公开(公告)号：JP6426848B2

公开(公告)日：2018-11-21

申请号：JP2017536959

申请日：2016-01-15

Applicant: エム ケー エス インストルメンツ インコーポレーテッド ,  MKS INSTRUMENTS,INCORPORATED

Inventor： クー・レイ ,  スティーブン・エフ・バート

IPC: B81C3/00 ,  H01L29/84 ,  H01L23/02 ,  B81B7/02

CPC classification number: B81B7/0048 ,  B81B2201/0264 ,  B81C1/00325 ,  B81C1/00547 ,  B81C2201/013 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014

公开(公告)号：JP2018052033A

公开(公告)日：2018-04-05

申请号：JP2016192983

申请日：2016-09-30

Applicant: セイコーエプソン株式会社

Inventor： 吉池 政史

IPC: B41J2/16 ,  H01L41/09 ,  H01L41/047 ,  H01L41/29 ,  B41J2/14

CPC classification number: B81B7/007 ,  B41J2/14 ,  B41J2/14233 ,  B41J2/1607 ,  B41J2/161 ,  B41J2/1621 ,  B41J2/1626 ,  B41J2/1628 ,  B41J2/1629 ,  B41J2/1631 ,  B41J2002/14362 ,  B41J2002/14491 ,  B81B2201/052 ,  B81B2207/07 ,  B81C1/00301 ,  B81C2201/013

Abstract: 【課題】樹脂部に積層された配線における電気接続の信頼性の低下を抑制できるMEMSデバイス、液体噴射ヘッド、液体噴射装置、及び、MEMSデバイスの製造方法を提供する。 【解決手段】 一の面から突出した樹脂からなる樹脂部(38)、及び、樹脂部(38)の表面の少なくとも一部を覆う第1の配線(電極膜56)を有する基板(封止板33)を備え、第1の配線(電極膜56)は、樹脂部(38)と重なる位置から樹脂部(38)から外れた位置まで前記一の面における第1の方向に沿って延設され、樹脂部(38)の幅(w5)は、第1の方向に交差する第2の方向おいて、当該樹脂部(38)を覆う第1の配線(電極膜56)の幅(w3)以上であることを特徴とするMEMSデバイス(液体噴射ヘッド3)。 【選択図】図5

公开(公告)号：JP2017535947A

公开(公告)日：2017-11-30

申请号：JP2017520887

申请日：2015-10-27

Applicant: ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ

Inventor： カプスタ，クリストファー ,  エイミ，マルコ

IPC: H01L23/02 ,  B81C99/00 ,  H01L23/06 ,  H01L23/10

CPC classification number: C23C28/023 ,  B23K1/0016 ,  B23K35/0222 ,  B23K35/262 ,  B23K35/3013 ,  B23K2201/40 ,  B81C1/00269 ,  B81C2201/013 ,  B81C2203/0109 ,  B81C2203/037 ,  C23C14/025 ,  C23C14/165 ,  C23C14/3414 ,  C23C14/58 ,  C23C28/021 ,  C23F1/00 ,  C23F4/00 ,  C25D3/50 ,  C25D7/123

Abstract: 気密パッケージをシールするための非磁性蓋。蓋は、スパッタリングされた接着層および銅シード層を有するモリブデン基板を含む。また、蓋は、めっきされたパラジウムはんだ基層を含み、蓋のシール面に付着された金/錫はんだプリフォームを有する。【選択図】図2

公开(公告)号：JP2017519646A

公开(公告)日：2017-07-20

申请号：JP2016573545

申请日：2014-06-16

Applicant: エプコス アクチエンゲゼルシャフトEpcos Ag ,  エプコス アクチエンゲゼルシャフトEpcos Ag

Inventor： グドルン ヘン， ,  グドルン ヘン， ,  マルセル ギーセン， ,  マルセル ギーセン， ,  デッカー， アルノルダス デン ,  デッカー， アルノルダス デン ,  ジャン−ルイ ポーニン， ,  ジャン−ルイ ポーニン， ,  ダミエン サン−パトリス， ,  ダミエン サン−パトリス， ,  ブルーノ レイ， ,  ブルーノ レイ，

