公开(公告)号：FR3017746A1

公开(公告)日：2015-08-21

申请号：FR1451297

申请日：2014-02-18

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： MANTELLI MARC ,  NIEL STEPHAN ,  REGNIER ARNAUD ,  LA ROSA FRANCESCO ,  DELALLEAU JULIEN

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/788

公开(公告)号：FR3013920A1

公开(公告)日：2015-05-29

申请号：FR1361560

申请日：2013-11-25

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： GAILHARD BRUNO ,  CUENCA MICHEL

IPC: H03K17/16 ,  H03K17/687 ,  H03K19/094

Abstract: Le dispositif électronique comprend une borne d'entrée, une borne de sortie et un bloc de commutation (BLC1P) comportant un transistor principal MOS (T1) commandable par un signal de commande principal, possédant une première électrode de conduction et une deuxième électrode de conduction connectée à la borne de sortie, et des moyens de commande principaux (MCP) configurés pour délivrer le signal de commande principal de façon à conférer audit transistor principal MOS un état passant ou un état bloqué. Le bloc de commutation comprend en outre des premiers moyens de contrôle (MCTL1P) configurés pour, lorsque ledit transistor principal (Tl) est dans son état passant, connecter son substrat et sa première électrode de conduction à la borne d'entrée (BE), et lorsque ledit transistor principal (T1) est dans son état bloqué, isoler sa première électrode de conduction de la borne d'entrée et appliquer sur cette première électrode de conduction une première tension de polarisation (GND) choisie pour réduire un courant de fuite entre les deux électrodes de conduction du transistor principal, et appliquer sur le substrat du transistor principal une deuxième tension de polarisation (Vdd) choisie pour réduire un courant de fuite vers ou provenant de la borne de sortie.

公开(公告)号：FR3011680A1

公开(公告)日：2015-04-10

申请号：FR1359631

申请日：2013-10-04

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： GAILHARD BRUNO ,  CUENCA MICHEL

IPC: H01L23/34

Abstract: Le procédé comprend une génération d'un premier courant (I1) proportionnel à la température absolue, une élaboration d'un deuxième courant (I2) représentatif de la variation en température des tensions de seuil des transistors de l'inverseur et limité à une fraction (Q/N) inférieure à un du premier courant (I1) et une alimentation de l'inverseur avec un courant d'alimentation (I3) égal au premier courant (I1) duquel on a soustrait le deuxième courant limité (I2).

公开(公告)号：ITTO20130595A1

公开(公告)日：2015-01-16

申请号：ITTO20130595

申请日：2013-07-15

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET ,  STMICROELECTRONICS INTERNATIONAL N V

Inventor： CASTOLDI LAURA MARIA ,  FARALLI DINO ,  VIGNA BENEDETTO

公开(公告)号：FR3001309B1

公开(公告)日：2015-01-09

申请号：FR1350593

申请日：2013-01-24

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET ,  MELEXIS TECHNOLOGIES NV

Inventor： BOUSQUET THIERRY ,  ZHUK OLEKSANDR

IPC: G06F11/00 ,  H04B5/00

公开(公告)号：FR2987696B1

公开(公告)日：2014-11-21

申请号：FR1251969

申请日：2012-03-05

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： LA ROSA FRANCESCO ,  PIZZUTO OLIVIER ,  NIEL STEPHAN ,  BOIVIN PHILIPPE ,  FORNARA PASCAL ,  LOPEZ LAURENT ,  REGNIER ARNAUD

IPC: H01L21/8239

公开(公告)号：FR2969390B1

公开(公告)日：2014-09-26

申请号：FR1060561

申请日：2010-12-15

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET ,  ST MICROELECTRONICS GRENOBLE 2 ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： COULON DAVID ,  DESCHAMPS BENOIT ,  BARBIER FREDERIC

IPC: H01L31/11

公开(公告)号：FR3003418A1

公开(公告)日：2014-09-19

申请号：FR1352324

申请日：2013-03-15

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： RIZZO PIERRE ,  VALLESPIN NATHALIE ,  PAPART EMMANUEL

IPC: H04B5/00 ,  H04W4/00

Abstract: L'invention concerne un procédé d'anticollision pour dispositif NFC (1) dans lequel en mode lecteur, on surveille une variation d'une information représentative de l'amplitude du signal dans une antenne (14) du dispositif, et si cette information excède un seuil, on provoque une commutation du dispositif en mode carte.

公开(公告)号：FR3002099A1

公开(公告)日：2014-08-15

申请号：FR1351172

申请日：2013-02-12

Applicant: PROTON WORLD INT NV ,  ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： VAN NIEUWENHUYZE OLIVIER ,  CHARLES ALEXANDRE

IPC: H04B5/02 ,  H03B19/00 ,  H04W4/80 ,  H04W76/14

Abstract: L'invention concerne un procédé de configuration d'un premier dispositif pour une communication en champ proche avec un deuxième dispositif, dans lequel un mode poste à poste (P2P) est sélectionné si le deuxième dispositif tire l'alimentation de ses circuits d'une batterie.

公开(公告)号：FR3001309A1

公开(公告)日：2014-07-25

申请号：FR1350593

申请日：2013-01-24

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET ,  MELEXIS TECHNOLOGIES NV

Inventor： BOUSQUET THIERRY ,  ZHUK OLEKSANDR

IPC: G06F11/00 ,  H04B5/00

Abstract: Procédé de traitement d'erreurs de transmission lors d'une communication sans contact d'informations entre un dispositif, par exemple une carte, et un lecteur, les informations étant transmises sous forme de trames à un module d'émission/réception (DIS1) du lecteur (SYS) en couplage sans contact avec ledit dispositif (CT) et contrôlé par un module de contrôle (DIS2) couplé au module d'émission/réception, lesdites informations étant extraites desdites trames au sein du module d'émission/réception pour être délivrées au module de contrôle, le procédé comprenant une détection d'erreurs de transmission devant être ignorées intégralement effectuée au sein du module d'émission/réception (DIS 1).