지지 않고, 일반 스텝퍼의 패턴 해결(Resolution)의 한계인 0.5μm 보다 훨씬 작은 0.1∼0.2μm의 게이트 길이를 갖는 고주파용 GaAs MESFET 소자를 제작할 수 있으며, 생산성을 높이고 공정의 단가를 줄일 수 있는 T-형 게이트 제조 방법이 개시된다.

公开(公告)号：KR100133470B1

公开(公告)日：1998-04-23

申请号：KR1019940010562

申请日：1994-05-14

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 윤선진 ,  이승창 ,  이재진

IPC: H01L21/20

Abstract: 본 발명은 고상재료 분자선증착에서 전자빔 용융시 생성되는 하전입자들의 가속을 이용한 Si 및 Si-
x Ge
x (x=몰분율) 다결정 박막 저온성장방법에 관한 것으로서, 전자빔 용융법을 사용하는 Si 및 Ge 고상재료 분자선증착장비에서 생성되는 수% 정도의 Si 및 Ge 이온 또는 전자들을 기판에 소정의 전압을 가함으로써 가속하여 계면특성이 우수한 고품위의 다결정 Si 및 Si
1 -
x Ge
x (x=몰분율) 박막을 400℃ 이하의 저온에서 증착하고, 또는 상기 Si 및 Ge 이온들을 기판전극에 (-)전압을 가하여 기판을 향해 가속시킴과 동시에 도판트들을 인 사이츄(in situ) 도핑하여 고농도의 p-형 및 n- 형 불순물을 포함한 다결정 Si 및 Si
1 -
x Ge
x 저온증착기술을 제공하므로써 종래의 분자선증착법 또는 화학증착법과는 달리 운동에너지 및 하전입자에 의한 표면에너지 변화 효과등� � 이용할 수 있어 적합한 박막 특성을 얻을 수 있고, 저온에서 다결정 Si 및 SiGe을 성장하는 기술로 박막 트랜지스터에 응용할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019970053018A

公开(公告)日：1997-07-29

申请号：KR1019950047857

申请日：1995-12-08

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이경호 ,  이재진

IPC: H01L21/334