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    ACTUATOR AND MICROMIRROR FOR FAST BEAM STEERING AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
    132.
    发明申请
    ACTUATOR AND MICROMIRROR FOR FAST BEAM STEERING AND METHOD OF FABRICATING THE SAME 审中-公开
    用于快速光束转向的执行器和微型计算机及其制造方法

    公开(公告)号：WO02059942A3

    公开(公告)日：2003-05-01

    申请号：PCT/US0201968

    申请日：2002-01-22

    Applicant: UNIV CALIFORNIA

    Inventor： CONANT ROBERT A ,  NEE JOCELYN T ,  LAU KAM-YIN

    IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  G02B26/08 ,  G02B7/182

    CPC classification number: B81C1/00658 ,  B81B2201/033 ,  B81B2201/042 ,  B81B2203/0136 ,  B81C1/00182 ,  B81C2201/0178 ,  B81C2203/032 ,  G02B26/0841

    Abstract: A micromirror (140) for fast beam steering and method of fabricating the same. The micromirror of the present invention is lightweight and optically flat, and includes a tensile membrane (144) that is stretched under high tension across a rigid single-crystal silicon support rib structure (142). A thin layer of gold may be deposited on the polysilicon membrane to improve reflectivity. The tensile stress in the membrane gives the micromirror a very high resonant frequency, thereby allowing the mirror (40) to be scanned at high frequencies without exciting resonant nodes that may compromise the flatness of the optical surface properties. The tensile stress also causes the optical surface to be stretched flat. The micromirror of the present invention may be actuated by a staggered torsional (42) electrostatic combdrive.

    Abstract translation: 一种用于快速光束转向的微镜（140）及其制造方法。 本发明的微反射镜是重量轻且光学平坦的，并且包括在高拉力下横跨刚性单晶硅支撑肋结构（142）拉伸的拉伸膜（144）。 可以在多晶硅膜上沉积薄的金层以提高反射率。 膜中的拉伸应力使微镜具有非常高的谐振频率，从而允许反射镜（40）以高频扫描，而不会激发可能损害光学表面性质的平坦度的谐振节点。 拉伸应力也使得光学表面被拉平。 本发明的微反射镜可以由交错的扭转（42）静电梳状驱动器驱动。

    ACTUATOR AND MICROMIRROR FOR FAST BEAM STEERING AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
    133.
    发明申请
    ACTUATOR AND MICROMIRROR FOR FAST BEAM STEERING AND METHOD OF FABRICATING THE SAME 审中-公开
    用于快速光束转向的执行器和微型计算机及其制造方法

    公开(公告)号：WO2002059942A2

    公开(公告)日：2002-08-01

    申请号：PCT/US2002/001968

    申请日：2002-01-22

    Applicant: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA

    Inventor： CONANT, Robert, A. ,  NEE, Jocelyn, T. ,  LAU, Kam-Yin

    IPC: H01L

    CPC classification number: B81C1/00658 ,  B81B2201/033 ,  B81B2201/042 ,  B81B2203/0136 ,  B81C1/00182 ,  B81C2201/0178 ,  B81C2203/032 ,  G02B26/0841

    Abstract: A micromirror for fast beam steering and method of fabricating the same. The micromirror of the present invention is lightweight and optically flat, and includes a tensile membrane that is stretched under high tension across a rigid single-crystal silicon support rib structure. A thin layer of gold may be deposited on the polysilicon membrane to improve reflectivity. The tensile stress in the membrane gives the micromirror a very high resonant frequency, thereby allowing the mirror to be scanned at high frequencies without exciting resonant nodes that may compromise the flatness of the optical surface and ruin its optical properties. The tensile stress also causes the optical surface to be stretched flat. The micromirror of the present invention may be actuated by a staggered torsional electrostatic combdrive.

    Abstract translation: 一种用于快速光束转向的微镜（140）及其制造方法。 本发明的微反射镜是重量轻且光学平坦的，并且包括在高拉力下横跨刚性单晶硅支撑肋结构（142）拉伸的拉伸膜（144）。 可以在多晶硅膜上沉积薄的金层以提高反射率。 膜中的拉伸应力使微镜具有非常高的谐振频率，从而允许反射镜（40）以高频率扫描，而不会激发可能损害光学表面性质的平坦度的谐振节点。 拉伸应力也使得光学表面被拉平。 本发明的微反射镜可以由交错的扭转（42）静电梳状驱动器驱动。

    STAGGERED TORSIONAL ELECTROSTATIC COMBDRIVE AND METHOD OF FORMING SAME
    134.
    发明申请
    STAGGERED TORSIONAL ELECTROSTATIC COMBDRIVE AND METHOD OF FORMING SAME 审中-公开

