公开(公告)号：KR1020080024484A

公开(公告)日：2008-03-18

申请号：KR1020077030367

申请日：2006-05-16

Applicant: 아레바 엔피 ,  꼼미사리아 아 레네르지 아토미끄 에뜨 옥스 에너지스 앨터네이티브즈

Inventor： 마베이라우드,그레고리 ,  밸러로트,진-마리에 ,  보우랫,사비에르 ,  듀그네,올리비에

IPC: G01N21/21

CPC classification number: G01N21/21 ,  G01J1/0429 ,  G01J3/447 ,  G01J4/00 ,  G06T7/70

Abstract: transmitting a beam of light onto a surface (17) of an element (1) comprising a fissile material,-passing the beam of light reflected by the surface into a polarisation analyser (27) having a modifiable analysis direction,-transmitting the beam from the polarisation analyser (27) to a device (31) for acquiring digital images,-acquiring at least one digital image (31) of the surface (17) of the element (1) and-processing the digital image acquired in order to measure the anisotropy. Use, for example, in controlling particles of nuclear fuel for an HTR/VHTR type reactor. ® KIPO & WIPO 2008

Abstract translation: 将光束传播到包括裂变材料的元件（1）的表面（17）上，将由该表面反射的光束通过具有可修改的分析方向的偏振分析器（27）， - 将光束从 偏振分析器（27）到用于获取数字图像的装置（31）， - 获取元件（1）的表面（17）的至少一个数字图像（31）并且处理获取的数字图像以便测量 各向异性。 例如，用于控制HTR / VHTR型反应器的核燃料颗粒。 ®KIPO＆WIPO 2008

公开(公告)号：KR1020070078394A

公开(公告)日：2007-07-31

申请号：KR1020070008207

申请日：2007-01-26

Applicant: 캐논 가부시끼가이샤

Inventor： 시오데요시히로

IPC: G01J4/04 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/706 ,  G01J4/00 ,  G01J2009/0261 ,  G03F7/70566 ,  G02B27/286

Abstract: A measurement method is provided to simply measure polarization property of a optical system to be detected without an optical device such as a wavelength plate and a polarizer. A measurement method includes the steps of illuminating linear polarization in a direction of 0° by an illumination optical system(1002), measuring a centroid amount of light transmitting a projection optical system to save the measured value into a data process system(1004), rotating a polarization unit to repeat a measurement by an illumination having a different polarization direction and repeating a store of the result in whole predetermined polarization directions(1006,1008), analyzing a polarization property on the data process system using the value of saved measurement results and each of the polarization directions corresponding to each of the saved measurement results to calculate an amount of correction of the optimized projection optical system, a reticle pattern, and an illumination optical system(1010), and saving the amount of correction into an exposure device as feedback(1012).

Abstract translation: 提供测量方法以简单地测量待检测的光学系统的偏振特性，而不需要波长板和偏振器等光学装置。 测量方法包括通过照明光学系统（1002）照亮0°方向的线偏振的步骤，测量透射投影光学系统的光的重心量，以将测量值保存到数据处理系统（1004）中， 旋转偏振单元以通过具有不同偏振方向的照明重复测量，并重复将结果存储在整个预定偏振方向上（1006,1008），使用保存的测量结果的值分析数据处理系统上的偏振特性 并且每个所述偏振方向对应于所保存的测量结果中的每一个，以计算优化的投影光学系统，标线图案和照明光学系统（1010）的校正量，并将校正量保存到曝光装置 作为反馈（1012）。

公开(公告)号：KR1020180052328A

公开(公告)日：2018-05-18

申请号：KR1020160149520

申请日：2016-11-10

Applicant: 한양대학교 에리카산학협력단

Inventor： 안일신 ,  김슬기 ,  이창호 ,  박성모

IPC: G01J4/00 ,  G02B27/30 ,  G01N21/21

CPC classification number: G01J4/00 ,  G01J2004/001 ,  G01N21/211 ,  G02B27/30

Abstract: 타원해석기는, 수평방향으로이동가능하게마련되는스테이지(stage); 및스테이지의상부에마련되는광학대; 를포함하고, 광학대는, 선편광된광을발생키는광원부; 선편광된광을두 편광성분으로분리하여시편에입사시키고, 시편으로부터반사된두 편광성분을결합하여출사시키는빔 디스프레이서(beam displacer); 및출사된두 편광성분을이용하여시편표면의영상을획득하는광영상부; 를포함할수 있다. 이와같은타원해석기에의하면, 수직입사방식을이용하므로입사각설정의어려움을해소할수 있으며, 광부품의정렬에용이하다. 또한, ‘p-파’와 ‘s-파’가 시편표면의서로다른지점에서반사되도록구조화되어, 표면전반을검사할수 있으며, 표면상의박막이나결함등으로인해높이차가있는표면검사에유용하게사용될수 있다.

