氮化物半導體發光元件用之基台及其製造方法
    121.
    发明专利
    氮化物半導體發光元件用之基台及其製造方法 审中-公开
    氮化物半导体发光组件用之基台及其制造方法

    公开(公告)号:TW201719936A

    公开(公告)日:2017-06-01

    申请号:TW105124472

    申请日:2016-08-02

    Abstract: 防止伴隨紫外線發光動作之起因於電極間被充填的樹脂之電性特性劣化。一種具備絕緣性基材(11)、與在基材(11)的一方的面上被形成的相互地電性地分離之2以上金屬膜(12,13)而成之基台(10);金屬膜為上面與側壁面被金或白金族金屬所覆蓋,可以搭載1以上氮化物半導體發光元件等、全體而言被形成包含2以上電極墊之指定俯視形狀,在基材(11)的一方的面上,沿著不被金屬膜(12,13)所覆蓋的基材(11)的露出面與金屬膜(12,13)的側壁面之邊界線,至少,與前述邊界線連續的基材(11)的露出面相鄰接的2個電極墊所挾之第1部分、與挾著前述第1部分而相對向的金屬膜(12,13)的側壁面,是由氟樹脂膜(16)所覆蓋,構成金屬膜(12,13)的上面的至少電極墊之處,則不被氟樹脂膜(16)所覆蓋。

    Abstract in simplified Chinese: 防止伴随紫外线发光动作之起因于电极间被充填的树脂之电性特性劣化。一种具备绝缘性基材(11)、与在基材(11)的一方的面上被形成的相互地电性地分离之2以上金属膜(12,13)而成之基台(10);金属膜为上面与侧壁面被金或白金族金属所覆盖,可以搭载1以上氮化物半导体发光组件等、全体而言被形成包含2以上电极垫之指定俯视形状,在基材(11)的一方的面上,沿着不被金属膜(12,13)所覆盖的基材(11)的露出面与金属膜(12,13)的侧壁面之边界线,至少,与前述边界线连续的基材(11)的露出面相邻接的2个电极垫所挟之第1部分、与挟着前述第1部分而相对向的金属膜(12,13)的侧壁面,是由氟树脂膜(16)所覆盖,构成金属膜(12,13)的上面的至少电极垫之处,则不被氟树脂膜(16)所覆盖。

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