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公开(公告)号：KR100986221B1
公开(公告)日：2010-10-08
申请号：KR1020080056396
申请日：2008-06-16
Applicant: 한국전자통신연구원 , 한국산업기술대학교산학협력단
IPC: G01P15/08 , G01P15/097
CPC classification number: G01P15/125
Abstract: 본 발명은 수직 방향 가속도 측정 장치에 관한 것이다.
본 발명에 따르면 기판, 상기 기판과 분리되며 가동하는 질량추, 상기 질량추의 상단에 일정한 방향으로 형성되는 복수의 가동 전극판, 상기 질량추의 상단에 형성되며 상기 가동 전극판을 지지하는 가동 전극판 지지부, 상기 기판의 상단에 형성되는 고정체, 상기 고정체와 결합하며 상기 질량추의 상단과 인접하여 형성되는 고정 전극판 지지부, 상기 고정 전극판 지지부에 의해 지지되며 상기 가동 전극판과 평행하게 대면하도록 배열되는 복수의 고정 전극판 및 상기 고정체 및 상기 가동 전극판 지지부를 연결하는 연결 스프링을 포함하는 수직 방향 가속도 측정 장치를 제공할 수 있다.
가속도 측정, 수직 방향-
公开(公告)号：KR1020090130671A
公开(公告)日：2009-12-24
申请号：KR1020080056396
申请日：2008-06-16
Applicant: 한국전자통신연구원 , 한국산업기술대학교산학협력단
IPC: G01P15/08 , G01P15/097
CPC classification number: G01P15/125
Abstract: PURPOSE: A vertical acceleration measuring system is provided to prevent malfunction by removing the change of whole capacitance through offsetting. CONSTITUTION: A fixture(601) supports a fixing part and a moving part. A connection spring(617) connects the fixture and an operational electrode plate support part(615). The connection spring supports the elasticity to the moving part. The connection spring transmits current to the operational electrode plate. The operational electrode plate supporting part supports a first operational electrode plate(603). The operational electrode plate supporting part is made of conductive materials. The first operational electrode plate and the second operational electrode plate(605) measure the displacement according to the acceleration. The first and the second operational electrode plates and the first and second fixing electrode plates(611,613) function as a parallel plate capacitor. A mass sinker(621) applies mass on the moving part.
Abstract translation: 目的：提供垂直加速度测量系统，通过抵消整个电容的变化来防止故障。 构成：固定装置（601）支撑固定部件和移动部件。 连接弹簧（617）连接固定装置和操作电极板支撑部分（615）。 连接弹簧支撑到移动部件的弹性。 连接弹簧将电流传递到操作电极板。 操作电极板支撑部件支撑第一操作电极板（603）。 操作电极板支撑部分由导电材料制成。 第一操作电极板和第二操作电极板（605）根据加速度测量位移。 第一和第二操作电极板以及第一和第二固定电极板（611,613）用作平行板电容器。 质量沉降片（621）在移动部件上施加质量。
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公开(公告)号：KR101183972B1
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：KR1020080127604
申请日：2008-12-16
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/09 , H01L31/101
Abstract: 본 발명은 적외선 감지용 픽셀 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 볼로미터 구조체의 대칭적 적층 구조를 구현함으로써 스트레스에 둔감한 적외선 감지용 픽셀 및 이의 제조 방법을 제공한다.
이를 위하여, 본 발명의 일실시 예에 따른 적외선 감지용 픽셀은, 내부에 신호 취득 회로(Read-Out Integrated Circuit; ROIC)가 포함되어 있으며, 적외선 반사를 위한 반사층이 적층된 기판; 상기 기판으로부터 간격을 두고 형성되며, 온도 감응형 저항체, 상기 온도 감응형 저항체의 일면에 패턴을 가지고 형성되는 제 1 금속층, 적외선을 보완적으로 흡수하기 위하여 상기 온도 감응형 저항체의 타면에 상기 제 1 금속층과 상보적인 패턴으로 형성되는 제 2 금속층 및 상기 온도 감응형 저항체와 상기 제 1 금속층 사이에 형성된 절연층을 포함하는 볼로미터 구조체; 및 상기 제 1 금속층 및 상기 제 2 금속층에서 흡수된 적외선에 따른 상기 온도 감응형 저항체의 저항 변화를 상기 제 2 금속층으로부터 입력받아 상기 신호 취득 회로로 전달하는 금속 패드를 포함한다.
