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公开(公告)号：KR1019970011617B1
公开(公告)日：1997-07-12
申请号：KR1019930027215
申请日：1993-12-10
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/336
Abstract: Gate metal fabricating method using horizontal growth for ECR insulating film is disclosed. The gate metal fabricating method comprises the steps of (A) forming a T shape in a photoresists(5,6) by using a predetermined lithography after forms a second dimensional electronic gas layer(2) on a semi-insulating GaAs substrate and forms aluminium GaAs layer(3) for stopping etch and then coats and thermally processes a first and second photoresists(5,6) on the substrate which a GaAs layer(4) growed and is doped for reducing resistance thereof, (B) depositing low temperature insulating layer(7) on the substrate by using the ECR method, (C) forming the remained side wall insulating layer(7a,7b) by etching the low temperature insulating layer(7) horizontally, (D) forming the recess etching part(8) by etching the doped GaAs layer(4) by using the T shape of (C) process, (E) forming a gate metal(9) by depositing on the (D) process, and (F) making the length of the T shaped gate(9a) short as twice as the thickness of the low temperature gate insulating layer(7) by a lift-off method. Thus, it is possible to improve the function and reliability of the device.
Abstract translation: 公开了使用ECR绝缘膜的水平生长的栅极金属制造方法。 栅极金属制造方法包括以下步骤：（A）在半绝缘GaAs衬底上形成二维电子气体层（2）之后，通过使用预定的光刻在光致抗蚀剂（5,6）中形成T形，并形成铝 GaAs层（3），用于停止蚀刻，然后涂覆和热处理衬底上的第一和第二光致抗蚀剂（5,6），GaAs层（4）生长并掺杂以降低其电阻，（B）沉积低温绝缘 通过使用ECR法在基板上形成层（7），（C）通过水平蚀刻低温绝缘层（7）形成剩余侧壁绝缘层（7a，7b），（D）形成凹部蚀刻部 ）通过使用（C）工艺的T形蚀刻掺杂的GaAs层（4），（E）通过在（D）工艺上沉积形成栅极金属（9），和（F）使T的长度 （9a）通过剥离法短于低温栅极绝缘层（7）的厚度的两倍。 因此，可以提高装置的功能和可靠性。
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公开(公告)号：KR1019970022534A
公开(公告)日：1997-05-30
申请号：KR1019950034133
申请日：1995-10-05
IPC: G03F7/00
Abstract: 본 발명은 포토레지스트 패턴 형성방법에 관한 것으로서, 반도체 기판에 도포된 포토레지스트층에 가속 전압이 임계치 보다 작은 전자 빔으로 짧은 기간 동안 소정 두께까지 예비 노광하고 딥 UV를 전면에 조사하여 상기 예비 노광된 부분을 완전히 노광시킨다.
따라서, 가속전압이 임계치 보다 작은 전자 빔에 의한 짧은 시간 동안의 예비 노광과 딥 UV에 의한 전면노광에 노광 시간을 감소하며 현상시 수직하는 포토레지스트 패턴을 얻을 수 있다.-
公开(公告)号：KR1019960019599A
公开(公告)日：1996-06-17
申请号：KR1019940032093
申请日：1994-11-30
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/334
Abstract: 본 발명은 갈륨비소 HEMT소자의 티(T)형 게이트 형성방법에 관한 것으로 보다 상세하게는 저잡음 특성이 우수하고 동작속도가 빨라 통신용 소자 및 고속 컴퓨터에 많이 이용되는 갈륨비소 HEMT소자의 게이트금속에 있어서 광 노광과 전자빔 노광을 병행하여 사용하고 저온 중간막을 이용함으로써 매우 안정하고 낮은 저항을 갖는 T형 게이트 금속을 형성할 수 있는 티(T)형 게이트 형성방법에 관한 것이다.
특징적인 구성으로는 반절연성의 갈륨비소기판위에 2차원 전자가스층을 형성하고 그 위에 다시 식각정지를 위한 알미늄 갈륨비소층을 형성한 후 갈륨비소도핑층을 형성하여 성장시킨 기판을 이용하여 티(T)형 게이트를 형성하는 갈륨비소 HEMT소자의 티(T)형 게이트 제조방법에 있어서, 상기 기판의 갈륨비소도핑층위에 전자빔에 의해 노광을 실시하기 위해 1차로 전자빔 노광용 감광막을 도포하여 열처리하는 제1공정과, 상기 제1공정에서 열처리된 감광막위에 중간막을 도포하여 저온에서 저온 중간막을 형성하는 제2공정과, 상기 제2공정에서 형성된 저온 중간막위에 다시 광에 의한 노광을 실시하기 위해 광 노광용 감광막을 도포하여 열처리하는 제3공정과, 상기 제3공정에서 열처리된 광 노광용 감광막을 스테퍼로 노광하여 원하는 패턴을 형성하고 그 형상을 이용하여 상기 저온 중간막을 습식식각방법에 의해 수평방향으로 과식각하여 광 노광용 감광막의 아래에 언더컷팅부를 만드는 제4공정과, 상기 제4공정의 식각이후 전자빔을 사용하여 전자빔 노광용 감광막위에 원하는 미세한 패턴을 형성하고 그 패턴을 이용하여 갈륨비소도핑층을 선택적으로 리세스식각하여 T형상을 형성하는 제5공정과, 상기 제5공정에서 형성된 T형상을 이용하여 게이트 금속을 증착하는 제6공정과, 상기 제6공정에서 증착된 게이트 금속을 리프트-오프방법으로 T형 게이트를 형성하는 제7공정으로 이루어짐에 있다.-
公开(公告)号：KR1019960009233A
公开(公告)日：1996-03-22
申请号：KR1019940019489
申请日：1994-08-08
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/812
Abstract: 본 발명은 HEMT 소자제작에 있어서 사용되는 T-게이트 형성방법에 관한 것으로, 종래기술에서 전자빔에 의한 이중 노광을 사용할 경우 전자빔 리소그래피의 단점인 처리량에 치명적인 영향을 미치는 문제점을 해결하기 위하여 본 발명에서는 MIBK:IPA=1:1 현상액에서 60초 동안, PMMA 현상을 한후 섭씨 120도 열판에서 경화건조를 행하고 AZ5214E 레지스트(12)를 1.27um 도포한 후 연화건조(soft bake)를 120도에서 90초 동안 열판에서 행한 후, 250mW/㎠를 갖는 밀착기(contact printer)에서 20초 동안 수행한 후 게이트 금속막(5)을 1um 이하 원하는 두께만큼 증착하고서 리프트 오프 공정에 의해서 T-게이트를 형성하는 방법을 제공함으로써 T-게이트 헤드 부위의 단 면적이 크게되어 게이트 저항과 잡음을 최대한 줄일 수 있는 HEMT 소자제작이 가능하다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019930000608B1
