公开(公告)号：CN104603936A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201280075757.6

申请日：2012-07-11

Applicant: 惠普发展公司 ,  有限责任合伙企业

Inventor： J.吴 ,  Z.张 ,  W.A.丁曼

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/12

CPC classification number: B81C1/00357 ,  B81B7/0006 ,  B81B7/0048 ,  B81B2201/0242 ,  B81C2203/032 ,  H01L23/13 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/3224 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/1515 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种装置包括半导体和衬底。衬底具有第一表面和第二表面，第二表面与第一表面相对。衬底具有孔，所述孔从第一表面延伸到第二表面，并且半导体经由所述孔中的粘合剂固定到衬底。

公开(公告)号：CN104370272A

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201410599134.X

申请日：2014-10-30

Applicant: 无锡微奥科技有限公司

Inventor： 陈巧 ,  谢会开

IPC: B81C3/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B3/0037 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/042 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0136 ,  B81C1/00 ,  B81C1/0015 ,  B81C2201/013 ,  H01G5/16

Abstract: 本发明公开了一种MEMS自对准高低梳齿及其制造方法，属于MEMS技术领域。自对准高低梳齿包括一端固定在衬底上而另一端与活动梳齿或者固定梳齿连接的抬升结构，抬升结构在生长应力作用下产生垂直方向的位移带动其连接的活动梳齿或者固定梳齿移动。采用SOI硅片，SOI的正面单晶硅器件层即为MEMS结构的机械结构层，引入的抬升机构与梳齿对依次形成于机械结构层上，由同一步刻蚀工艺形成固定梳齿和活动梳齿，由抬升结构中的应力将固定梳齿与活动梳齿在垂直方向上产生一定位移，从而形成了自对准高低梳齿，相对于多层机构的MEMS省去了多次键合的工艺，简化了制造工艺，大大降低加工成本和加工难度，提高成品率。

公开(公告)号：CN104297523A

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201410340387.5

申请日：2014-07-16

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 田中悟

IPC: G01P15/125

CPC classification number: B81B3/0021 ,  B81B3/0013 ,  B81B3/0051 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242

Abstract: 本发明提供一种功能元件、电子设备及移动体，其能够准确地对物理量进行检测。本发明所涉及的功能元件(100)包括：可动体(20)，其能够沿着第一轴而进行位移；固定部(30)，其通过连结部(40)而对可动体(20)进行支承；可动电极部(8)，其从可动体(20)起延伸；固定电极部(71)，其以与可动电极部(8)对置的方式而配置；延伸部(61)，其从固定部(30)起延伸，并具备与可动电极部(8)的侧面对置的对置部(61a)，对置部(61a)与可动电极部(8)之间的距离(L1)小于固定电极部(71)与可动电极部(8)之间的距离(L2)。

公开(公告)号：CN104280570A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201410329461.3

申请日：2014-07-10

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 田中悟

IPC: G01P15/125

CPC classification number: G01P15/125 ,  B81B3/0051 ,  B81B2201/0242 ,  G01P2015/0831 ,  G01P2015/0871

Abstract: 本发明提供一种物理量传感器、电子设备、以及移动体。本发明抑制了由被轴支承的可动体的水平以及旋转轴方向上的位移所造成的物理量传感器的损坏。本发明的物理量传感器具备：固定电极部；可动体，其以使主面与固定电极部对置的方式被支承部支承在所述固定电极部之上，所述物理量传感器备阻挡部，所述阻挡部以与可动体的外形的边缘的至少一部分对置的方式而被设置，并对可动体的主面的面内旋转位移进行限制。

公开(公告)号：CN104045050A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201310359584.7

申请日：2013-08-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 朱家骅 ,  郑钧文

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00

CPC classification number: B81B7/02 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/025 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0315 ,  B81C1/00182 ,  B81C1/00238 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/019 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/0792 ,  H01L23/10 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/29013 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2224/3012 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了具有各向同性腔的MEMS集成压力传感器及其制造方法，其中该方法实施例包括提供具有氧化物层、MEMS衬底、多晶硅层的MEMS晶圆。将包括使用各向同性蚀刻形成的第一腔的载体晶圆接合至MEMS，第一腔与多晶硅层暴露的第一部分对准。图案化MEMS衬底，并且去除部分牺牲氧化层以形成第一和第二MEMS结构。将包括第二腔的帽晶圆接合至MEMS晶圆，这种接合生成包括与第一MEMS结构对准的第二腔的第一密封腔，并且第二MEMS结构设置在多晶硅层的第二部分与帽晶圆之间。去除部分帽晶圆，以使第一腔用作第一MEMS结构的环境压力的通道。