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  H01L23/02

CPC classification number: B81C1/00293 ,  B81B7/0041 ,  B81B2203/0315 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/0176 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0145

Abstract: 本発明は、マイクロエレクトロニクスパッケージ(1)に関し、当該マイクロエレクトロニクスパッケージは、少なくとも1つの第1の開口部(3)を有し、かつ1つの第1のキャビティ(4)を画定する1つのマイクロエレクトロニクスパターン(2)と、少なくとも1つの第2の開口部(10)を有し、かつ当該第1のキャビティ(4)に接続される第2のキャビティ(11)を画定する1つのキャッピング層(9)とを備え、ここで当該キャッピング層(9)は、当該第2の開口部(10)が当該第1の開口部(3)の上方に配設されるように、当該マイクロエレクトロニクスパターン(2)の上方に配設されており、そして当該第2の開口部(10)を覆う1つのシーリング層(13)を備え、これにより当該第1のキャビティ(11)および当該第2のキャビティ(4)がシーリングされる。さらに、本発明はこのマイクロエレクトロニクスパッケージ(1)を製造する方法に関する。【選択図】図1

公开(公告)号：JP2016137565A

公开(公告)日：2016-08-04

申请号：JP2015249763

申请日：2015-12-22

Applicant: デルフメムズ エスエーエス

Inventor： アンネ−ソフィ ロリエ ,  アントワーヌ ボナベル ,  カリム セグエニ

IPC: B81B3/00 ,  H01H49/00 ,  H01H59/00 ,  H01G5/16 ,  B81C1/00

CPC classification number: H01H59/0009 ,  B81B3/0051 ,  B81C1/00158 ,  H01H49/00 ,  B81B2201/018 ,  B81B2203/0127 ,  B81C2201/013 ,  H01H2059/0027 ,  H01H2059/0036 ,  H01H2227/004

Abstract: 【課題】動作の信頼性を向上させるMEMSデバイスの製造方法を提供する。 【解決手段】犠牲ベース層102上に第1膜層101を形成し、前記第1膜層上に第2膜層105を形成し、前記第2膜層は、前記第1膜層の側方部を露出する側方凹部(R)を備え、前記第1膜層の移動を制限するストッパ104を形成する。また、第1膜層と、前記第1膜層上に形成された第2膜層とを備える可動膜を備え、前記第2膜層は、前記第1膜層の側方部を露出する側方凹部(R)を備える。第1膜層は、従来用いられた均一な厚みの膜よりも薄いので膜の自由移動距離は減少し、それにより動作の信頼性が向上する。 【選択図】図3e

Abstract translation: 要解决的问题：提供能够提高操作可靠性的MEMS器件的制造方法。解决方案：在牺牲基层102上形成第一膜层101，在第一膜层上形成第二膜层105， 第二膜层包括用于暴露第一膜层的侧部的侧凹部（R），并且形成用于限制第一膜层的移动的止动件104。 设置具有形成在第一膜层上的第一膜层和第二膜层的可动膜，第二膜层包括用于暴露第一膜层侧面的侧凹部（R）。 由于第一膜层比常规使用的厚度均匀的膜薄，所以膜的自由移动距离减小，从而提高了操作可靠性。图3e

公开(公告)号：JP2018510533A

公开(公告)日：2018-04-12

申请号：JP2017539537

申请日：2015-12-14

Applicant: ゴルテック.インク

Inventor： スン ヤンメイ

IPC: H04R31/00 ,  H01L29/84 ,  H04R19/04

CPC classification number: B81B7/02 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  B81C1/00158 ,  B81C2201/0105 ,  B81C2201/013 ,  G01L7/08 ,  H04R19/005 ,  H04R19/04 ,  H04R31/00 ,  H04R2201/003

