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公开(公告)号：KR101220991B1
公开(公告)日：2013-01-10
申请号：KR1020110040199
申请日：2011-04-28
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 상부 몸체 및 상기 상부 몸체에 힌지 연결된 하부 몸체; 프로브가 하단으로 연장되게 고정되어 있으며 상기 상부 몸체의 하단으로 상기 프로브가 노출되도록 상기 상부 몸체에 결합되는 프로브 척; 상기 프로브 척을 승강 동작시키며 상기 상부 몸체에 설치되는 프로브 승강부; 및 상기 상부 몸체가 상기 하부 몸체에 대하여 닫혔을 때 상기 하부 몸체에는 상기 프로브 척의 하부 위치에 센서 안착홈이 형성되고, 상기 센서 안착홈의 바닥면을 이루며 상기 프로브가 접촉 가능하게 설치되는 센서 지지판;을 포함하며, 외부에서 인가되는 검사 전류가 상기 프로브를 통하여 상기 센서 지지판에 안착되는 다중 센서에 인가되는 다중 센서용 프로브 스테이션을 제공한다.
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公开(公告)号：KR101216041B1
公开(公告)日：2012-12-27
申请号：KR1020110031141
申请日：2011-04-05
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본발명은현미경및 카메라를이용한영상획득시스템및 그방법에관한것으로, 관찰대상을육안으로관찰할수 있도록좌/우접안렌즈를구비하는현미경과, 상기현미경의좌/우접안렌즈에각각장착되며, 상기좌/우접안렌즈를통해관찰된좌/우영상을촬영하여전기적인좌/우영상데이터를출력하는좌/우카메라와, 상기좌/우카메라로부터출력된좌/우영상데이터중 어느하나의제1 영상데이터를일정각도마다회전하면서각 회전된각도마다다른하나의제2 영상데이터와의상관계수를연산하는제1 연산모듈과, 상기제1 연산모듈로부터연산된각 회전된각도에대한상관계수중 가장높은상관계수의각도로변환행렬을연산하는제2 연산모듈과, 상기제2 연산모듈로부터연산된변환행렬과상기제1 영상데이터를곱하여상기제2 영상데이터와정렬된제1 영상데이터를획득하는영상정렬모듈과, 상기영상정렬모듈로부터획득된제1 영상데이터와상기제2 영상데이터를제공받아모니터화면에디스플레이하기위한제어모듈을포함함으로써, 저비용으로스테레오현미경시스템을제작할수 있으며, 다수의관찰자가하나의관찰대상을모니터화면을통해간편하고쉽게관찰할수 있는효과가있다.
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公开(公告)号：KR101203699B1
公开(公告)日：2012-11-22
申请号：KR1020110030626
申请日：2011-04-04
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 디지털 홀로그램 현미경 시스템에 관한 것으로, 광을 발생시키는 광원부와, 상기 광원부로부터 발생된 광을 참조광과 물체광으로 분할하는 광 분할부와, 상기 광 분할부로부터 분할된 참조광을 반사하는 제1 반사경과, 상기 제1 반사경으로부터 반사된 참조광을 차단 및 통과시키는 셔터와, 상기 광 분할부로부터 분할된 물체광의 광로 상에 위치한 투과형의 측정 대상물과, 상기 측정 대상물을 투과한 물체광을 반사하는 제2 반사경과, 상기 셔터의 개방에 의해 통과된 참조광과 상기 제2 반사경을 통해 반사된 물체광의 상호 간섭에 의해 간섭광을 형성하여 출력하는 광 합성부와, 상기 광 합성부로부터 출력되는 간섭광의 광 경로 상에 배치되며, 상기 셔터의 차단에 의해 상기 제2 반사경을 통해 반사된 물체광을 저장함과 아울러 상기 셔터의 개방에 의해 상기 광 합성부로부터 출력된 간섭광을 이용하여 디지털 홀로그램 데이터를 저장하는 CCD와, 상기 CCD로부터 저장된 디지털 홀로그램 데이터를 프레넬 변환(Fresnel transform)에 의해 상기 측정 대상물의 3차원 영상 정보를 획득하며, 상기 획득된 측정 대상물의 3차원 영상 정보에 상기 셔터의 차단에 의해 획득된 상기 측정 대상물의 2차원 실제 영상 텍스쳐(texture)를 매핑하여 개선된 3차원 영상을 생성하는 제어장치를 포함함으로써, 기존의 단색의 3차원 모델에 비해 훨씬 사실적인 3차원 모델의 표현이 가능해지는 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR101136521B1
公开(公告)日：2012-04-17
申请号：KR1020090115158
申请日：2009-11-26
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L33/20
Abstract: PURPOSE: A light emitting diode and manufacturing method thereof are provided to form an uneven structure on an upper semiconductor layer to reduce the total reflection in a light emitting diode, thereby increasing the light emitting efficiency of the light emitting diode. CONSTITUTION: A first conductive lower semiconductor layer(120), an active layer(130), and a second conductive upper semiconductor layer(140) are formed on a substrate(110). A porous alumina layer(210) including a hole is formed on the upper semiconductor layer. Parts of the upper semiconductor layer, the active layer, and the lower semiconductor layer are etched to form an etching unit(260). The etching process is performed using an alumina layer as a mask.
