公开(公告)号：CN102056839A

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN200980121874.X

申请日：2009-04-21

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： T·克拉梅尔 ,  M·阿勒斯 ,  A·格伦德曼 ,  K·克内泽 ,  H·本泽尔 ,  G·许尔曼 ,  S·安布鲁斯特

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00158 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2201/0136 ,  G01L9/0042

Abstract: 本发明提出一种用于制造具有来自衬底背侧的入口的微机械膜片结构的方法。所述方法基于p掺杂的硅衬底(1)并且包括以下方法步骤：n掺杂衬底表面的至少一个连续的栅格状区域(2)，多孔蚀刻所述n掺杂的栅格结构(2)下方的衬底区域(5)，在所述n掺杂的栅格结构(2)下方的所述衬底区域(5)中产生一空腔(7)；在所述n掺杂的栅格结构(2)上生长第一单晶的硅外延层(8)。其特征在于，如此确定所述n掺杂的栅格结构(2)的至少一个开口(6)的尺寸，使得它不被生长的第一外延层(8)封闭，而是形成通到所述空腔(7)的进入开口(9)；在空腔壁上产生氧化层(10)；产生通到所述空腔(7)的背侧入口(13)，其中，所述空腔壁上的氧化层(10)充当蚀刻终止层；以及去除所述空腔(7)的区域中的氧化层(10)，使得形成通到被构造在所述空腔(7)上方的膜片结构(14)的背侧入口(13)。

公开(公告)号：CN102056063A

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN201010543569.4

申请日：2010-11-05

Applicant: 宝星电子股份有限公司

Inventor： 宋青淡 ,  金容国

IPC: H04R19/04 ,  H04R31/00 ,  B81B3/00 ,  B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: H04R19/04 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00158

Abstract: 本发明提供一种微电子机械系统传声器及其制造方法，具体是关于能够在硅基板上形成空隙形成部之后，蒸镀膜和支撑板，从而能够准确地形成膜和支撑板之间的间距的微电子机械系统传声器及其制造方法。另外，是关于使用非电解镀层工序来制造膜或/及支撑板，从而简化牺牲层的平坦化工序且能够容易地减小及调节残余应力的微电子机械系统(MEMS)传声器及其制造方法。根据本发明提供一种微电子机械系统传声器及其制造方法，包括：硅基板，形成有背腔，通过在所述背腔的上侧以已设定的深度进行蚀刻而形成空隙形成部；膜，在所述硅基板的空隙形成部或硅基板上蒸镀；及支撑板，其以与所述膜分开的方式被蒸镀在所述空隙形成部或硅基板上，而与所述膜形成空隙的间距。

公开(公告)号：CN101804959A

公开(公告)日：2010-08-18

申请号：CN200910159267.4

申请日：2009-08-10

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 李硕源

IPC: B81B7/00 ,  B81C3/00

CPC classification number: B81B7/0061 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2207/012 ,  H01L23/552 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15151 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明所提供的是一种半导体封装及其制造方法，此半导体封装包括至少一个感测元件与屏蔽层。配置在模塑化合物上的屏蔽层能够保护半导体封装免受电磁干扰辐射，但半导体封装的感测元件不会被此屏蔽层阻挡，故而能够接收感测信号。

公开(公告)号：CN101394685A

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN200810215255.4

申请日：2008-09-22

Applicant: 美国西门子医疗解决公司

Inventor： P·A·沃纳 ,  I·拉达鲍姆 ,  K·J·杰克逊

IPC: H04R19/00 ,  H04R31/00

CPC classification number: B81B3/0021 ,  B06B1/0292 ,  B81B2201/0257 ,  Y10T29/43 ,  Y10T29/49005

Abstract: 本发明涉及具有多层电极的微加工声换能器。在电容式膜(14)超声换能器中，一个或者多个电极(18，20)包括导电的或者半导体材料的多个层(22，24)。在布置中，所述层(22，24)可以与绝缘体(28，14)或者空穴(16)相邻以便减少电退化。例如，具有较低功函数和较小电阻率的导电层(22)通过具有较高功函数和较大电阻率的导电层(24)从绝缘体(28，14)隔开。由于所使用的材料的类型和相对位置，随时间的推移，电极材料的不同层(22，24)可能提供较少电退化。

公开(公告)号：CN101379869A

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：CN200780004193.6

申请日：2007-09-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 卷幡胜浩 ,  木村教夫

IPC: H04R1/04 ,  B81B7/02 ,  H01L23/02 ,  H04R1/02

CPC classification number: H04R19/005 ,  B81B7/0077 ,  B81B2201/0257 ,  H01L23/552 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/16315 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3025 ,  H04R19/016 ,  H04R31/00 ,  H04R2499/11 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种屏蔽壳和具有该屏蔽壳的MEMS传声器，该屏蔽壳可以保证在顶板上从气密性角度的用于附着垫圈的最小距离。用于将安装在基板上的MEMS芯片与外部屏蔽的屏蔽壳包括顶板和多个侧板，且该多个侧板的厚度大于该顶板的厚度。采用这种构造，与具有均匀厚度的传统屏蔽壳相比，顶板的面积可以扩大。因此，用于将垫圈附着到顶板的区域可以得到保证而不改变传统屏蔽壳的夹持区域的位置、尺寸、范围等。