그럼으로써, 향상된 응답도를 기대할 수 있으며, 스트레스에 강한 구조 및 간단한 구조를 구현할 수 있고, 이로 인한 공정 수율의 향상을 도모할 수 있고, 그 부피를 줄임으로써 응용되는 제품의 부피, 무게 및 가격 등의 감소 효과를 기대할 수 있다.
볼로미터, 적외선 센서, 온도 감응 저항체-
公开(公告)号：KR1020110073199A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：KR1020100052234
申请日：2010-06-03
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H03K17/96 , H03K19/0175 , G06F3/044 , H03K17/955
CPC classification number: H03K17/962 , G06F3/044 , H03K17/955 , H03K19/0175
Abstract: PURPOSE: An interface circuit for a static capacitive touch-sensitive sensor is provided to simultaneously obtain the high sensitivity and the analog digital conversion characteristic by arranging a complementary metal oxide semiconductor oscillator, a logic gate, and a D-flipflop in the circuit. CONSTITUTION: An oscillator part(110) outputs a first signal(QS') with a cycle in proportion to the change of the static capacitance of a touch-sensitive panel. A down counterpart(120) includes a plurality of serially connected first D-flipflops. Each clear input terminal of a first D-flipflop receives an enable signal. A latch part(130) includes a plurality of second D-flipflops corresponding to the first D-flipflops. The data input terminal of the second D-filpflops receive a second signal(Q1 to QN) outputted from the first D-flipflops.
Abstract translation: 目的：提供一种用于静态电容式触敏传感器的接口电路，通过在电路中布置互补金属氧化物半导体振荡器，逻辑门和D触发器来同时获得高灵敏度和模拟数字转换特性。 构成：振荡器部分（110）以与触摸敏感面板的静态电容的变化成比例的周期输出第一信号（QS'）。 下降部件（120）包括多个串联连接的第一D触发器。 第一D触发器的每个清零输入端接收使能信号。 闩锁部分（130）包括对应于第一D触发器的多个第二D触发器。 第二D-filplop的数据输入端接收从第一D触发器输出的第二信号（Q1至QN）。
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公开(公告)号：KR1020100063618A
公开(公告)日：2010-06-11
申请号：KR1020090028248
申请日：2009-04-01
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: PURPOSE: A high-sensitivity MEMS type z-axis vibration sensor and a manufacturing method thereof are provided to apply to a seismometer detecting a low frequency of a seismic wave with very little vibration quantity and low vibration speed. CONSTITUTION: A manufacturing method of a high-sensitivity mems type z-axis vibration sensor is as follows. After preparing a SOI substrate, The top silicon layer(130a) of the SOI substrate to be used as a bottom electrode is doped. A poly silicon layer(170a) to be used as a center ground electrode and an oxide film of a predetermined thickness are formed at the top of the doped top silicon layer. The poly silicon layer is doped. A sacrifice layer oxidation film(147a) of a predetermined thickness and a top electrode(190) are formed at the top of the doped poly silicon layer. An etching process is continuously performed from the silicon wafer(110) of the bottom of the SOI substrate to isolate the area to be further connected to center of mass of a center ground electrode from the doped top silicon layer. By etching the sacrifice layer oxidation film and the oxide film through the top of the top electrode, the doped poly silicon layer forms a vibration space capable of vibrating in the Z-axis direction.
