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公开(公告)号：EP1596283A1
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：EP05103901.4
申请日：2005-05-10
Applicant: ST MICROELECTRONICS S.A.
Inventor： Elias, Pierre , Liardet, Pierre-Yvan , Teglia, Yannick
IPC: G06F9/32
CPC classification number: G06F9/30094 , G06F9/30058 , G06F21/755
Abstract: L'invention concerne un procédé de réalisation d'au moins un branchement dans un programme exécuté par un processeur, consistant : à déterminer (20) un résultat (RES) sur plusieurs bits comme indicateur d'un respect d'une condition souhaitée, le résultat correspondant à une opération prenant en compte au moins une valeur prédéterminée (VAL) et au moins une variable courante (E) ; et à calculer (21) une adresse de branchement fonction du résultat.
Abstract translation: 该过程涉及如由相应条件所指示的若干位确定结果，其中结果对应于包括固定值和输入数据的操作。 根据结果计算跳转操作的地址。 阻塞指令是从程序计算出来的，其中当变量不满足条件时，指令被放置在地址上以执行跳转操作。 执行程序的进程也包含一个独立的声明。
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142.发明公开Dispositif de correction de la réponse optique d'un système d'affichage à écran plat 审中-公开Vorrichtung zur Korrektur des optischen Verhaltens eines flachen Anzeigesystems
公开(公告)号：EP1515299A1
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：EP04103812.6
申请日：2004-08-06
Applicant: ST MICROELECTRONICS S.A.
Inventor： Pugibet, Pierre-François , Chossat, Jérôme
IPC: G09G3/36
CPC classification number: G09G3/3611 , G09G1/16 , G09G5/006 , G09G2320/0276
Abstract: L'invention concerne un dispositif correcteur de la réponse optique d'un système d'affichage à écran plat. Ce dispositif comporte un circuit de correction de gamma (20) d'un type couramment utilisé pour la correction de la réponse optique des systèmes d'affichage à rayonnement cathodique.
Abstract translation: 该装置具有通常用于校正CRT显示系统的响应的类型的伽马校正电路（20），并且包括用于为系统应用伽马校正功能的功能模块（22）。 控制电路（30）具有分别向模块（22）提供一个输入像素的模块（32,34）和增益模块（24）的增益值。 模块（36）从电路（20）接收另一像素并提供输出像素。 还包括用于修改要在平板显示系统上显示的像素的值的方法的独立权利要求。
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143.发明公开Procédé de formation sous une couche mince d'un premier matériau de portions d'un autre matériau et/ou de zones de vide 有权集成电路用栅极umschliessendem网络连接，并且晶体管的制造方法的制造方法
公开(公告)号：EP1507286A2
公开(公告)日：2005-02-16
申请号：EP04103813.4
申请日：2004-08-06
Inventor： CORONEL, Philippe , LAPLANCHE, Yves , PAIN, Laurent
IPC: H01L21/027 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L21/762
CPC classification number: H01L29/66772 , H01L21/0277 , H01L21/7682 , H01L29/42384 , H01L29/42392 , H01L29/78654
Abstract: L'invention concerne un procédé de formation d'une zone de vide sous une couche d'un matériau donné comprenant les étapes suivantes : former sur un substrat un empilement d'une couche photosensible et d'une couche du matériau donné ; insoler une portion de la couche photosensible ou son complément selon que la couche photosensible est positive ou négative par un faisceau d'électrons passant à travers la couche du matériau donné ; et éliminer ladite portion de la couche photosensible.
Abstract translation: 空区的下一层的形成给定的非感光材料的besteht：（a）形成一个光敏层和一个上基片的给定材料层的叠层; （B）绝缘感光层或它的互补物根据是否在感光层是通过穿过给定的材料层的电子束的正或负的一部分; （C）没有消除在感光层的部分。 因此，该方法可用于互连的网络的形成和形成的晶体管的与周围的网格。
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公开(公告)号：EP1505824A1
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：EP04103809.2
申请日：2004-08-06
Applicant: ST MICROELECTRONICS S.A.