Abstract translation: 目的：提供发光二极管及其制造方法，以在上半导体层上形成不平坦结构，以减少发光二极管中的全反射，从而提高发光二极管的发光效率。 构成：在衬底（110）上形成第一导电下半导体层（120），有源层（130）和第二导电上半导体层（140）。 包括孔的多孔氧化铝层（210）形成在上半导体层上。 蚀刻上部半导体层，有源层和下部半导体层的一部分以形成蚀刻单元（260）。 使用氧化铝层作为掩模进行蚀刻处理。
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公开(公告)号：KR1020110112579A
公开(公告)日：2011-10-13
申请号：KR1020100031753
申请日：2010-04-07
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: H01L51/56 , H01L51/0002 , H01L2251/56
Abstract: 본 발명은 고휘도 및 고효율의 유기발광다이오드 및 그 제작 방법에 관한 것이다.
굴곡구조가 형성된 유리기판과, 상기 유리기판의 상기 굴곡구조상에 형성되는 투명전극층과, 상기 투명전극층상에 형성되는 p-type 유기층과, 상기 p-type 유기층상에 형성되는 n-type 유기층과, 상기 n-type 유기층상에 형성되는 캐소드층을 포함하는 유기발광다이오드가 제시된다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020110058388A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：KR1020090115158
申请日：2009-11-26
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L33/20
Abstract: PURPOSE: A light emitting diode and manufacturing method thereof are provided to form an uneven structure on an upper semiconductor layer to reduce the total reflection in a light emitting diode, thereby increasing the light emitting efficiency of the light emitting diode. CONSTITUTION: A first conductive lower semiconductor layer(120), an active layer(130), and a second conductive upper semiconductor layer(140) are formed on a substrate(110). A porous alumina layer(210) including a hole is formed on the upper semiconductor layer. Parts of the upper semiconductor layer, the active layer, and the lower semiconductor layer are etched to form an etching unit(260). The etching process is performed using an alumina layer as a mask.
Abstract translation: 目的：提供发光二极管及其制造方法以在上半导体层上形成不均匀结构，以减少发光二极管中的全反射，从而提高发光二极管的发光效率。 构成：在衬底（110）上形成第一导电下半导体层（120），有源层（130）和第二导电上半导体层（140）。 在上半导体层上形成包括孔的多孔氧化铝层（210）。 对上半导体层，有源层和下半导体层的部分进行蚀刻以形成蚀刻单元（260）。 使用氧化铝层作为掩模进行蚀刻处理。
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137.发明公开
公开(公告)号：KR1020110014849A
公开(公告)日：2011-02-14
申请号：KR1020090072420
申请日：2009-08-06
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: G01J3/10 , G02F1/3501 , G02F1/365 , G02F1/37 , G02F2001/3507 , G02F2001/3528 , G02F2203/13
Abstract: PURPOSE: Terahertz wave and wideband super-continuous spectrum simultaneous generating device, a method for the same, and a spectroscopy method using the same are provided to plenty of the number of spectrum peaks by simultaneously detecting two bands. CONSTITUTION: A focusing lens(110) focuses light incident signal(100). A first light media(120) generates terahertz wave(130) based on the light incident signal. A second light media(140) generates wideband super-continuous spectrum(150) based on the light incident signal. A collimating lens(160) outputs both the terahertz wave and the wideband super-continuous spectrum.