公开(公告)号：CN101208990A

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200680022953.1

申请日：2006-04-21

Applicant: 模拟设备公司

Inventor： 约翰·R·马丁 ,  蒂莫西·J·布劳斯尼汉 ,  克雷格·考尔 ,  托马斯·努南 ,  贾森·魏戈尔德 ,  张欣

IPC: H04R19/00

CPC classification number: H04R3/00 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0257 ,  B81C1/00182 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/49109 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/15151 ,  H04R19/005 ,  H04R2499/11

Abstract: 一种从硅或绝缘体上硅结构(SOI)晶片形成的微机械加工的麦克风。从晶片的顶硅层形成用于麦克风的固定的传感电极。通过淀积至少一个氧化物层、形成结构、然后通过贯穿顶硅层形成的沟槽从顶硅层的背面去除在该结构下面的氧化物的一部分，来在顶硅层的正面上形成多个多晶硅麦克风结构。这些沟槽允许声波从顶硅层的背面到达隔膜。在SOI晶片中，贯穿底硅层和中间氧化物层形成空腔，以暴露用于去除氧化物并允许声波到达隔膜的沟槽。可以在相同的晶片上形成惯性传感器，并且使用基本上与对应的麦克风结构相同的工序基本同时地形成多个惯性传感器结构。

公开(公告)号：CN1926919A

公开(公告)日：2007-03-07

申请号：CN200580006383.2

申请日：2005-02-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 小仓洋 ,  山冈彻

IPC: H04R19/01

CPC classification number: H04R19/016 ,  B81B7/0061 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2207/012 ,  H01G7/02 ,  H04R19/005

Abstract: 驻极体电容式麦克风，包括：设有开口部25的衬底13、以堵住开口部25的方式与衬底13的一面连接并且具有声孔12及空孔2的驻极体电容器50、与衬底13的一面连接的驱动电路元件15、以及以覆盖驻极体电容器50及驱动电路元件15的方式安装在衬底13的外盒17。在驻极体电容器50与衬底13的连接处两者电接触。声孔12通过开口部25与外部空间连接。空孔2及外盒17的内部区域成为驻极体电容器50的背部气室。

公开(公告)号：CN1926918A

公开(公告)日：2007-03-07

申请号：CN200580006382.8

申请日：2005-02-07

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山冈彻 ,  小仓洋 ,  三由裕一

IPC: H04R19/01 ,  H04R19/04

CPC classification number: H04R19/016 ,  B81B2201/0257 ,  B81C1/00944 ,  B81C2201/112 ,  H04R19/005

Abstract: 驻极体电容器包括：具有由上部电极构成的导电膜118的固定膜110，具有下部电极104及由驻极体膜构成的氧化硅膜105的振动膜112，以及具有在固定膜110与振动膜112之间形成且具有空气隙109的氧化硅膜108。固定膜110及振动膜112的露出在空气隙109的部分分别由氮化硅膜106及114所构成。

公开(公告)号：CN1703932A

公开(公告)日：2005-11-30

申请号：CN200380101283.9

申请日：2003-10-09

Applicant: 因芬尼昂技术股份公司

Inventor： A·德赫 ,  S·巴曾 ,  M·富伊德纳

IPC: H04R19/00

CPC classification number: B81C1/0096 ,  B81B3/001 ,  B81B2201/0257 ,  B81C1/00158 ,  H04R19/005 ,  H04R31/003 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/49005 ,  Y10T29/4908

Abstract: 在一种制造用于一装置，例如麦克风的一膜层(120)的方法中，首先，乃提供一基板(100)，而在其上则是设置一对电极(104)。一牺牲层(106)乃设置于该对电极(104)远离该基板(100)的表面上，然后，该牺牲层(106)远离该对电极(104)的该表面乃进行结构化以在该表面中形成多个凹陷，进而同时定义一或数个抗黏组件以及一或数个皱折沟。然后于该牺牲层(106)该已结构化表面(108)上沉积一膜层材质(120)，接着，该牺牲层(106)即被移除，以形成具有一或数个皱折沟(124)以及一或数个抗黏组件(126)的膜层(120)。

公开(公告)号：CN1517296A

公开(公告)日：2004-08-04

申请号：CN03165014.7

申请日：2003-09-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南润宇 ,  李锡汉

IPC: B81C1/00

CPC classification number: H01L41/45 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/032 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00182 ,  H01L41/094 ,  H01L41/0973 ,  H04R1/406 ,  H04R17/02 ,  H04R2420/07

Abstract: 本发明公开柔性MEMS换能器及其制造方法、以及柔性MEMS无线扩音器。一种柔性无线MEMS扩音器，包括：柔性聚合物材料的衬底，在衬底上通过PECVD形成的柔性MEMS换能器结构，在衬底上印制的天线、用于与外界源通信，在衬底中嵌入的导线和接口电路以便电连接柔性MEMS换能器和天线，电连接到衬底的柔性电池层、用于将电源提供到MEMS换能器，以及电连接到电池层的柔性蓝牙模块层。柔性MEMS换能器包括：柔性衬底，在衬底上沉积的薄膜层，在薄膜层上形成的下电极层，在下电极层上通过沉积压电聚合物形成的有源层，在有源层上形成的上电极层，以及分别电连接到下电极层和上电极层的第一和第二连接焊盘。