Inventor： Paladel, Jean-Marie , Marchand, Benoît , Van-Lamdeghem, Benoît
IPC: H04N3/32
CPC classification number: H04N3/32
Abstract: L'invention concerne un procédé et un dispositif de correction de la vitesse de balayage ligne d'un écran d'affichage en fonction de la luminance (Y) des pixels affichés sur l'écran, dans lesquels la vitesse de balayage ligne est modifiée par un moyen de correction commandé à partir d'un signal de commande variant comme le produit des dérivées première et seconde du signal de luminance (Y).
Abstract translation: 本发明涉及一种用于根据显示在屏幕上的像素的亮度（Y）来校正显示屏幕的行扫描速度的方法和设备，其中行扫描速度被改变 由根据亮度信号（Y）的一阶和二阶导数的乘积而变化的控制信号控制的校正装置。
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公开(公告)号：EP1503288A3
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：EP04300438.1
申请日：2004-07-09
Applicant: ST MICROELECTRONICS S.A.
Inventor： TEGLIA, Yannick , LIARDET, Pierre-Yvan
CPC classification number: G06F11/0751 , G06F11/0721 , G06F21/52 , G06F21/71
Abstract: L'invention concerne une cellule (2) de détection d'une perturbation susceptible d'affecter le fonctionnement d'un processeur dans lequel elle est intégrée, comportant des moyens (21, 22) pour maintenir un invariant en fonctionnement normal du processeur et pour détecter une perte d'invariant consécutive à l'apparition d'une perturbation.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于检测可能影响集成有处理器的操作的干扰的单元（2），包括用于维持处理器的正常操作中的不变量的装置（21,22），以及用于 检测出现干扰后的不变量的损失。
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Patent Agency Ranking146.发明公开Lignes conductrices enterrées dans des zones d'isolement 审中-公开Herstellungsverfahrenfürin Isolationsgebiete eingebettete Leiterbahnen
公开(公告)号：EP1503411A1
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：EP04103661.7
申请日：2004-07-29
Applicant: ST MICROELECTRONICS S.A.
Inventor： SCHOELLKOPF, Jean-Pierre , CERUTTI, Robin , CORONEL, Philippe , SKOTNICKI, Thomas
IPC: H01L21/765 , H01L21/762 , H01L23/485 , H01L23/528
CPC classification number: H01L21/743 , H01L21/76224 , H01L21/765 , H01L21/76802 , H01L21/76838 , H01L21/76895 , H01L23/485 , H01L23/5286 , H01L23/535 , H01L27/11 , H01L27/1104 , H01L29/78 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: L'invention concerne un circuit intégré comprenant un substrat semiconducteur dans lequel des zones actives entourent ou sont entourées par des évidements remplis d'isolant, et dans lequel une région conductrice est noyée dans l'isolant d'au moins un évidement, la région conductrice étant connectée à une tension de référence et étant connectée à au moins un élément voisin du circuit.
Abstract translation: 该电路具有半导体衬底（101），该半导体衬底（101）具有由填充有绝缘材料的凹部（125,126）围绕或围绕的有源区（104）。 导电区域（140,141）在相应凹槽的绝缘材料中居中，并且连接到互连网络的电源或接地导线，以及最接近的部件。 电路的晶体管的源/漏区（132）。 还包括用于制造集成电路基板中敷设的导线的方法的独立权利要求。
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公开(公告)号：EP1494273A1
公开(公告)日：2005-01-05
申请号：EP04300411.8
申请日：2004-06-29
Applicant: ST MICROELECTRONICS S.A.