Abstract translation: 目的：通过同时检测两个频带，提供太赫波和宽带超连续频谱同步发生装置，其方法和使用该方法的光谱方法来获得大量的频谱峰。 构成：聚焦透镜（110）聚焦光入射信号（100）。 第一光介质（120）基于光入射信号产生太赫兹波（130）。 第二光介质（140）基于光入射信号产生宽带超连续光谱（150）。 准直透镜（160）输出太赫兹波和宽带超连续光谱。
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公开(公告)号：KR1020100101485A
公开(公告)日：2010-09-17
申请号：KR1020090019990
申请日：2009-03-09
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L33/12
CPC classification number: H01L33/0079
Abstract: PURPOSE: A lighting device manufacturing method is provided to manufacture lighting devices of high efficiency, low costs, and large size and to prevent the generation of a crack during a manufacturing process. CONSTITUTION: A lighting device includes a step which forms a separation layer by injecting ion into a substrate or a lower semiconductor layer. The upper part and the lower part of the separation layer are separated through a thermal process. The lower semiconductor layer is separated from a separation layer and is divided into a first lower semiconductor layer(11a) and a second lower semiconductor layer(11b).
Abstract translation: 目的：提供一种照明装置制造方法，用于制造高效率，低成本和大尺寸的照明装置，并且防止在制造过程中产生裂纹。 构成：照明装置包括通过将离子注入基底或下半导体层形成分离层的步骤。 分离层的上部和下部通过热处理分离。 下半导体层与分离层分离，分为第一下半导体层（11a）和第二下半导体层（11b）。
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公开(公告)号：KR1020060037925A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：KR1020040087027
申请日：2004-10-29
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: G02F3/00
Abstract: 본 발명은 단일 반도체 광증폭기(SOA)의 이득포화 특성을 이용한 전광 OR 논리소자 구현장치 및 방법에 관한 것으로서, 특히 광컴퓨팅과 같은 광회로의 임의의 지점에서 전송되는 광신호를 펌프신호와 조사신호로 이용하여 전광 논리동작을 하는 새로운 전광 OR 논리소자를 구현하는 기술에 관한 것이다.
본 발명에 의하면, 광펄스를 생성하기 위한 광펄스 발생기와; 상기 광펄스 발생기로부터 입력신호 패턴 A와 B를 생성하기 위한 모드잠김 광섬유 레이저(MLFL); 상기 모드잠김 광섬유 레이저의 출력광을 50:50으로 분리하기 위한 제1 광분배기; 상기 제1 광분배기로부터 출력광의 시간 지연을 얻기 위한 제1 광지연수단; 상기 제1 광분배기로부터 출력광의 세기와 편광을 조절하기 위한 광조절 수단; 상기 제1 광지연수단 및 광조절 수단으로부터의 출력광을 결합시켜 조사신호로서 입력신호 패턴 A를 발생시키는 제1 광결합기; 상기 제1 광결합기로부터의 출력광을 50:50으로 분리하기 위한 제2 광분배기; 상기 제2 광분배기로부터의 출력광이 시간 지연되어 입력신호 패턴 B가 발생되는 제2 광지연수단; 상기 입력신호 패턴 B가 50:50으로 분리되기 위한 제3 광분배기; 상기 제3 광분배기에서 한 측의 입력신호 패턴 B를 펌프신호로 증폭하기 위한 어븀첨가 광섬유 증폭기(EDFA); 상기 펌프신호와 조사신호가 반대방향으로 입사되는 반도체 광증폭기(SOA); 상기 반도체 광증폭기로부터의 출력신호와 입력 신호 패턴(B)를 결합하는 제2 광결합기; 및 상기 제2 광결합기로부터의 출력광을 검출하여 분석하는 광신호 분석기를 포함하는 것을 특징으로 하는 전광 OR 논리소자 구현장치 를 제시한다.
반도체 광증폭기(SOA), 전광 OR 논리소자, 조사신호, 펌프신호-
公开(公告)号：KR100570799B1
公开(公告)日：2006-04-13
申请号：KR1020030093617
申请日：2003-12-19
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G06F7/50
Abstract: 본 발명은 반도체 광증폭기 (SOA)의 이득포화 특성을 이용하여 전광 가산기를 구현할 수 있는 기술로서, 전광 가산기의 SUM과 CARRY의 동작에는 각각 2개의 전광 XOR 논리소자와 4개의 전광 NOR 논리소자가 이용되었으며, 두 연산이 동시에 구현되었다.
전광 가산기, XOR 논리소자, NOR 논리소자, 반도체 광증폭기, SUM, CARRY
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