    公开(公告)号：WO01092939A1

    公开(公告)日：2001-12-06

    申请号：PCT/US2001/015514

    申请日：2001-05-14

    IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  G02B26/08 ,  G02B7/182

    CPC classification number: B81C1/00182 ,  B81B2201/042 ,  B81B2203/0136 ,  B81C2201/0178 ,  B81C2203/032 ,  G02B26/0841

    Abstract: A staggered torsional electrostatic combdrive includes a stationary combteeth assembly (22) and a moving combteeth assembly (30) with a mirror (40) and a torsional hinge (42). The moving combteeth assembly is positioned entirely above the stationary combteeth assembly by a predetermined vertical displacement during a combdrive resting state.

    Abstract translation: 交错的扭转静电梳齿驱动器包括固定的组合组件（22）和具有反射镜（40）和扭转铰链（42）的运动的组合组件（30）。 移动的组合组件在梳齿装置静止状态期间完全位于固定组合组件上方预定的垂直位移。

    METHOD OF MANUFACTURING AN OXIDE BEAM
    137.
    发明申请
    METHOD OF MANUFACTURING AN OXIDE BEAM 审中-公开
    制造氧化物束的方法

    公开(公告)号：WO2004059704A1

    公开(公告)日：2004-07-15

    申请号：PCT/US2002/041318

    申请日：2002-12-26

    Applicant: KIONIX INC. ,  ADAMS, Scott, G. ,  MILLER, Scott, A.

    Inventor： MILLER, Scott, A.

    IPC: H01L21/00

    CPC classification number: H01L21/76229 ,  B81B3/0086 ,  B81B2203/033 ,  B81C1/00126 ,  B81C2201/0178 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/76208

    Abstract: A method of manufacturing an insulating micro-structure (100) by etching a plurality of trenches in a silicon substrate (101) and filling said trenches with insulating materials (105, 107). The trenches are etched and then oxidized until completely or almost completely filled with silicon dioxide. Additional insulating material is then deposited as necessary to fill any remaining trenches, thus forming the structure. When the top of the structure is metallized, the insulating structure increases voltage resistance and reduces the capacitive coupling between the metal (109) and the silicon substrate. Part of the silicon substrate underlying the structure is optionally removed further to reduce the capacitive coupling effect. Hybrid silicon-insulator structures can be formed to gain the effect of the benefits of the structure in three-dimensional configurations, and to permit metallization of more than one side of the structure.

    Abstract translation: 一种通过蚀刻硅衬底（101）中的多个沟槽并用绝缘材料（105,107）填充所述沟槽来制造绝缘微结构（100）的方法。 蚀刻沟槽，然后氧化直到完全或几乎完全充满二氧化硅。 然后根据需要沉积额外的绝缘材料以填充任何剩余的沟槽，从而形成结构。 当结构的顶部被金属化时，绝缘结构增加了电阻并降低了金属（109）和硅衬底之间的电容耦合。 可选地，进一步去除结构底层的硅衬底的一部分以降低电容耦合效应。 可以形成混合硅 - 绝缘体结构以获得三维结构中结构的益处的效果，并且允许结构多于一侧的金属化。

    VERFAHREN ZUM HERSTELLEN VON ISOLATIONSSTRUKTUREN
    138.
    发明申请
    VERFAHREN ZUM HERSTELLEN VON ISOLATIONSSTRUKTUREN 审中-公开
    的生产方法隔离结构

    公开(公告)号：WO2004026759A2

    公开(公告)日：2004-04-01

    申请号：PCT/DE2003/003049

    申请日：2003-09-12

    Applicant: CONTI TEMIC MICROELECTRONIC GMBH ,  AIKELE, Matthias ,  ENGELHARDT, Albert ,  FREY, Marcus ,  HARTMANN, Bernhard ,  SEIDEL, Helmut

    Inventor： AIKELE, Matthias ,  ENGELHARDT, Albert ,  FREY, Marcus ,  HARTMANN, Bernhard ,  SEIDEL, Helmut

    IPC: B81C1/00

    CPC classification number: B81C1/00698 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2203/033 ,  B81C2201/0178