Inventor： LENOBLE, Damien
IPC: H01L21/321 , H01L21/265 , H01L21/336 , H01L21/8238
CPC classification number: H01L21/823864 , H01L21/2236 , H01L21/26506 , H01L21/26586 , H01L21/28123 , H01L21/32105 , H01L21/3211
Abstract: L'invention concerne un procédé de formation, par oxydation thermique, d'une couche d'oxyde de silicium sur un circuit intégré comportant des motifs tridimensionnels en silicium, comportant les étapes suivantes :
implanter un premier élément selon un premier angle par rapport à l'horizontale, le premier élément étant neutre électriquement et ayant un premier effet sur la vitesse de croissance d'un oxyde thermique sur du silicium ;
implanter un second élément selon un second angle par rapport à l'horizontale, le second élément étant neutre électriquement et ayant un second effet complémentaire du premier effet sur la vitesse de croissance d'un oxyde thermique sur du silicium, le second angle étant distinct du premier angle, et l'un des premier et second angles étant un angle droit ; et
procéder à une oxydation thermique du silicium.Abstract translation: 在包含硅的一些三维图案的集成电路上通过热氧化氧化硅的形成由以下部分组成：（a）相对于水平面沿着第一角度植入第一元件，该第一元件是电中性的 并且对硅上的热氧化物的生长速度具有第一效应; （b）相对于水平面沿着第二角度植入第二元件，该第二元件是电中性的，并且对硅上的热氧化物的生长速度具有第二互补作用，第二角度与第一元件不同于第一元件 角度和这些角度之一是直角; （c）进行硅的热氧化。 还包括用于在具有第一类导电性的硅衬底中形成金属上硅（MOS）晶体管的独立权利要求。
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148.发明公开Circuit intégré à couche enterrée fortement conductrice 审中-公开Integrierte Schaltung mit einer hochleitenden begrabenen Schicht
公开(公告)号：EP1406307A1
公开(公告)日：2004-04-07
申请号：EP03300142.1
申请日：2003-10-02
Applicant: ST MICROELECTRONICS S.A.
Inventor： Marty, Michel , Coronel, Philippe , Leverd, Francois
IPC: H01L29/732 , H01L29/08
CPC classification number: H01L29/66272 , H01L29/0821 , H01L29/41708
Abstract: L'invention concerne un circuit intégré comprenant une couche enterrée de type de conductivité déterminé dans un plan sensiblement parallèle au plan d'une surface principale du circuit, dans lequel la partie médiane de cette couche enterrée (23, 24) est remplie d'un matériau de type métallique (15).
Abstract translation: 集成电路包括一种具有导电性的掩埋层，该导电层在基本平行于电路主表面的平面的平面内确定。 该掩埋层（23,24）的中间部分填充有金属型材料（29）。 还包括用于形成埋藏在集成电路的半导体衬底中的层的方法的独立权利要求。
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公开(公告)号：EP1380913A1
公开(公告)日：2004-01-14
申请号：EP03300056.3
申请日：2003-07-09
Applicant: ST MICROELECTRONICS S.A.
Inventor： Pons, Alexandre , Bernard, Christophe
IPC: G05F3/24
Abstract: L'invention concerne un régulateur linéaire comportant un étage de sortie (31) comprenant des premier et second transistors MOS à canal P (32, 33), connectés en série entre une première borne d'alimentation continue (Vdd) et une borne de sortie (OUT) fournissant une tension de sortie régulée (Vout), et un circuit de commande (35) des premier et second transistors propre à leur fournir des premier et second signaux de commande en fonction de la tension de sortie et de la tension au point milieu (MID) de la connexion en série.
Abstract translation: 线性调节器（30）具有用于提供负载（1）和平滑电容器（11）的控制单元（35）和输出电路（31）。 输出电路由提供输出端（OUT）的两个MOS晶体管（32,33）组成，并由来自控制单元的输入/输出级（36）的与其栅极（G1，G2）的连接控制。 输入/输出级使用参考单元（37）和输出电路进行调节的数据
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公开(公告)号：EP1895404B1
公开(公告)日：2011-03-02
申请号：EP07115241.7
申请日：2007-08-29
Applicant: ST MICROELECTRONICS S.A.
Inventor： Liardet, Pierre-Yvan , Teglia, Yannick
IPC: G06F7/72
CPC classification number: G06F7/723 , G06F2207/7238
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