Abstract: 本発明はMEMSマイクロフォンと圧力センサの集積構造及びその製造方法を開示するものである。共通基板に絶縁層、第1多結晶シリコン層、犠牲層と第2多結晶シリコン層をこの順で堆積する。第2多結晶シリコン層をエッチングして、振動膜、上部電極を形成する。犠牲層を腐食して、マイクロフォンと圧力センサの収容キャビティを形成すると共に、マイクロフォンと圧力センサとの間の犠牲層を腐食する。第1多結晶シリコン層をエッチングして、マイクロフォンの背後電極及び圧力センサの下部電極を形成する。共通基板におけるマイクロフォンの背後電極の下方に位置する部位をエッチングして、バックキャビティを形成する。背後電極の下方に位置する絶縁層をエッチングする。マイクロフォンのコンデンサ構造、圧力センサのコンデンサ構造を共通基板に集積することにより、マイクロフォンと圧力センサの集積度を向上させ、パッケージ構造全体のサイズを大幅に減らすことができる。また、共通基板にマイクロフォンと圧力センサを同時に製造することができ、生産効率の向上が図られている。

公开(公告)号：JP2016517355A

公开(公告)日：2016-06-16

申请号：JP2015562500

申请日：2014-03-13

Applicant: ラヴィヴ エルリク ,  ラヴィヴ エルリク ,  ユヴァル ガーソン ,  ユヴァル ガーソン

Inventor： ラヴィヴ エルリク ,  ラヴィヴ エルリク ,  ユヴァル ガーソン ,  ユヴァル ガーソン

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  G01P15/08 ,  G01P15/093 ,  G01P15/125 ,  G02B26/08 ,  H01L29/84

CPC classification number: F16C11/12 ,  B81B3/0043 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/034 ,  B81B2201/042 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0163 ,  B81C1/0015 ,  B81C1/00198 ,  B81C1/00523 ,  B81C2201/013 ,  E05D1/02 ,  E05D7/00 ,  E05D11/0081 ,  F16F1/48 ,  F16F2224/025 ,  F16F2226/00 ,  F16F2226/042 ,  G01C19/02 ,  G01P15/09 ,  G01P15/093 ,  G01P15/125 ,  G02B26/0833 ,  G02B26/105 ,  Y10T16/522 ,  Y10T16/525 ,  Y10T29/24 ,  Y10T29/25

Abstract: 機械デバイス(20,50,70,80,120)は、強固且つ弾性の材料からなる細長い要素(26,54,66,90,122)を含む。強固フレーム(28,52,64,92)は、フレームに取り付けられる要素の少なくとも一端を固定するように、及び、ビームとフレームとの間に、要素に沿って長手方向に設けられたギャップを、要素がギャップ内で自由に動けるように画定するように構成される。強固且つ弾性の材料とは異なる固形充填材料(30,56,68,94,102,124)は、要素とフレームとの間のギャップを少なくとも一部を充填して、要素の第1の動作モードを許可する一方で、異なる第2の動作モードを阻止する。

Abstract translation: 机械装置（20,50,70,80,120）包括一个细长元件（26,54,66,90,122）包括刚性和弹性材料。 坚固的框架（28,52,64,92），以便固定附接至框架元件的至少一个端部，并且，所述光束和所述框架之间，在纵向方向上沿着所述元件提供的间隙， 元件被配置为定义为自由地在间隙内移动。 牢固地与不同的固体填充材料和弹性材料（30,56,68,94,102,124）是填补至少的元件与框架之间的间隙的一部分，同时允许元件的操作的第一模式 在防止不同的第二工作模式。

公开(公告)号：JP5906198B2

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：JP2012556843

申请日：2012-02-01

Applicant: 株式会社フジクラ ,  国立大学法人 東京大学

Inventor： 額賀 理 ,  山本 敏 ,  田端 和仁 ,  杉山 正和

IPC: B23K26/40 ,  C03C15/00 ,  C03C23/00

CPC classification number: B81C1/00547 ,  B23K26/0054 ,  B32B3/266 ,  B81C1/00507 ,  C03C15/00 ,  C03C23/0025 ,  B81B2201/0214 ,  B81B2201/058 ,  B81B2203/0353 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/0143 ,  Y10T428/24273