Abstract translation: 目的：提供一种高灵敏度的MEMS型z轴振动传感器及其制造方法，以应用于以非常小的振动量和低振动速度检测地震波的低频的地震仪。 构成：高灵敏度mems型z轴振动传感器的制造方法如下。 在准备SOI衬底之后，掺杂用作底部电极的SOI衬底的顶部硅层（130a）。 在掺杂的顶部硅层的顶部形成用作中心接地电极的多晶硅层（170a）和预定厚度的氧化物膜。 多晶硅层被掺杂。 在掺杂多晶硅层的顶部形成预定厚度的牺牲层氧化膜（147a）和顶部电极（190）。 从SOI衬底的底部的硅晶片（110）连续地进行蚀刻处理，以将与中心接地电极的质心相连接的区域与掺杂的顶部硅层隔离。 通过蚀刻牺牲层氧化膜和氧化膜通过顶部电极的顶部，掺杂的多晶硅层形成能够在Z轴方向振动的振动空间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020090065941A
公开(公告)日：2009-06-23
申请号：KR1020070133497
申请日：2007-12-18
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: A bolometer of a multilayer structure and a manufacturing method thereof are provided to improve an infrared absorbing ratio by widening sufficiently an infrared absorbing layer in order to obtain a high fill-factor. A semiconductor substrate(210) includes a detection circuit formed therein. A first and second meta pads are formed on an upper part of the semiconductor substrate. A sensor structure(200) is positioned at an upper part of the semiconductor substrate. A space corresponding to an infrared wavelength(lambda)/4 is formed between the sensor structure and the first and second metal pads. A body unit(250) is positioned at an upper part of the first and second metal pads. A resistance layer is formed to change a resistance according to a change of temperature in an infrared absorbing process. One supporting arm is composed of a two-layer structure having an upper layer and a lower layer in order to be electrically connected with the first and second metal pads.
Abstract translation: 提供了一种多层结构的测辐射热计及其制造方法，以通过充分地加宽红外线吸收层来提高红外吸收比，以获得高的填充因子。 半导体衬底（210）包括形成在其中的检测电路。 第一和第二元件衬垫形成在半导体衬底的上部。 传感器结构（200）位于半导体衬底的上部。 在传感器结构和第一和第二金属焊盘之间形成对应于红外波长（λ）/ 4的空间。 身体单元（250）位于第一和第二金属垫的上部。 形成电阻层，以根据红外线吸收过程中的温度变化来改变电阻。 一个支撑臂由具有上层和下层的两层结构构成，以便与第一和第二金属垫电连接。
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公开(公告)号：KR1020090060897A
公开(公告)日：2009-06-15
申请号：KR1020070127880
申请日：2007-12-10
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G01H11/02
Abstract: A micro sensor for vibration measurement is provided to detect vibration easily at low power through wireless sensor network and to thereby facilitate signal processing. A micro sensor for vibration measurement comprises a substrate(160), one or more masses(110) moving in reaction to vibration, a conductor spring(120) which moves according to the movement of the mass while supporting the masses, fixed parts(130) which are connected to both ends of the conductor spring and keep the masses and the conductor spring apart from the substrate, and a resistance(140) forming a closed circuit together with the conductor spring and the fixed parts. The masses are positioned in the middle of the conductor spring. The resistance connects a magnetic body(170) which is formed on the bottom of the substrate and creates a magnetic field to the fixed parts.
Abstract translation: 提供用于振动测量的微型传感器，用于通过无线传感器网络在低功率下容易地检测振动，从而促进信号处理。 一种用于振动测量的微型传感器，包括：衬底（160），一个或多个反作用于振动的质量块（110）;导体弹簧（120），其在支撑所述质量块的同时根据所述质量块的移动而移动;固定部件 ），其连接到导体弹簧的两端并保持质量和导体弹簧与基板分离，以及与导体弹簧和固定部分一起形成闭合电路的电阻（140）。 质量块位于导体弹簧的中间。 电阻连接形成在基板底部的磁体（170），并向固定部分产生磁场。
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公开(公告)号：KR1020090022153A
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：KR1020070087257
申请日：2007-08-29
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G05F1/00
CPC classification number: G01D5/24
Abstract: A capacitance to time converting circuit with high resolution is provided to generate a time signal with high resolution by generating the time signal with a pulse width having amplified time difference after amplifying time difference corresponding to capacitance variation of a MEMS sensor. A capacitance to time converting circuit includes a driving signal generator(10), a capacitance difference sensor(20), a time difference amplifier(30), and a time signal generator(40). The driving signal generator generates a driving signal and applies the driving signal to the capacitance difference sensor. The capacitance difference sensor generates two sensing signals with the time difference corresponding to the capacitance variation of a MEMS(Micro Electro Mechanical System). The time difference amplifier amplifies the time difference of two sensing signals. The time signal generator generates a time signal with the pulse width corresponding to the amplified time difference.
