公开(公告)号：KR101664112B1

公开(公告)日：2016-10-14

申请号：KR1020100114020

申请日：2010-11-16

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  세종대학교산학협력단

Inventor： 이원창 ,  송준호 ,  이시화 ,  김도형 ,  박기호 ,  정성욱

IPC: G06F12/10

CPC classification number: G06F12/0607 ,  G06F12/0207 ,  G06F2212/1024

Abstract: 메모리접근주소변환장치및 방법이제공된다. 메모리접근주소변환장치는, 입력영상을구성하는픽셀들을복수의타일들로구분하고, 복수의타일들중 연속하는타일들을서로다른뱅크에저장하기위한새로운메모리주소를생성할수 있다.

公开(公告)号：KR1020160112778A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：KR1020150039057

申请日：2015-03-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최경인 ,  천아영 ,  양광용 ,  강명일 ,  김도형 ,  김윤해

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/66

CPC classification number: H01L21/823814 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/823821 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7855 ,  H01L29/66287 ,  H01L29/7831 ,  H01L29/7848

Abstract: 기판상으로돌출한제1 핀액티브영역을정의하는제1 아이솔레이션영역, 상기제1 핀액티브영역상의제1 게이트패턴들, 및상기제1 게이트패턴들사이의상기제1 핀액티브영역내의제1 에피택셜영역을포함하는반도체소자가설명된다. 상기반도체소자는상기제1 에피택셜영역의측벽들의상부의폭이하부의폭 보다크도록하는제1 변곡점들을갖는다.

Abstract translation: 描述了一种半导体器件，其包括：第一隔离区域，限定在基板上突出的第一鳍片有源区域; 第一鳍活动区域上的第一栅极图案; 以及第一栅极图案中的第一鳍片有源区域内的第一外延区域。 半导体器件具有第一拐点，使第一外延区域中的侧壁的上部的深度大于下部的侧壁的深度。

公开(公告)号：KR1020160102788A

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：KR1020150025303

申请日：2015-02-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박상진 ,  배근희 ,  여경환 ,  윤보언 ,  권기상 ,  김도형 ,  전하영 ,  하승석

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/495 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/7831 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7855

Abstract: 반도체장치및 그제조방법이제공된다. 반도체장치는, 제1 방향으로연장된제1 액티브핀, 제1 액티브핀으로부터제1 방향과교차하는제2 방향으로이격되고, 제1 방향으로연장되고, 제1 액티브핀에비해짧은장변길이를갖는제2 액티브핀, 제1 및제2 액티브핀의일단과오버랩되어제2 방향으로연장된제1 더미게이트, 제1 액티브핀과교차하고제2 액티브핀의타단과오버랩되어제2 방향으로연장된제1 메탈게이트, 및제1 액티브핀과교차하고제2 방향으로연장된제1 절연게이트를포함하되, 제1 절연게이트는제1 액티브핀 내로연장된다.

Abstract translation: 提供了具有提高的产品可靠性的半导体器件及其制造方法。 半导体器件包括：沿第一方向延伸的第一有源销; 在与所述第一方向相交的第二方向上与所述第一有源销分离的第二有源引脚沿所述第一方向延伸，并且具有比所述第一有效引脚短的长边; 第一虚拟栅极与所述第一有源销的一端重叠，并且所述第二有源引脚在所述第二方向上延伸; 与所述第一有源销相交的第一金属栅极，与所述第二有源销的另一端重叠以在所述第二方向上延伸; 以及与所述第一有源销相交且在所述第二方向上延伸的第一绝缘栅极，其中所述第一绝缘栅极延伸到所述第一有源销的内部。

公开(公告)号：KR1020160099773A

公开(公告)日：2016-08-23

申请号：KR1020150021639

申请日：2015-02-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 성금중 ,  이진욱 ,  김도형 ,  명성우 ,  오지수 ,  전용호

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/66

CPC classification number: H01L29/66545 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/401 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66348

Abstract: 본발명은반도체소자및 그제조방법에관한것으로, 기판상에, 상기기판으로부터돌출되는활성패턴들을형성하는것, 상기활성패턴들을덮는층간절연막을형성하는것, 상기층간절연막은상기활성패턴들을노출하는그루브들을포함하되, 상기그루브들은제1 폭을갖는제1 그루브및 상기제1 폭보다큰 제2 폭을갖는제2 그루브를포함하고, 상기제1 및제2 그루브들의내면상에제1 도전막을형성하는것, 상기제1 및제2 그루브들을채우는제1 희생막을형성하는것, 상기제1 도전막의일부가노출되도록상기제1 희생막을제거하는것, 및상기노출된제1 도전막을제거하여, 제1 도전패턴들을형성하는것을포함하는반도체소자의제조방법이제공된다.

