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公开(公告)号：KR101250449B1
公开(公告)日：2013-04-08
申请号：KR1020090084037
申请日：2009-09-07
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: F28D15/00 , H01L23/36 , H01L23/373 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 전자통신 기기들에 제공되는 솔리드형 방열 장치가 제공된다. 솔리드형 방열 장치는 수평 방향으로의 열 전달을 위한 흑연 박판과, 수직 방향으로의 열 전달을 위해 흑연 박판을 관통하는 복수 개의 금속 필러들 및 흑연 박판의 상면 및 하면에 부착되어 금속 필러들과 연결된 금속 박판들을 포함한다.
흑연 박판, 금속 필러들, 금속 박판-
公开(公告)号：KR101221871B1
公开(公告)日：2013-01-15
申请号：KR1020090120620
申请日：2009-12-07
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L21/6835 , H01L21/84 , H01L24/83 , H01L24/93 , H01L2221/6835 , H01L2221/68359 , H01L2221/68368 , H01L2224/2919 , H01L2224/83192 , H01L2224/8385 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01023 , H01L2924/01033 , H01L2924/01049 , H01L2924/01051 , H01L2924/01072 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/00
Abstract: 본 발명은 생산성을 향상시킬 수 있는 반도체 소자의 제조방법을 개시한다. 그의 방법은, 실리콘 산화막의 매몰 절연막 상에 활성 층이 형성된 SOI 기판에 실리콘 질화막 재질의 게이트 절연막을 형성하고, 상기 게이트 절연막 상에 게이트 전극을 형성하고, 상기 게이트 전극 양측의 상기 활성 층에 소스/드레인 영역을 형성한 후, 상기 게이트 전극 및 상기 소스/드레인 영역을 포함하는 박막트랜지스터의 주변에 형성된 상기 매몰 절연막을 노출시키고, 상기 박막트랜지스터를 상기 제 1 기판으로부터 분리하기 위해 상기 매몰 절연막을 식각하여 언더 컷을 형성하는 과정에서 사용되는 식각 용액으로부터 게이트 절연막이 보호될 수 있기 때문에 생산수율을 향상시킬 수 있다.
SOI(silicon on insulator), 게이트(gate), 기판, 매몰, 절연막-
公开(公告)号：KR101211070B1
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：KR1020090040094
申请日：2009-05-08
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115 , G11C11/15
CPC classification number: G11C11/16
Abstract: 본발명은비휘발성메모리소자의제조방법에대한것으로서, 이방법은기판상에전도성박막층또는반도체박막층을형성하는단계, 상기전도성박막층또는반도체박막층상부에유기강유전체박막층을형성하는단계, 상기유기강유전체박막층을소정의형태로패터닝하는단계및 상기패터닝된 유기강유전체박막층상부에상부전극층을형성하는단계를포함한다. 따라서, 본발명에따른투명및 유연비휘발성메모리소자는 P(VDF-TrFE) 유기물강유전체박막층으로구성하고, 유기강유전체박막층의내약품성및 공정의존성을고려한소자의제조방법을제공함으로써, 저온공정이가능하고, 저렴하게제작이가능한투명및 유연비휘발성메모리소자를실현할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020120051319A
公开(公告)日：2012-05-22
申请号：KR1020100112700
申请日：2010-11-12
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H04B1/16
Abstract: PURPOSE: A wireless power receiver is provided to promote transmission efficiency and to prevent unnecessary heating of a wireless power receiver. CONSTITUTION: A non-radiative electromagnetic wave receiving unit(210) receives a non-radiative electromagnetic wave in resonance. A poly-phase signal separator(220) separates poly-phase signals from the received non-radiative electromagnetic wave. A poly-phase signal rectifier(230) rectifies the separated poly-phase signals. A DC/DC converter(240) converts the rectified DC power into usable power to a loading unit.
Abstract translation: 目的：提供无线电源接收器，以提高传输效率，并防止无线电源接收器的不必要加热。 构成：非辐射电磁波接收单元（210）在共振中接收非辐射电磁波。 多相信号分离器（220）从接收的非辐射电磁波分离多相信号。 多相信号整流器（230）对分离的多相信号进行整流。 DC / DC转换器（240）将整流的直流电力转换成可用功率到加载单元。
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公开(公告)号：KR1020120011956A
公开(公告)日：2012-02-09
申请号：KR1020100073379
申请日：2010-07-29
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: PURPOSE: A wireless power transmitter, a wireless power receiver, and a wireless power transmission method using the same are provided to determine an optimized transmission frequency according to a received power value, thereby improving transmission efficiency. CONSTITUTION: A wireless power transmitter(100) modulates a transmission frequency according to a predetermined value. The wireless power transmitter transmits a high frequency signal according to the modulated transmission frequency to one or more wireless power receivers(210). The wireless power receiver re-determines the predetermined value according to information corresponding to a power value of the received high frequency signal. The transmission frequency is modulated within a range of 10 percent of an independent resonant frequency. The information with respect to the power value is created from the wireless power receivers.