Abstract translation: 提供具有高分辨率的电容到时间转换电路，以在放大对应于MEMS传感器的电容变化的时间差之后通过产生具有放大的时间差的脉冲宽度的时间信号来产生具有高分辨率的时间信号。 电容对时间转换电路包括驱动信号发生器（10），电容差传感器（20），时差放大器（30）和时间信号发生器（40）。 驱动信号发生器产生驱动信号并将驱动信号施加到电容差传感器。 电容差传感器产生具有与MEMS（微机电系统）的电容变化对应的时间差的两个感测信号。 时差放大器放大两个感测信号的时间差。 时间信号发生器产生具有对应于放大时间差的脉冲宽度的时间信号。
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公开(公告)号：KR1020090018257A
公开(公告)日：2009-02-20
申请号：KR1020070082558
申请日：2007-08-17
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: B81B7/00 , H01L21/304 , B81C1/00
CPC classification number: B81B3/001 , B81C2201/115
Abstract: A lifting device for preventing fixing of a 3D MEMS(Micro Electro Mechanical System) micro-structure is provided to remove a cleaning solution left on a substrate and a micro-structure by using a simple device without fixing the 3D MEMS micro-structure onto the substrate. A lifting device for preventing fixing of a 3D MEMS micro-structure includes a substrate(10) and micro-protrusions(20). The micro-protrusions exhaust a cleaning solution flowing from a micro-structure located thereon. The micro-protrusions are formed on the substrate and have a predetermined height. A fixing preventing material(30) is deposited on the micro-protrusions.
Abstract translation: 提供了用于防止3D MEMS（微机电系统）微结构的固定的提升装置，以通过使用简单的装置来去除残留在基板和微结构上的清洁溶液，而不将3D MEMS微结构固定在 基质。 用于防止3D MEMS微结构的固定的提升装置包括基板（10）和微突起（20）。 微型突起排出从位于其上的微结构流动的清洁溶液。 微型突起形成在基板上并具有预定的高度。 固定防止材料（30）沉积在微突起上。
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公开(公告)号：KR100825717B1
公开(公告)日：2008-04-29
申请号：KR1020060036355
申请日：2006-04-21
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 가스 검출용 센서 및 그를 포함하는 전자 후각 시스템을 제공한다. 본 발명에 따른 가스 검출용 센서는 가스의 존재 및 농도에 따라 저항 값이 변하는 센서 물질을 포함하고 상기 가스의 존재 및 농도에 따른 센싱 저항 값의 변화를 측정하는 센싱부; 상이한 저항 값을 갖는 복수의 기준 저항을 포함하고 상기 복수의 기준 저항을 이용하여 상기 센싱부의 초기 센싱 저항 값과 매칭되는 기준 저항 값을 자동으로 설정하는 저항 매칭부; 및 상기 센싱부의 저항 값 및 상기 설정된 기준 저항 값의 차이를 검출하는 저항차 검출부;를 포함하고, 상기 센싱부, 저항 매칭부 및 저항차 검출부는 일체형으로 형성된 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 초기 센서 출력 값을 저항 매칭 블록을 통해 자동으로 초기화(출력값 = 0)하여, 센서의 가스 반응에 대한 정확한 출력값을 나타내고, 시스템을 안정화 시켜, on-chip 프로세스에 의해 외부 노이즈에 대한 강인함을 가질 수 있다.
전자 후각, 가스 검출, 센서, 가변 저항, 일체형
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