公开(公告)号：KR20210024390A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：KR1020190104026A

申请日：2019-08-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 전용호 ,  최현우 ,  강세구 ,  정미리

IPC: H01L29/66 ,  H01L21/033 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L29/66484 ,  H01L29/66545 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/0642 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/6681 ,  H01L29/7831 ,  H01L29/7846 ,  H01L29/7851

Abstract: 본 발명의 실시예에 따른 반도체 소자의 제조 방법은 기판의 제 1 활성 핀 상에서 수직 방향으로 서로 일정 간격으로 이격 배치된 제 1 활성 패턴들과 상기 기판의 제 2 활성 핀 상에서 상기 수직 방향으로 서로 일정 간격으로 이격 배치된 제 2 활성 패턴들을 형성하는 것, 상기 기판은 상기 제 1 활성 핀이 형성된 제 1 영역 및 상기 제 2 활성 핀이 형성된 제 2 영역을 갖고, 상기 제 1 및 제 2 활성 핀들의 상면들과 측벽들, 및 상기 제 1 및 제 2 활성 패턴들을 표면들을 덮는 제 1 전극막을 형성하는 것, 상기 기판의 상기 제 1 영역 상에 형성된 상기 제 1 전극막을 덮는 제 1 마스크 패턴을 형성하는 것, 상기 기판의 상기 제 2 영역 상에 형성된 상기 제 1 전극막을 덮는 제 2 마스크 패턴을 형성하는 것, 및 상기 제 2 마스크 패턴을 식각 마스크로 사용하여 상기 제 1 마스크 패턴 및 상기 기판의 상기 제 1 영역 상의 상기 제 1 전극막을 식각하여, 상기 기판의 상기 제 2 영역 상의 제 1 전극 패턴을 형성하는 것을 포함할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019990056192A

公开(公告)日：1999-07-15

申请号：KR1019970076186

申请日：1997-12-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 전용호

IPC: H04L27/26

Abstract: 가. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
무선 통신시 사용되는 디코딩 장치
나. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제
컨벌루션 방법을 사용하여 코딩된 데이터를 완벽하게 디코딩하는 장치.
다. 발명의 해결방법의 요지
통신시스템의 디코딩 장치가, 컨벌루션 방법으로 코딩되어 수신된 데이터를 디컨벌루션 알고리즘에 의해 디코딩하는 두 개의 디컨벌루션부와, 두 개의 디컨벌루션부로부터 디코딩된 데이터를 가산하는 가산기와, 가산기의 출력에 의해 수신된 데이터의 오류를 검출하는 드레스홀드로 구성됨을 특징으로 하는 통신시스템에서 디컨벌루션 방법을 이용한 디코딩 장치.
라. 발명의 중요한 용도
컨벌루션 방법으로 코딩된 데이터를 수신하는 모든 장치

公开(公告)号：KR1020170042064A

公开(公告)日：2017-04-18

申请号：KR1020150141523

申请日：2015-10-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 전용호 ,  김상수 ,  김철 ,  탁용석 ,  송명근 ,  박기관

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/66 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L21/76897 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823468 ,  H01L21/823475 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823864 ,  H01L21/823871 ,  H01L23/535 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7848

Abstract: 대체금속게이트전극의높이변화를경감시켜동작성능을향상시킬수 있는반도체장치를제공하는것이다. 상기반도체장치는제1 핀형패턴; 상기제1 핀형패턴상에, 상기제1 핀형패턴과교차하고, 상부와하부를포함하는제1 게이트스페이서; 상기제1 핀형패턴상에, 상기제1 핀형패턴과교차하고, 상기제1 게이트스페이서와이격되는제2 게이트스페이서; 상기제1 게이트스페이서및 상기제2 게이트스페이서에의해정의되는제1 트렌치; 상기제1 트렌치의바닥면및 측벽을따라형성되는게이트절연막; 상기게이트절연막상에, 상기제1 트렌치의일부를채우는제1 게이트전극; 상기제1 게이트전극상에, 상기제1 트렌치를채우는제1 캡핑패턴; 및상기캡핑패턴의상면을덮는층간절연막을포함하고, 상기제1 게이트스페이서의상부의폭은상기제1 핀형패턴의상면으로부터멀어짐에따라감소하고, 상기제1 게이트스페이서의상부의외측벽은상기층간절연막과접한다.

Abstract translation: 并且提供一种能够减小替换金属栅电极的高度变化并改善操作性能的半导体器件。 该半导体器件包括：第一鳍片图案; 形成在所述第一销形图案，并与第一销形图案，包括上部和下部的第一栅极隔离物; 在所述第一鳍片图案上并且与所述第一鳍片图案相交并且与所述第一栅极间隔件间隔开的第二栅极间隔件; 由第一栅极隔离物和第二栅极隔离物限定的第一沟槽; 沿第一沟槽的底表面和侧壁形成的栅极绝缘膜; 在栅绝缘膜上的第一栅电极，第一栅电极填充第一沟槽的一部分; 在第一栅电极上的第一覆盖图案以填充第一沟槽; 和包含层间绝缘膜覆盖所述覆盖图案的上表面上，栅极隔离物的上部的宽度的第一上部外壁根据从所述第一销状图案的上表面的距离减小，并且所述第一栅极隔离件是夹层 并接触绝缘薄膜。

公开(公告)号：KR102158962B1

公开(公告)日：2020-09-24

申请号：KR1020140054924

申请日：2014-05-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박상진 ,  권기상 ,  김도형 ,  윤보언 ,  배근희 ,  양광용 ,  여경환 ,  전용호

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

公开(公告)号：KR1020160099773A

公开(公告)日：2016-08-23

申请号：KR1020150021639

申请日：2015-02-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 성금중 ,  이진욱 ,  김도형 ,  명성우 ,  오지수 ,  전용호

