公开(公告)号：CN102730626A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201110342829.6

申请日：2011-10-25

Applicant: 欣兴电子股份有限公司

Inventor： 黄瀚霈 ,  赵裕荧 ,  石志学

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00

CPC classification number: H04R31/00 ,  B81B7/0041 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  B81C1/00293 ,  H04R19/005 ,  H04R2201/003

Abstract: 本发明提供一种载板的制作方法，其中载板用于微机电感测装置，载板的制作方法包括下列步骤：提供第一基板，其中第一基板包括第一金属层、第一介电层及第一开孔；提供第二基板，其中第二基板包括第二金属层、第二介电层及第二开孔，其中第一开孔与第二开孔的面积及位置相对应；提供网状元件；压合第一基板、网状元件及第二基板以形成复合板，其中第一开孔及第二开孔形成通孔，网状元件位于通孔之间；以及于复合板中形成至少一导通孔。

公开(公告)号：CN102649535A

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN201210041782.4

申请日：2012-02-22

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： J·策尔兰 ,  R·艾伦普福特 ,  U·肖尔茨

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H04R19/02 ,  H04R19/04 ,  G01L9/06

CPC classification number: H04R19/005 ,  B81B7/007 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2207/012 ,  B81B2207/096 ,  B81B2207/097 ,  B81C2203/0109 ,  B81C2203/0154 ,  G01L19/0084 ,  G01L19/141 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/73265 ,  H04R1/086 ,  H04R19/04 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提出了一种构件载体，其能够实现具有敏感结构的MEMS构件的成本有利、位置节省且应力较小的封装。构件载体(130)尤其适于应被安装在壳体(120)的空腔中并且被电接通的MEMS构件(10)。根据本发明的构件载体(330)被实现为在一侧敞开的空心体形式的复合件，复合件基本上由在其造型方面柔性的、三维成形的载体膜(331)和包覆材料(332)形成。包覆材料(332)在一侧成型在载体膜(331)上，使得载体膜(331)设置在构件载体(330)的内壁上。在具有载体膜(131)的内壁上构造有用于至少一个构件(10，51)的至少一个安装面。此外，载体膜(331)设有用于所述至少一个构件(10，51)的电接通的接触面和绝缘的印制导线。

公开(公告)号：CN102572662A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201210028878.7

申请日：2006-04-21

Applicant: 模拟设备公司

Inventor： 约翰·R·马丁 ,  蒂莫西·J·布劳斯尼汉 ,  克雷格·考尔 ,  托马斯·努南 ,  贾森·魏戈尔德 ,  张欣

IPC: H04R19/00 ,  B81B3/00

CPC classification number: H04R3/00 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0257 ,  B81C1/00182 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/49109 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/15151 ,  H04R19/005 ,  H04R2499/11

Abstract: 一种从硅或绝缘体上硅结构(SOI)晶片形成的微机械加工的麦克风。从晶片的顶硅层形成用于麦克风的固定的传感电极。通过淀积至少一个氧化物层、形成结构、然后通过贯穿顶硅层形成的沟槽从顶硅层的背面去除在该结构下面的氧化物的一部分，来在顶硅层的正面上形成多个多晶硅麦克风结构。这些沟槽允许声波从顶硅层的背面到达隔膜。在SOI晶片中，贯穿底硅层和中间氧化物层形成空腔，以暴露用于去除氧化物并允许声波到达隔膜的沟槽。可以在相同的晶片上形成惯性传感器，并且使用基本上与对应的麦克风结构相同的工序基本同时地形成多个惯性传感器结构。

公开(公告)号：CN101987720B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201010243793.1

申请日：2010-07-30

Applicant: 旺宏电子股份有限公司

Inventor： 黄学义 ,  李明东 ,  杜硕伦

IPC: H01L21/00 ,  B81C1/00 ,  H04R31/00

CPC classification number: B81C1/00246 ,  B81B2201/0257 ,  B81C1/0023 ,  B81C2203/0778

Abstract: 本发明公开了一种集成半导体元件的制造方法及其结构。一种集成半导体元件的制造方法。首先，提供具有第一区域及第二区域的衬底。然后，使用同一个工艺而于第一区域形成半导体单元，并于第二区域形成微机电系统单元。

公开(公告)号：CN102452635A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201110002502.4

申请日：2011-01-07

Applicant: 鑫创科技股份有限公司

Inventor： 李建兴 ,  谢聪敏 ,  操礼齐 ,  刘志成

IPC: B81B3/00 ,  H04R19/00

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B2201/0257 ,  H04R19/005

Abstract: 本发明公开一种微机电系统结构，其包含衬底、结构状的电介质层以及振动膜的MEMS结构。结构状的电介质层安置于衬底的上方。振动膜由结构状的电介质层固持于周边端部处。振动膜包含位于周边区域处且围绕振动膜的中心区域的多个沟槽/脊环。皱状结构位于振动膜的中心区域处，由沟槽/凹痕环所围绕。本发明能够有效吸收残余应力，且该振动膜能提高对于空气压力的灵敏度。

公开(公告)号：CN101208990B

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN200680022953.1

申请日：2006-04-21

Applicant: 模拟设备公司

Inventor： 约翰·R·马丁 ,  蒂莫西·J·布劳斯尼汉 ,  克雷格·考尔 ,  托马斯·努南 ,  贾森·魏戈尔德 ,  张欣

IPC: H04R19/00

CPC classification number: H04R3/00 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0257 ,  B81C1/00182 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/49109 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/15151 ,  H04R19/005 ,  H04R2499/11