公开(公告)号：KR101443058B1

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：KR1020080059983

申请日：2008-06-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박장익 ,  전충삼 ,  박환식 ,  김지혜 ,  류관우 ,  사공정 ,  윤소연

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G01N21/3563 ,  G01J3/447 ,  G01J4/00 ,  G01N21/9501 ,  H01L22/12

Abstract: 본 발명은 생산성을 증대 또는 극대화할 수 있는 막질 디멘젼 분석에서의 반도체 제조설비 및 그의 제조방법을 개시한다. 그의 방법은 먼저, 선행되는 반도체 제조공정이 완료된 레퍼런스 기판에서 레퍼런스 스펙트럼 및 레퍼런스 프로파일을 획득하고, 상기 레퍼런스 스펙트럼과 레퍼런스 프로파일간의 관계를 이용하여 소정의 함수를 산출해 낸다. 후속에서 상기 레퍼런스 기판과 동일 또는 유사한 반도체 제조공정이 완료된 실제 계측대상인 실측 기판의 표면에서 실시간으로 검출되는 스펙트럼을 변수로 하여 상기 함수의 해를 구함으로서 실시간으로 프로파일을 획득하기 때문에 생산성을 향상시킬 수 있다.
스펙트럼(spectrum), 프로파일(profile), 레퍼런스(reference), 실시간, 함수(function)

公开(公告)号：KR1020130009772A

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：KR1020127023849

申请日：2010-12-22

Applicant: 메르크 파텐트 게엠베하

Inventor： 미첼윌리엄 ,  티어니스티븐 ,  왕창성 ,  블로윈니콜라스

IPC: C08G61/12 ,  C07D295/04 ,  G01J4/00 ,  C09K11/06 ,  C07D495/04 ,  C09K19/34 ,  C09K19/38 ,  H01L51/00

CPC classification number: C07D495/04 ,  C08G61/126 ,  C08G2261/124 ,  C08G2261/1428 ,  C08G2261/3243 ,  C08G2261/414 ,  C08G2261/91 ,  C09K19/3477 ,  C09K19/3491 ,  C09K19/3497 ,  C09K19/38 ,  C09K19/40 ,  C09K2019/0448 ,  C09K2019/0496 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/4253 ,  Y02E10/549 ,  C08G61/12 ,  C07D295/04 ,  C09K11/06 ,  G01J4/00

Abstract: 본 발명은 벤조디티오펜 또는 이의 유도체 기재의 반복 단위를 함유하는 신규 중합체, 단량체 및 이의 제조 방법, 유기 전자 (OE) 소자, 특히 유기 광전지 (OPV) 소자에서의 반도체로서의 이들의 용도, 및 상기 중합체를 포함하는 OE 및 OPV 소자에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR1020100113513A

公开(公告)日：2010-10-21

申请号：KR1020107015413

申请日：2008-12-10

Applicant: 리서치 파운데이션 오브 더 시티 유니버시티 오브 뉴욕

Inventor： 크루즈,데이비드,토마스 ,  케샤바레디,파반쿠마레디

IPC: G02B5/30

CPC classification number: G02B5/3058 ,  B82Y20/00 ,  G01J4/00 ,  G01J2004/001 ,  G02B5/008 ,  G02B5/1809 ,  H01L31/054

Abstract: 소정 파장에서 입사 전자기 방사의 전달 향상 장치는 얇은 필름에서 구멍 배열 구조를 포함한다. 상기 구조는 첫번째 구멍과 두번째 구멍을 포함하여 하나 이상의 리필링(repealing) 유닛 셀을 포함한다. 여기에서 첫번째 구멍의 파라미터는 두번째 구멍의 파라미터와 다르다. 상기 유닛 셀은 소정 파장보다 작거나 유사한 주기로 반복된다. 상기 구조 파라미터는 소정 파장에서 소정 편광 상태의 전달을 향상하고 연결하기 위하여 캐비티 모드를 우선적으로 지지하도록 구성된다. 적어도 하나 이상의 차원, 높이, 상기 구멍을 메우는 물징의 유전율, 형상에서 적절한 정도로 상이한 구멍으로 유닛 셀을 구조화함으로써, 상기 장치는 편광 및/또는 파장 필터링 및/또는 광 순환, 위빙, 채널링에 대해 구성될 수 있다.

公开(公告)号：KR1020100000468A

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：KR1020080059983

申请日：2008-06-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박장익 ,  전충삼 ,  박환식 ,  김지혜 ,  류관우 ,  사공정 ,  윤소연

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G01N21/3563 ,  G01J3/447 ,  G01J4/00 ,  G01N21/9501 ,  H01L22/12

Abstract: PURPOSE: An equipment for manufacturing a semiconductor device analyzed layered media dimension and used the same are provided to calculate a complex three-dimensional pattern by obtaining a profile corresponding to a solution of a function. CONSTITUTION: A semiconductor substrate to be processed through a semiconductor manufacturing process(S10). A reference spectrum and reference profile from a substrate which is determined as a reference substrate is detected(S20). A function related to the function of the reference spectrum and reference profile is extracted(S30). A real-time spectrum of the fixed substrate is detected from the substrates. The profile of the substrate to be processed in a semiconductor manufacturing process is detected in real time by applying a real-time spectrum valuable to the function(S40).