公开(公告)日：1993-01-25
申请号：KR1019890011895
申请日：1989-08-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/18
Abstract: The semiconductor manufacuring method for forming the connecting hole of metallic layers in multilayers comprises (a) coating the first metallic layer formed on a semiconductor substrate with the first polyimide layer, (b) heating to form a metallic layered connecting hole, (c) vapor depositing a metallic layer on a polyimide layer, (d) removing only the first polyimide and metallic layer, (e) forming an oxide film and the second polyimide layer on the first metallic layer, and (f) inlaying a connecting hole in metallic layers by etching back, and forming the second metallic layer.
Abstract translation: 用于在多层中形成金属层的连接孔的半导体制造方法包括：（a）用第一聚酰亚胺层涂覆形成在半导体衬底上的第一金属层，（b）加热形成金属层状连接孔，（c）蒸气 在聚酰亚胺层上沉积金属层，（d）仅去除第一聚酰亚胺和金属层，（e）在第一金属层上形成氧化膜和第二聚酰亚胺层，以及（f）在金属层中嵌入连接孔 通过回蚀，形成第二金属层。
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公开(公告)号：KR1019920004961B1
公开(公告)日：1992-06-22
申请号：KR1019880017987
申请日：1988-12-30
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H05G2/003 , G03F7/70033
Abstract: The X-ray generation system for an ultra fine lithography includes a center electrode having an adjusting member, a peripheral electrode having gas flow holes and a metal disc having gas flow holes for generating the X-ray from a plasma. A large capacitor, a transparent cylinder, a discharge member, discharge and observing windows, a cylindrical insulator, exhaust holes, a metal container, large electric power spatial gap switches, a current returning wire are also provided. An exhaust pump, and gas feeding members continuously operate increasing stability, controlling, and discharging the quentity.
Abstract translation: 用于超细光刻的X射线产生系统包括具有调节构件的中心电极，具有气体流通孔的外围电极和具有用于从等离子体产生X射线的气体流通孔的金属盘。 还提供了大电容器，透明圆筒，放电构件，放电观察窗，圆柱形绝缘体，排气孔，金属容器，大电力空间间隙开关，回流电线。 排气泵和气体供给构件连续运行增加的稳定性，控制和排出量。
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公开(公告)号：KR1019920001913B1
公开(公告)日：1992-03-06
申请号：KR1019890011894
申请日：1989-08-21
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: A method for manufacturing a semoconductor using a pattern layer comprises (A) coating a first polyimde layer on the first metal layer formed on the semiconductor substrate to make metal layer joining hole vacant, (B) depositing a metal layer on the first metal layer and the first polyimde layer, (C) coating a second polyimide layer on the above metal layer, and (D) etching back up to the metal layer of the metal layer joining hole to let the joining hole be buried in the joining hole.
Abstract translation: 使用图案层制造半导体的方法包括：（A）在形成于半导体衬底上的第一金属层上涂覆第一聚酰亚胺层以使金属层接合孔空白，（B）在第一金属层上沉积金属层，以及 第一聚酰亚胺层，（C）在上述金属层上涂布第二聚酰亚胺层，（D）回蚀刻到金属层接合孔的金属层，使接合孔埋入接合孔中。
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公开(公告)号：KR1019920001912B1
公开(公告)日：1992-03-06
申请号：KR1019890011893
申请日：1989-08-21
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: A method for manufacturing a semiconductor using an oxide film and a polyimide comprises (A) depositing and coating a first oxide film and a first polyimide layer on the first metal layer formed on the semiconductor substrate, (B) forming a metal layer joining hole into hollow space, (C) depositing a metal layer on the first oxid film nd polyimide layer, (D) depositing and coating a second oxide film and a second polyimide layer on the surfaces of metal layers, and (E) etching back up to the metal layer of the metal layer joining hole to form a second metal layer by filling up the joining hole with the etched metal layer.
Abstract translation: 使用氧化膜和聚酰亚胺制造半导体的方法包括：（A）在形成在半导体衬底上的第一金属层上沉积和涂覆第一氧化膜和第一聚酰亚胺层，（B）形成金属层接合孔 （C）在第一氧化膜nd聚酰亚胺层上沉积金属层，（D）在金属层的表面上沉积和涂覆第二氧化物膜和第二聚酰亚胺层，（E）回蚀刻到 金属层接合孔的金属层，以通过用蚀刻的金属层填充接合孔来形成第二金属层。
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