Abstract translation: 目的：提供一种无线电力发射机，无线电力接收机和使用其的无线电力传输方法，以根据接收功率值确定优化的传输频率，从而提高传输效率。 构成：无线电力发射机（100）根据预定值调制发射频率。 无线电力发射机根据调制的发射频率将高频信号发射到一个或多个无线电力接收机（210）。 无线电力接收机根据与所接收的高频信号的功率值对应的信息重新确定预定值。 传输频率在独立谐振频率的10％的范围内进行调制。 关于功率值的信息是从无线电力接收器产生的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020110095530A
公开(公告)日：2011-08-25
申请号：KR1020100015052
申请日：2010-02-19
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L51/40 , H01L29/786
CPC classification number: H01L51/0545 , H01L51/105 , H01L51/0005 , H01L51/0022 , H01L51/0516
Abstract: PURPOSE: An organic thin film transistor and a forming method thereof are provided to improve an electric property by forming a source electrode, a drain electrode, and an organic semiconductor layer with a self-alignment method. CONSTITUTION: A gate electrode(110) is formed on a substrate(100). A gate insulation layer(120) is formed on the substrate to cover the gate electrode. A recess region is formed on the upper side of the gate insulation layer. A source electrode(130S) and a drain electrode(130D) are formed in the recess region. An organic semiconductor layer(140) is formed between the source electrode and the drain electrode.
Abstract translation: 目的：提供一种有机薄膜晶体管及其形成方法，通过用自对准方法形成源电极，漏电极和有机半导体层来改善电性能。 构成：在基板（100）上形成栅电极（110）。 在基板上形成栅极绝缘层（120）以覆盖栅电极。 在栅极绝缘层的上侧形成凹部区域。 源极电极（130S）和漏电极（130D）形成在凹部区域中。 在源电极和漏电极之间形成有机半导体层（140）。
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公开(公告)号：KR1020110088117A
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：KR1020100007865
申请日：2010-01-28
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: C09K11/0811 , C09K11/7769 , H01L33/005 , H01L51/5012 , Y10S428/917
Abstract: PURPOSE: An oxide-based red phosphor is provided to enable the use for phosphors for UV-LED(ultraviolet excitation light emitting diode) through the enhancement of luminous efficiency exhibiting high absorption peak in a long wavelength UV region of 250-400 nm. CONSTITUTION: A method for preparing an oxide-based red phosphor comprises the steps of: (S11) weighing a calcium precursor, zinc precursor, titanium precursor and praseodymium precursor in order to have the composition of chemical formula 1: Ca_(1-x-y)Pr_xZn_yTiO_3 to prepare a mixture, wherein 0
Abstract translation: 目的：提供一种氧化物基红色荧光体，通过增强在250-400nm的长波长UV区域中具有高吸收峰的发光效率，可以用于UV-LED（紫外线激发发光二极管）的荧光体。 构成：制备氧化物基红色荧光体的方法包括以下步骤：（S11）称量钙前体，锌前体，钛前体和镨前体，以具有化学式1的组成：Ca（1-xy） Pr_xZn_yTiO_3以制备混合物，其中0
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公开(公告)号：KR1020110062841A
公开(公告)日：2011-06-10
申请号：KR1020090119682
申请日：2009-12-04
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: PURPOSE: A wireless power transferring device is provided to prevent unnecessary heat radiation. CONSTITUTION: A highly efficient wireless power transferring system includes power relay resonant coils(200,210) between a transfer coil(112) and a receiving coil(123). The transfer coil and the power relay resonant coils resonate each other. Resonant frequency adjusting units(201,211) are placed in each power relay resonant coil.
Abstract translation: 目的：提供无线传输装置，以防止不必要的热辐射。 构成：高效率的无线电力传输系统包括传递线圈（112）和接收线圈（123）之间的功率继电器谐振线圈（200,210）。 传递线圈和功率继电器谐振线圈彼此谐振。 谐振频率调节单元（201,211）放置在每个功率继电器谐振线圈中。
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公开(公告)号：KR101025743B1
公开(公告)日：2011-04-04
申请号：KR1020080100337
申请日：2008-10-13
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: A61N1/0543 , A61N1/36046 , A61N1/37229 , A61N1/3787
Abstract: 본 발명에 따른 인공 망막 구동 장치는 사용자의 허리와 안구 내에 각각 장착된 1차 코일과 2차 코일의 공진에 의하여 1m 정도의 중거리 내에서 인공 망막 회로에 무선으로 전력을 전송할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따르면, 수정체 내에 코일을 삽입하는 어려움을 해결할 수 있을 뿐만 아니라, 인공 안경을 사용하지 않아도 되므로 사용자에게 편리함을 제공할 수 있으며, 인공 망막 회로에 안정적으로 전력을 공급할 수 있다. 또한, 본 발명에 따르면, 안구 내에서 2차 코일과 인공 망막 회로를 연결하는데 따른 어려움을 크게 감소시킬 수 있다.
중거리, 무선 전력 전송, 인공 망막, 공진-
公开(公告)号：KR1020110021632A
公开(公告)日：2011-03-04
申请号：KR1020100029135
申请日：2010-03-31
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115 , H01L29/786 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L21/28273 , H01L21/28291 , H01L27/1159 , H01L29/78645
Abstract: PURPOSE: A nonvolatile memory cell and a manufacturing method thereof are provided to reduce the additional packaging expense by mounting the memory transistor inside the system and omitting the external memory. CONSTITUTION: A memory transistor including a semiconductor film(204A), a buffer layer(206A), an organic ferroelectric film(208A), and a gate electrode(214) is formed on a substrate(200). A driving transistor including the semiconductor film, a buffer layer, a gate insulating layer(209A), and a gate electrode is formed on the top of the substrate. The buffer layer is interposed between the semiconductor film and the organic ferroelectric film.
Abstract translation: 目的：提供一种非易失性存储单元及其制造方法，通过将存储晶体管安装在系统内并省略外部存储器来减少额外的封装费用。 构成：在衬底（200）上形成包括半导体膜（204A），缓冲层（206A），有机铁电体膜（208A）和栅电极（214）的存储晶体管。 包括半导体膜，缓冲层，栅极绝缘层（209A）和栅电极的驱动晶体管形成在基板的顶部。 缓冲层介于半导体膜和有机铁电体膜之间。
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