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造分析分层介质尺寸并使用它的半导体器件的设备，以通过获得与功能的解决方案相对应的轮廓来计算复杂的三维图案。 构成：通过半导体制造工艺处理的半导体衬底（S10）。 检测来自确定为参考基板的基板的参考光谱和参考分布（S20）。 提取与参考频谱和参考曲线的功能相关的功能（S30）。 从基板检测固定基板的实时光谱。 通过应用对功能有价值的实时光谱，实时地检测半导体制造工艺中待处理衬底的轮廓（S40）。

公开(公告)号：KR1020090077726A

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：KR1020090002096

申请日：2009-01-09

Applicant: 캐논 가부시끼가이샤

Inventor： 아라이다다시

IPC: G01J1/22 ,  G01J1/04 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/70566 ,  G01J4/00 ,  G03B27/54 ,  G03B27/72 ,  G03F7/706 ,  G03F7/70591

Abstract: A method for evaluating, control method, light exposure apparatus, and memory medium are provided to improve the efficiency of control of a transparent optical system based on the evaluation result of the optical system. A method for evaluating the function of transparent optical system on a substrate comprises: a step (S32) of specifying the variation of polarized light of the optical system which indicates the relation between the states of polarized light; a step of calculating (S34) parameter having relation with the variation of polarized light; and a step (S36) of calculating the value having the function of transparent optical system.

Abstract translation: 提供了一种用于评估，控制方法，曝光装置和存储介质的方法，以根据光学系统的评估结果提高透明光学系统的控制效率。 用于评价基板上的透明光学系统的功能的方法包括：指定光学系统的偏振光的变化的步骤（S32），其指示偏振光的状态之间的关系; 计算（S34）参数与偏振光的变化关系的步骤; 以及计算具有透明光学系统功能的值的步骤（S36）。

公开(公告)号：KR100771748B1

公开(公告)日：2007-10-30

申请号：KR1019990054117

申请日：1999-12-01

Applicant: 지멘스 악티엔게젤샤프트

Inventor： 미하엘리스,알렉산더 ,  겐츠,올리버 ,  만츠,울리히

IPC: G01B11/00

CPC classification number: G01J4/00 ,  G01B11/02

Abstract: 본 발명에 따른 형태 복굴절을 가지는 표면 피처(feature)를 측정하기 위한 시스템은 표면 피처를 가지는 표면상에 입사하는 방사선을 제공하기 위한 방사선 소스를 포함한다. 방사선 검출 장치는 표면 피처로부터 반사된 후의 입사 방사선 특성을 측정하기 위하여 제공된다. 회전단은 입사광이 회전단의 회전으로 인해 다른 각도로 지향되도록 상기 표면을 회전시킨다. 처리기는 반사광의 측정된 특성을 처리하고 표면 피처를 측정하기 위하여 상기 특성을 상관시키기 위해 포함된다. 본 발명에 따른 형태 복굴절을 가지는 피처 크기를 측정하기 위한 방법은 표면 피처를 가지는 표면을 제공하는 단계, 표면 피처로부터 반사광의 반사 편광을 측정하는 단계, 적어도 하나의 새로운 회전 위치에서 반사광의 반사 편광을 측정하기 위하여 표면을 회전시킴으로써 표면 피처를 회전시키는 단계 및 반사된 편광을 표면 피처 크기에 상관시키는 단계를 포함한다.

公开(公告)号：KR101826765B1

公开(公告)日：2018-02-08

申请号：KR1020160100458

申请日：2016-08-08

Applicant: 지니포토닉스주

Inventor： 양병관

IPC: G01J4/00 ,  G02B27/28 ,  G02B5/32

CPC classification number: G01J4/00 ,  G01J2004/005 ,  G02B5/32 ,  G02B27/281

Abstract: 본발명은파면분할방식의실시간편광측정기에관한것으로서, 특히, 한점의편광상태뿐만아니라편광상태의 1차원분포또는파장에따른편광상태를움직이는광부품없이한번의측정만으로편광상태를측정할수 있는파면분할방식의실시간편광측정기에관한것으로서, 입사되는측정광을편광변조시키는공간편광변조기와, 상기공간편광변조기를통과한투과광의광량을결정하는검광판과, 상기검광판을지나온빛살의광량을검출하는다채널검출기를포함하고, 상기공간편광변조기는광축이서로다른복굴절프리즘 1 및복굴절프리즘 2를포함하고, 상기복굴절프리즘 1 및상기복굴절프리즘 2의광축은측정광의진행방향과수직또는경사지도록형성되는것을특징으로한다.