    Abstract: Die Erfindung betrifft Verfahren zum Herstellen von Isolationsstrukturen für mikromechanischen Sensoren in einkristalliner Oberflächentechnologie. Bei bekannten Verfahren werden durch tiefe Trenchgräben definierte Siliziumstrukturen geätzt und durch einen "Release-Etch" Schritt auch auf ihrer Unterseite zum Substrat hin freigelegt. Anschliessendens Auffüllen dieser Gräben mit einem dielektrisch isolierenden Material, wie zum Beispiel Siliziumdioxid, führt zu einer festen Verankerung durch eine dreiseitige, einseitig offene Umklammerung der Siliziumstruktur mit aufgefüllten Trenchgräben. Der wesentliche Gedanke der Erfindung ist, anstelle des Auffüllens von Gräben die Umwandlung von dünnwandigem Silizium in ein elektrisch nichtleitendes Material vorzunehmen. Dies kann zum Beispiel mit Hilfe einer thermischen Oxidation von schmalen, zuvor durch Trenchgräben freigelegten Siliziumstegen bewerkstelligt werden. In der Minimalkonfiguration müssen dazu zwei Trenchgräben (Löcher) pro Steg mit der gewünschten Strukturtiefe geätzt werden. Der dazwischenliegende Siliziumsteg muss schmal genug sein, um vollständig thermisch durchoxidiert werden zu können.

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造微机械传感器的隔离结构在单晶表面的技术。 在已知的方法中定义的硅结构进行蚀刻，并通过在其底侧朝向由深沟槽基板“释放蚀刻”步骤露出。 这些沟槽与介电绝缘材料，例如二氧化硅的Anschliessendens填充，导致固定锚固由三面，在所述硅结构的一侧把持与填充沟槽打开。 本发明的基本思想是使沟槽代替累积薄壁硅的转化在非导电材料制成。 这可以实现，例如，使用的窄热氧化，预先通过沟槽硅腹板露出。 在最小配置，每幅两个沟槽（空穴），其具有要与所期望的图案的深度进行蚀刻。 中间硅鳍必须足够窄以被完全热通过向氧化。

    METHOD OF MAKING A THICK MICROSTRUCTURAL OXIDE LAYER AND DEVICE UTILIZING SAME
    139.
    发明申请
    METHOD OF MAKING A THICK MICROSTRUCTURAL OXIDE LAYER AND DEVICE UTILIZING SAME 审中-公开
    制造厚度微结构氧化物层的方法和使用其的装置

    公开(公告)号：WO2003062137A2

    公开(公告)日：2003-07-31

    申请号：PCT/US2003/001467

    申请日：2003-01-16

    Applicant: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MICHIGAN ,  NAJAFI, Khalil ,  ZHANG, Chunbo

    Inventor： NAJAFI, Khalil ,  ZHANG, Chunbo

    IPC: B81C1/00

    CPC classification number: F28F13/185 ,  B81B2203/033 ,  B81C1/0038 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0178 ,  F28F2260/00 ,  H01L21/76208

    Abstract: A method of fabricating a thick silicon dioxide layer without the need for long deposition or oxidation and a device having such a layer are provided. Deep reactive ion etching (DRIE) is used to create high-aspect ratio openings or trenches and microstructures or silicon pillars, which are then oxidized and/or refilled with LPCVD oxide or other deposited silicon oxide films to create layers as thick as the DRIE etched depth allows. Thickness in the range of 10-100/um have been achieved. Periodic stiffeners perpendicular to the direction of the trenches are used to provide support for the pillars during oxidation. The resulting S'02 layer is impermeable and can sustain large pressure difference. Thermal tests show that such thick silicon dioxide diaphragms or layers can effectively thermally isolate heated structures from neighboring structures and devices within a distance of hundred of microns. Such S'02 diaphragms or layers of thickness 50-60f,m can sustain an extrinsic shear stress up to 3-5 Mpa. These thick insulatingmicrostructures or layers can be used in thermal, mechanical, fluidic, optical, and bio microsystems.

    Abstract translation: 提供了制造厚二氧化硅层而不需要长时间沉积或氧化的方法和具有这种层的器件。 深反应离子蚀刻DRIE用于产生高纵横比的开口或沟槽和微结构或硅柱，然后用LPCVD氧化物或其他沉积的氧化硅膜氧化和/或重新填充以产生与DRIE蚀刻深度允许的厚度相同的层 。 厚度达到10-100 /μm。 垂直于沟槽方向的周期性加强筋用于在氧化过程中为支柱提供支撑。 所得的S'02层是不渗透的并且可以承受较大的压力差。 热测试表明，这种厚的二氧化硅隔膜或层可以有效地将加热的结构与相邻结构和器件隔离在一百微米的距离内。 这种厚度为50-60f m的S'02膜片或m层可承受高达3-5Mpa的外在剪切应力。 这些厚的绝缘微结构或层可用于热，机械，流体，光学和生物微系统。

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