公开(公告)号：JP2016048538A

公开(公告)日：2016-04-07

申请号：JP2015059060

申请日：2015-03-23

Applicant: ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド ,  コーネル ユニヴァーシティー

Inventor： スティーヴン・ティン ,  ジェフリー・ジェームズ・クリズ ,  スティーヴン・ジェイ・アイクホフ ,  ジェフ・エイ・リドリー ,  アミット・ラル ,  クリストファー・オーバー ,  セルハン・アルダヌク ,  ヴェド・グンド ,  アレックス・ルヤック ,  キャサリン・キャメラ

IPC: H01L23/00 ,  G06F21/86

CPC classification number: H01L23/564 ,  B29C35/02 ,  B81B7/0077 ,  B81C1/00333 ,  C23C16/26 ,  C23C16/44 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/268 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/76837 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/57 ,  H01L23/573 ,  H01L23/576 ,  H01L25/16 ,  H01M8/2475 ,  B29L2031/34 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81C2201/013 ,  H01L2223/6677 ,  H01L23/58 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/14

Abstract: 【課題】第1ダイおよび第2ダイを含む自己破壊チップを提供する。 【解決手段】第1ダイは電子回路を含み、第2ダイは第1温度で分解する1つ以上のポリマーで構成される。第2ダイは、複数のチェンバを規定し、これらのチェンバの第1部分集合は、酸素と反応して発熱する材料を収容する。これらのチェンバの第2部分集合は、第1ダイの材料をエッチングするエッチャントを収容する。トリガ・イベントに応答して、電子回路は、第2ダイを少なくとも第1温度まで加熱するために第1部分集合のチェンバ内にある材料を酸素に露出するように構成され、更に第1ダイをエッチングするために、第2部分集合のチェンバからエッチャントを放出するように構成される。 【選択図】なし

Abstract translation: 要解决的问题：提供包括第一模具和第二模具的自毁芯片。解决方案：第一模具包括电子电路，第二模具由在第一温度下分解的一种或多种聚合物组成。 第二模具限定多个室，其中室的第一子集包含以放热方式与氧反应的材料。 腔室的第二子集包含用于蚀刻第一管芯材料的蚀刻剂。 响应于触发事件，电子电路被配置为将室的第一子集中的材料暴露于氧气，以便将第二管芯加热至少第一温度，并且被配置为将蚀刻剂从第二子集 这些室蚀刻第一个模具。选择图：无

公开(公告)号：JPWO2012108316A1

公开(公告)日：2014-07-03

申请号：JP2012556843

申请日：2012-02-01

Applicant: 株式会社フジクラ ,  国立大学法人 東京大学 ,  国立大学法人 東京大学

Inventor： 理 額賀 ,  理 額賀 ,  山本　敏 ,  敏 山本 ,  和仁 田端 ,  和仁 田端 ,  正和 杉山 ,  正和 杉山

IPC: C03C23/00 ,  B23K26/382 ,  B23K26/40 ,  C03B33/02 ,  C03C15/00

CPC classification number: B81C1/00547 ,  B23K26/0054 ,  B32B3/266 ,  B81B2201/0214 ,  B81B2201/058 ,  B81B2203/0353 ,  B81C1/00507 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/0143 ,  C03C15/00 ,  C03C23/0025 ,  Y10T428/24273

Abstract: 微細孔を有する基体の製造方法であって、基体の内部において、ピコ秒オーダー以下のパルス時間幅を有する第一のレーザー光の焦点を走査して、少なくとも1つの第一改質部および第二改質部を形成し、前記基体の内部においてピコ秒オーダー以下のパルス時間幅を有する第二のレーザー光の焦点を走査して、複数個の第三改質部および第四改質部からなる、周期的な改質群を形成し、前記第一改質部および前記第二改質部と前記改質群とが重なるように、或いは、接するように形成された基体を得て、前記第一改質部および前記第三改質部をエッチングによって除去して前記微細孔を形成することを特徴とする微細孔を有する基体の製造方法。