公开(公告)号：CN102530825B

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201110359900.1

申请日：2011-11-11

Applicant: 财团法人工业技术研究院

Inventor： 许郁文 ,  林式庭 ,  陈振颐 ,  黄肇达

IPC: B81B7/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00301 ,  B81B3/0086 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2207/07 ,  B81C2203/0792 ,  G01C19/5762

Abstract: 本发明涉及一种具有电绝缘结构的微机电系统(MEMS)装置，所述微机电系统装置包括至少一个移动件、至少一个支撑座、至少一个弹簧以及绝缘层。所述弹簧连接至所述支撑座和所述移动件。所述绝缘层设置在所述移动件和所述支撑座中。所述移动件和所述支撑座的每一个被所述绝缘层分为两个导电部分。由此，不同移动件的电信号通过未互相电连接的绝缘的电通路被传送。

公开(公告)号：CN103723675A

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN201310484562.3

申请日：2013-10-16

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： F.霍伊克 ,  C.舍林 ,  M.哈塔斯 ,  B.施密特

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00

CPC classification number: B81C1/00531 ,  B81B2201/0242 ,  B81C1/00595 ,  B81C1/00619 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0133 ,  G01C19/5769

Abstract: 本发明涉及一种用于微机械部件的制造方法，所述制造方法具有下述步骤：在硅层（10）的现有的（110）-表面定向的情况下，通过在所述硅层（10）的正面（12）上至少实施与晶体定向相关的蚀刻步骤从至少一个单晶的硅层（10）至少部分地结构化出至少一个结构（42、46），其中在硅层（10）的现有的（110）-表面定向的情况下，在所述硅层（10）的正面（12）上额外地实施至少一个与晶体定向无关的蚀刻步骤以用于至少部分地结构化出至少一个结构（42、46）。此外，本发明还涉及一种微机械部件。

公开(公告)号：CN103238075A

公开(公告)日：2013-08-07

申请号：CN201180054796.3

申请日：2011-09-18

Applicant: 快捷半导体公司

Inventor： C·阿卡

IPC: G01P15/18 ,  G01P15/14 ,  G01C19/5755

CPC classification number: H01L29/84 ,  B81B7/04 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2203/051 ,  B81B2203/053 ,  B81B2203/055 ,  B81B2203/056 ,  B81B2203/058 ,  B81B2207/094 ,  G01C19/5755 ,  G01P15/125 ,  G01P15/18 ,  G01P2015/0848

Abstract: 除其它情况之外，本申请讨论了一种惯性测量系统，包括器件层、帽晶片和孔晶片，其中，所述器件层包括单质量块三轴加速计，所述帽晶片粘合到所述器件层的第一表面，所述孔晶片粘合到所述器件层的第二表面，其中，所述帽晶片和所述孔晶片被配置为封装所述单质量块三轴加速计。所述单质量块三轴加速计可围绕单个中心锚悬吊，且包括单独的x轴挠曲支承部、y轴挠曲支承部和z轴挠曲支承部，其中，所述x轴挠曲支承部和所述y轴挠曲支承部关于所述单个中心锚对称，且所述z轴挠曲支承部关于所述单个中心锚不对称。

公开(公告)号：CN103221333A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201180055630.3

申请日：2011-09-16

Applicant: 快捷半导体公司

Inventor： J·布雷泽克 ,  约翰·加德纳·布卢姆斯伯 ,  C·阿卡

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00 ,  H01L23/52

CPC classification number: B81B7/008 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2207/07 ,  B81C1/0023 ,  H01L23/481 ,  H01L2224/131 ,  H01L2924/1461 ,  H05K1/18 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本文涉及多晶片微机电系统(MEMS)封装。在一示例中，多晶片MEMS封装可以包括：控制器集成电路(IC)，所述控制器集成电路配置成耦合到电路板；MEMS IC，所述MEMS IC安装到所述控制器IC的第一侧；硅通孔，所述硅通孔穿过所述控制器IC在所述第一侧和所述控制器IC的第二侧之间延伸，所述第二侧与所述第一侧相反；并且其中，所述MEMS IC耦合到所述硅通孔。

公开(公告)号：CN101806812B

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201010117435.6

申请日：2010-02-20

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 押尾政宏

IPC: G01P1/02 ,  G01C19/56

CPC classification number: G01P1/023 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81C1/00293 ,  G01C19/56 ,  G01P2015/0814

Abstract: 本发明提供一种能够发挥各传感器元件的特性且抑制长期的特性变动的小型的复合传感器及电子设备。所述复合传感器在封装件(30)形成有压力高的空间(90)与压力低的空间(80)，在压力高的空间(90)配置有加速度传感元件(40)，因此，获得低的Q值，在压力低的空间(80)配置有振动型角速度传感器元件(50)、(60)，因此，获得高的Q值，从而能够充分发挥加速度传感元件(40)及振动型角速度传感器元件(50)、(60)的特性。