Abstract translation: 本发明的目的是提供一种具有改进的器件驱动特性的半导体器件及其制造方法。 提供一种制造半导体器件的方法，包括：形成从衬底上的衬底突出的有源图案的步骤; 形成层间绝缘膜以覆盖有源图案的步骤，其中层间绝缘膜包括用于曝光有源图案的凹槽，并且凹槽包括具有第一宽度的第一凹槽和具有大于第一宽度的第二宽度的第二凹槽 宽度; 在所述第一和第二槽的内表面上形成第一导电膜的步骤; 形成用于填充第一和第二槽的第一牺牲膜的步骤; 去除第一牺牲膜以暴露第一导电膜的一部分的步骤; 以及通过去除暴露的第一导电膜形成第一导电图案的步骤。

公开(公告)号：KR101641541B1

公开(公告)日：2016-07-22

申请号：KR1020100029403

申请日：2010-03-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김민수 ,  이시화 ,  김도형 ,  송준호 ,  이상조 ,  이원창 ,  김두현

IPC: G06F9/50

CPC classification number: G06F9/505 ,  G05B2219/33334 ,  G06F9/5033 ,  G06F2206/1012 ,  G06F2206/1508 ,  G06F2209/5021

Abstract: 멀티코어시스템에서데이터병렬처리를위한동적태스크관리시스템및 방법에관한것으로서, 병렬처리하려는태스크에대한등록신호를생성하고, 상기생성된등록신호에응답하여, 적어도하나이상의태스크를동적관리하는동적관리신호를생성하며, 상기생성된동적관리신호에응답하여적어도하나이상의코어에상기적어도하나이상의태스크를생성/소멸하도록제어하는기술적사상을개시한다.

公开(公告)号：KR1020160074859A

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：KR1020140183490

申请日：2014-12-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 배근희 ,  여경환 ,  하승석 ,  박승주 ,  김도형 ,  김명철 ,  구재형 ,  박기병

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7848 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66818 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/785

Abstract: 본발명의실시예에따른반도체장치는, 복수의활성영역들이정의된기판, 복수의활성영역들중 일부와교차되며제1 방향으로연장되고, 제1 방향에서서로인접하게배치되는제1 및제2 게이트전극들을포함하는복수의게이트전극들, 제1 및제2 게이트전극들의사이에배치되는게이트분리부를포함하고, 게이트분리부는, 제1 층및 제1 방향에수직한제2 방향에서제1 층의양단에배치되는제2 층을포함한다.

Abstract translation: 提供了具有改进的集成度的半导体器件，用于形成半导体器件的图案的方法和制造半导体器件的方法。 根据本发明的实施例，半导体器件包括：具有限定在其中的多个有源区的衬底; 多个栅极通过与有源区的一部分交叉而沿第一方向延伸，并且包括沿第一方向彼此相邻布置的第一和第二栅极; 以及布置在所述第一和第二栅电极之间的栅极分离单元。 门分离单元包括：第一层; 以及在垂直于第一方向的第二方向上布置在第一层的两端上的第二层。

公开(公告)号：KR1020150107448A

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：KR1020140030405

申请日：2014-03-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김도형 ,  김주환 ,  박현진

IPC: G06F9/06 ,  G06F9/46

CPC classification number: G06F9/4856 ,  G06F9/5027 ,  G06F9/5088

Abstract: 본 발명의 다양한 실시예에 따르면, 태스크 마이그레이션 방법에 있어서, 태스크를 생성하는 동작; 상기 생성된 태스크를 태스크 유형에 따라 정의된 임계 조건으로 설정하는 동작; 상기 임계 조건이 설정된 태스크를 제1 연산 장치로 할당하는 동작; 및 상기 설정된 임계 조건에 기반하여, 상기 할당된 태스크를 제1 연산 장치에서 제2 연산 장치로 전달하는 동작을 포함할 수 있다.

Abstract translation: 根据本发明的各种实施例，任务迁移方法包括以下步骤：生成任务; 将生成的任务设置为根据所生成任务的类型定义的关键条件; 将具有临界条件的任务集分配给第一计算装置; 以及基于所设定的临界条件，将所分配的任务从所述第一计算装置发送到第二计算装置。

公开(公告)号：KR1020150106752A

公开(公告)日：2015-09-22

申请号：KR1020140029203

申请日：2014-03-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 서동관 ,  김석진 ,  김도형 ,  김태송

IPC: G06F9/30

CPC classification number: G06F9/3836 ,  G06F9/30145 ,  G06F9/3853 ,  G06F9/5027

Abstract: VLIW 명령어를 처리하는 방법 및 장치가 제공된다. 복수의 슬롯들 각각에 대해 VLIW 명령어가 할당되는지 여부에 대한 정보를 포함하고 있는 연산 할당 명령어를 획득하고, 획득한 연산 할당 명령어를 기초로 VLIW 명령어가 상기 복수의 슬롯들 각각에 할당되는지 여부에 대한 정보를 포함하는 데이터 베이스를 갱신하며, 갱신된 데이터 베이스에 기초하여, 적어도 하나의 VLIW 명령어를 상기 복수의 슬롯들 각각에 할당함으로써, VLIW 명령어로 구성되는 코드를 효과적으로 압축할 수 있다.