Abstract: 一种从硅或绝缘体上硅结构(SOI)晶片形成的微机械加工的麦克风。从晶片的顶硅层形成用于麦克风的固定的传感电极。通过淀积至少一个氧化物层、形成结构、然后通过贯穿顶硅层形成的沟槽从顶硅层的背面去除在该结构下面的氧化物的一部分，来在顶硅层的正面上形成多个多晶硅麦克风结构。这些沟槽允许声波从顶硅层的背面到达隔膜。在SOI晶片中，贯穿底硅层和中间氧化物层形成空腔，以暴露用于去除氧化物并允许声波到达隔膜的沟槽。可以在相同的晶片上形成惯性传感器，并且使用基本上与对应的麦克风结构相同的工序基本同时地形成多个惯性传感器结构。

公开(公告)号：CN102318366A

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN201080008791.2

申请日：2010-02-15

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 八户启 ,  春田一政 ,  小口贵弘

IPC: H04R1/04 ,  H04R1/02

CPC classification number: H04R1/04 ,  B81B7/0064 ,  B81B2201/0257 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/3025 ,  H04R17/02 ,  H04R19/016 ,  H04R2201/003 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种能以简单的结构进行电磁屏蔽的声音换能器单元。声音换能器单元(10)包括：(a)具有将声音转换成电信号、或将电信号转换成声音的声音转换元件部(4)的声音转换元件(2)；以及(b)内部收纳有声音转换元件(2)的封装(20、30)。封装(20、30)包含形成有两端具有开口的内部空间的、由导电材料所形成的筒状的导电部(40)。在导电部(40)的内部空间内，至少将声音转换元件(2)的声音转换元件部(4)远离开口来配置。

公开(公告)号：CN101304942B

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN200680041572.8

申请日：2006-08-24

Applicant: NXP股份有限公司

Inventor： 格特·兰格雷斯 ,  约翰尼斯·威廉姆斯·维坎普 ,  雅各布斯·伯纳德斯·佳伯斯

IPC: B81C5/00

CPC classification number: F04B43/043 ,  B01L3/502707 ,  B01L3/502738 ,  B01L2200/10 ,  B01L2200/12 ,  B01L2300/0627 ,  B01L2300/0819 ,  B01L2300/0887 ,  B01L2300/123 ,  B01L2300/1827 ,  B01L2400/0638 ,  B81B2201/0257 ,  B81C1/00119 ,  B81C1/00182 ,  B81C99/0095 ,  B81C2201/019 ,  F16K99/0001 ,  F16K99/0007 ,  F16K99/0015 ,  F16K99/0034 ,  F16K99/0051 ,  F16K2099/008 ,  F16K2099/0084 ,  H04R19/04 ,  H04R31/00 ,  Y10T428/24851

Abstract: 本发明涉及一种制造MEMS电容器麦克风的方法，还涉及这种MEMS电容器麦克风。使用该方法，通过将具有传导层(11a、11b)的预处理的箔片(10)堆叠在至少一个面上，来制造MEMS电容器麦克风。在堆叠之后，使用压力和热力来密封该箔片(10)。最后将MEMS电容器麦克风与叠层(S)相分离。箔片的预处理(优选地通过激光束来完成)包括所选择的下列步骤：(A)保持箔片不变，(B)局部地除去传导层，(C)除去传导层并部分地除去箔片(10)，以及(D)除去传导层以及箔片(10)，从而在箔片中产生孔。与所述堆叠相结合可能创建腔和膜。这开发了制造MEMS电容器麦克风的可能性。

公开(公告)号：CN102161471A

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN201110060035.0

申请日：2007-05-29

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 内海胜喜 ,  隈川隆博 ,  松浦正美 ,  松岛芳宏

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00896 ,  B23K26/40 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50 ,  B81B2201/0257

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置的制造方法。目的在于：当制造具有脆弱部分的结构的半导体装置时，在避免对半导体装置造成损坏的情况下进行切割。本发明的半导体装置(100)的制造方法，包括：工序(a)，在具有多个芯片的半导体晶片(101)中的各个芯片的规定区域上形成振动膜(103)；工序(b)，将含有位于各个芯片的振动膜(103)上的牺牲层(113)的中间膜(102)形成在半导体晶片上；工序(c)，在中间膜(102)上形成固定膜(104)；工序(d)，通过对半导体晶片(101)进行刀片切割，来将各个芯片(100a)分开；以及工序(e)，通过对各个芯片(100a)进行蚀刻，来除去牺牲层(113)，在振动膜(103)与固定膜(104)之间设置空隙。

公开(公告)号：CN102076428A

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN200980124101.7

申请日：2009-06-29

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 江崎隆博 ,  张建六 ,  添田康宏 ,  玉森研尔

IPC: B06B1/02

CPC classification number: H01L23/5226 ,  B06B1/0292 ,  B81B2201/0257 ,  H01L21/76898 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/84 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种元件阵列，包括多个具有第一电极和第二电极的元件，在第一电极和第二电极之间具有空隙；通过凹槽对于每个元件分离第一电极，绝缘的连接衬底与第一电极接合，以及从对于每个元件分离的各个第一电极中的每一个第一电极穿过连接衬底到与第一电极相对的一侧地形成布线。