Abstract:
PURPOSE: A non-cooling type infrared ray sensor and a manufacturing method thereof are provided to increase the infrared absorptivity of a microbolometer by forming a dual absorption layer above/under a structure film for a microbolometer. CONSTITUTION: A reflecting layer(30) is formed on a substrate(10). A first absorption layer(60) is formed by being separated from the reflecting layer. A resistant layer(80) is formed on the first absorption layer. A second absorption layer(100) is formed on the resistant layer. An insulating layer which electrically insulates each layer is formed between the reflecting layer, the first absorption layer, the resistant layer, and the second absorption layer.
Abstract:
PURPOSE: A humidity sensor and a manufacturing method thereof are provided to increase humidity measuring sensitivity, and to reduce hysteresis, and to reduce power consumption. CONSTITUTION: A humidity sensor comprises a substrate(401), a cavity(416), electrode pads(EH,ES,EG), a heater(415), a detection electrode(414), a humidity sensing layer(430), and a surrounding temperature measuring unit(420). The cavity is formed in the substrate, and the top is opened. The electrode pads are formed on the substrate. One end of the heater is connected to one of the electrode pads, and the other end is connected to the other electrode pad. The humidity sensing layer is formed between the heater and the detection electrode. The surrounding temperature measuring unit measures temperature surrounding the humidity sensor.
Abstract:
PURPOSE: A bolometer structure including a supplementation absorbing layer, a pixel for sensing infrared rays using the same, and a manufacturing method thereof are provided to improve a processing yield by thinly forming the depth of a bolometer structure. CONSTITUTION: A first metal layer(410) is formed on the single-side of a temperature sensitivity type register(414). The first metal layer absorbs infrared rays. A second metal layer(416) is formed on the other side of the temperature sensitivity type register. The second metal layer outputs a resistance change of the temperature sensitivity type register to the outside. An insulating layer(412) is formed between the temperature sensitivity type register and the first metal layer.
Abstract:
본 발명은 초소형 반도체식 압력센서 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 기판의 공동 형성 영역을 트랜치 식각하여 복수의 트랜치를 형성하고, 상기 복수의 트랜치를 열적 산화 공정을 통해 산화시켜, 캐비티 형성용 산화막을 형성한 후, 상기 캐비티 형성용 산화막 및 기판의 상부에 맴브레인 모재용 물질막을 형성하고, 상기 맴브레인 모재용 물질막에 복수의 식각홀을 형성하여, 상기 복수의 식각홀을 통해 상기 캐비티 형성용 산화막을 제거함에 의해, 상기 기판에 매몰된 공동을 형성하며, 상기 맴브레인 모재용 물질막의 상부에 맴브레인 보강층을 형성하여, 공동을 밀폐하는 맴브레인막을 형성하고, 상기 맴브레인막의 상부에 압저항형 소재로 이루어진 감지막을 형성함에 의해 구현된다. MEMS, 압력 센서, 압저항형, CMOS, 공동, 맴브레인
Abstract:
본 발명은 고해상도의 정전용량-시간 변환 회로에 관한 것으로, MEMS(Micro Electro Mechanical System) 센서의 제1 및 제2 정전용량 각각을 통해 충방전 동작을 수행하여 상기 제1 및 제2 정전용량 각각에 상응하는 주파수를 가지는 제1 및 제2 감지 신호를 생성하는 정전용량차 감지부; 상기 제1 및 제2 감지신호간의 주파수차에 의해 발생되는 상기 제1 및 제2 감지신호간의 위상차를 누적시키는 위상차 누적부; 및 상기 누적된 위상차에 상응하는 펄스폭을 가지는 시간 신호를 생성하는 시간 신호 생성부를 포함하여 구성되며, 이에 의하여 미소한 정전용량차도 정확하게 감지해 낼 수 있을 뿐 만 아니라, 초소형화 및 저전력 회로에서도 안정적으로 사용될 수 있도록 한다. 정전용량 변화량, 정전용량 변화량 변환, 위상차, 위상차 누적
Abstract:
There is provided a micromachined sensor for measuring a vibration, based on silicone micromachining technology, in which a conductor having elasticity is connected to masses moving due to a force generated by the vibration and the vibration is measured by using induced electromotive force generated due to the conductor moving in a magnetic field.
Abstract:
PURPOSE: A vertical acceleration measuring system is provided to prevent malfunction by removing the change of whole capacitance through offsetting. CONSTITUTION: A fixture(601) supports a fixing part and a moving part. A connection spring(617) connects the fixture and an operational electrode plate support part(615). The connection spring supports the elasticity to the moving part. The connection spring transmits current to the operational electrode plate. The operational electrode plate supporting part supports a first operational electrode plate(603). The operational electrode plate supporting part is made of conductive materials. The first operational electrode plate and the second operational electrode plate(605) measure the displacement according to the acceleration. The first and the second operational electrode plates and the first and second fixing electrode plates(611,613) function as a parallel plate capacitor. A mass sinker(621) applies mass on the moving part.
Abstract:
본 발명은 폴리이미드 박막을 희생층으로 사용하는 멤스 구조체의 제작과정에 있어 엥커 공정시에 격자형태의 더미 패턴을 형성하여 균열을 방지하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 멤스 구조체 제조 방법은, (a) 기판을 형성하는 단계; 및 (b) 다수개의 비워진 영역이 구비된 형태의 희생층을 상기 기판 상에 형성하고, 상기 비워진 영역에 소자를 형성하는 단계를 포함하되, 상기 희생층의 상기 각 비워진 영역들 사이에 적어도 일방향의 격자 홈들이 위치하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의해 제안된 방법을 이용함으로써 멤스 구조체의 균열 현상을 줄일 수 있으며 이를 이용하여 더욱 얇은 두께를 가지는 멤스 구조체를 제조하는 것이 현저히 용이해진다. 멤스, 폴리이미드, 희생층, 균열
Abstract:
본 발명은 잡음 감소 및 온도 감지에 대한 정밀도가 향상된 볼로미터 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 결정화도가 높은 단결정 실리콘(Si) 또는 실리콘 게르마늄(Si 1-x Ge x , x=0.2~0.5)으로 저항층을 형성함으로써, 종래의 비정질 실리콘 볼로미터에 비하여 1/f 잡음을 감소시킬 수 있으며, 이에 따라 적외선 센서의 온도 감지에 대한 정밀도를 획기적으로 향상시킬 수 있는 것을 특징으로 한다. 볼로미터, 저항체, 단결정, 실리콘, 실리콘 게르마늄
Abstract:
A three-dimensional inclination angle calculation circuit is provided. The three-dimensional inclination angle calculation circuit includes: X-axis, Y-axis, and Z-axis vibration sensors which change X-axis, Y-axis, and Z-axis electrostatic capacitances according to three-dimensional positions of a measured plane with respect to a reference plane, respectively; X-axis, Y-axis, and Z-axis position value acquisition units which acquire X-axis, Y-axis, and Z-axis position values corresponding to the X-axis, Y-axis, and Z-axis electrostatic capacitances, respectively; and an inclination angle calculation unit which calculates an inclination angle of the measured plane with respect to the reference plane based on the X-axis, Y-axis, and Z-axis position values. Accordingly, it is possible to very easily calculate an inclination angle according to a three-dimensional position of a to-be-measured apparatus by using an existing vibration sensor.