Abstract translation: 提供了一种用于处理VLIW指令的方法和装置。 该装置获得包括关于VLIW指令是否被分配给多个时隙中的每一个的信息的计算分配指令; 基于所获得的计算分配指令，更新数据库，该数据库包括关于是否将VLIW指令分配给每个时隙的信息; 并且基于更新的数据库向每个时隙分配至少一个VLIW指令，从而有效地压缩由VLIW指令构成的代码。

公开(公告)号：KR1020150101870A

公开(公告)日：2015-09-04

申请号：KR1020140023707

申请日：2014-02-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김원섭 ,  김태송 ,  김도형 ,  이승원

IPC: G06F13/376 ,  G06F13/372 ,  G06F12/00

CPC classification number: G06F12/0844 ,  G06F9/3824 ,  G06F9/3851 ,  G06F9/4831 ,  G06F9/52 ,  G06F13/161 ,  G06F13/1642 ,  G06F13/372 ,  G06F13/376 ,  G06F2212/1008 ,  G06F2212/1024 ,  G06F2212/281 ,  G06F2212/608

Abstract: 메모리의 뱅크 충돌을 방지하기 위한 방법 및 장치는, 뱅크 충돌이 발생될 것으로 예측되는 제 1 메모리 뱅크에 액세스될 기능 유닛들(function units)의 쓰레드들(threads) 각각의 처리 타이밍을 결정하고, 상기 결정된 처리 타이밍에 따른 상기 쓰레드들의 순차적인 액세스를 위한 상기 쓰레드들 각각의 가변 레이턴시(variable latency)를 설정하고, 상기 결정된 처리 타이밍에 따라 상기 쓰레드들을 데이터 메모리 큐(data memory queue)에 순차적으로 저장하고, 상기 쓰레드들 각각의 상기 가변 레이턴시가 경과할 때마다 상기 데이터 메모리 큐로부터 상기 저장된 쓰레드들을 순차적으로 상기 제 1 메모리 뱅크에 액세스시킴으로써 연산을 수행한다.

Abstract translation: 一种用于避免存储器中的存储体冲突的方法和装置，通过确定要访问到其中预测存储体冲突的第一存储体的功能单元的每个线程的处理定时来执行操作， 用于根据所确定的处理定时顺序存取线程的线程，根据所确定的处理定时顺序地将线程存储在数据存储器队列中，并且迫使所存储的线程从数据存储器队列顺序地访问第一存储器组 每当线程的可变等待时间过去时。

公开(公告)号：KR1020150086981A

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：KR1020140007291

申请日：2014-01-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김도형 ,  김영기 ,  이재덕 ,  조기호

IPC: H04M1/64 ,  H04M3/42

CPC classification number: H04L65/1016 ,  H04L65/104 ,  H04W76/12

Abstract: 본발명의실시예들은중소상공인들에게보다적합한 ARS 서비스시스템을구축하고그에따라 ARS 서비스를제공하는방법및 장치를제공하기위한것이다. 본발명의일 실시예에따르면, 이동통신네트워크에의한영상/음성의복합자동응답시스템(ARS) 서비스제공을위한서버장치의동작방법은, 적어도하나의제1 단말로부터 ARS 시나리오및 ARS 관련정보를수신하여저장하는과정과, 제2 단말로부터상기제1 단말로의호 설정요청메시지를수신하는과정과, 상기호 설정요청메시지의수신에응답하여상기제2 단말로상기저장된 ARS 시나리오에따른영상및 음성의 ARS 관련정보를제공하는과정과, 상기 ARS 관련정보의제공도중에상기제1 단말로의호 연결요청이입력됨에응답하여상기제1 단말과상기제2 단말사이의호를설정하는과정을포함한다.

Abstract translation: 本发明的实施例提供一种用于构建更适合于小商家并因此提供ARS服务的ARS服务系统的方法及其装置。 根据本发明的实施例，一种用于通过移动通信网络提供视频/语音的复合自动应答系统（ARS）服务的服务器装置的操作方法包括以下过程：接收和存储ARS场景和ARS相关信息 从至少一个第一终端; 从第二终端接收到第一终端的呼叫设置请求消息; 响应于接收到所述呼叫设置请求消息，将根据所存储的ARS场景的视频和语音的ARS相关信息提供给所述第二终端; 并且当提供与ARS相关的信息时，根据对第一终端的呼叫请求，输入第一终端与第二终端之间的呼叫。