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/66

CPC classification number: H01L29/66545 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/401 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66348

Abstract: 본발명은반도체소자및 그제조방법에관한것으로, 기판상에, 상기기판으로부터돌출되는활성패턴들을형성하는것, 상기활성패턴들을덮는층간절연막을형성하는것, 상기층간절연막은상기활성패턴들을노출하는그루브들을포함하되, 상기그루브들은제1 폭을갖는제1 그루브및 상기제1 폭보다큰 제2 폭을갖는제2 그루브를포함하고, 상기제1 및제2 그루브들의내면상에제1 도전막을형성하는것, 상기제1 및제2 그루브들을채우는제1 희생막을형성하는것, 상기제1 도전막의일부가노출되도록상기제1 희생막을제거하는것, 및상기노출된제1 도전막을제거하여, 제1 도전패턴들을형성하는것을포함하는반도체소자의제조방법이제공된다.

Abstract translation: 本发明的目的是提供一种具有改进的器件驱动特性的半导体器件及其制造方法。 提供一种制造半导体器件的方法，包括：形成从衬底上的衬底突出的有源图案的步骤; 形成层间绝缘膜以覆盖有源图案的步骤，其中层间绝缘膜包括用于曝光有源图案的凹槽，并且凹槽包括具有第一宽度的第一凹槽和具有大于第一宽度的第二宽度的第二凹槽 宽度; 在所述第一和第二槽的内表面上形成第一导电膜的步骤; 形成用于填充第一和第二槽的第一牺牲膜的步骤; 去除第一牺牲膜以暴露第一导电膜的一部分的步骤; 以及通过去除暴露的第一导电膜形成第一导电图案的步骤。

公开(公告)号：KR1020120000612A

公开(公告)日：2012-01-04

申请号：KR1020100060948

申请日：2010-06-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 전용호 ,  김동현 ,  한제우 ,  신경섭

IPC: H01L21/3065 ,  H01L23/12

CPC classification number: H01L21/30655 ,  H01L21/76898

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor device is provided to protect the sidewall of an etched opening by simultaneously performing plasma deposition processes with a first gas and a second gas. CONSTITUTION: An upper electrode(110) comprises a first electrode(112) and a second electrode(114) which are arranged on the top of a chamber(102). The upper electrode is connected to a source power supply device(140) through a first switch. A bottom electrode(120) is connected to a bias power supply device through a second switch. An exhausting part, which includes the vacuum pump(160) communicated with the lower part of the chamber, is included in one side of the chamber. A gas supply part(130) offers a source gas within the chamber.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造半导体器件的方法，通过用第一气体和第二气体同时进行等离子体沉积工艺来保护蚀刻开口的侧壁。 构成：上电极（110）包括布置在腔室（102）顶部的第一电极（112）和第二电极（114）。 上电极通过第一开关连接到源电源装置（140）。 底部电极（120）通过第二开关连接到偏置电源装置。 包括与室的下部连通的真空泵（160）的排气部分包括在室的一侧。 气体供应部分（130）在腔室内提供源气体。

公开(公告)号：KR100241888B1

公开(公告)日：2000-02-01

申请号：KR1019970080519

申请日：1997-12-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 전용호

IPC: H04B1/712

Abstract: 가. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
이동통신 단말기의 수신장치.
나. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제
이동통신 단말기의 수신감도 조절을 위한 수신부에서 적용하는 가중치를 적응성 있게 가변하는 장치.
다. 발명의 해결방법의 요지
이동통신 단말기의 수신장치가, 수신된 신호의 주파수 및 수신시각별 스펙트럼을 검사하고, 수신신호의 세기를 검사하는 서처와, 서처로부터 입력되는 신호를 복조하기 위한 둘 이상의 핑거와, 핑거로부터 입력되는 복조된 신호를 서쳐로부터 입력된 수신신호의 스펙트럼 값에 따라 수신신호를 변환하는 적응 이퀄라이져와, 적응 이퀄라이져로부터 수신된 신호에 가중치를 적용하여 하나의 신호로 변환하는 심볼 콤바이너로 구성됨을 특징으로 하는 적응 이퀄라이져 방식을 이용한 무선 수신장치.
라. 발명의 중요한 용도
모든 이동통신 단말기 및 이동통신 기지국의 수신부

公开(公告)号：KR1019990060297A

公开(公告)日：1999-07-26

申请号：KR1019970080519

申请日：1997-12-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 전용호

IPC: H04B1/712

Abstract: 가. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
이동통신 단말기의 수신장치.
나. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제
이동통신 단말기의 수신감도 조절을 위한 수신부에서 적용하는 가중치를 적응성 있게 가변하는 장치.
다. 발명의 해결방법의 요지
이동통신 단말기의 수신장치가, 수신된 신호의 주파수 및 수신시각별 스펙트럼을 검사하고, 수신신호의 세기를 검사하는 서처와, 서처로부터 입력되는 신호를 복조하기 위한 둘 이상의 핑거와, 핑거로부터 입력되는 복조된 신호를 서쳐로부터 입력된 수신신호의 스펙트럼 값에 따라 수신신호를 변환하는 적응 이퀄라이져와, 적응 이퀄라이져로부터 수신된 신호에 가중치를 적용하여 하나의 신호로 변환하는 심볼 콤바이너로 구성됨을 특징으로 하는 적응 이퀄라이져 방식을 이용한 무선 수신장치.
라. 발명의 중요한 용도
모든 이동통신 단말기 및 이동통신 기지국의 수신부

公开(公告)号：KR1020170085176A

公开(公告)日：2017-07-24

申请号：KR1020160004335

申请日：2016-01-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 명성우 ,  성금중 ,  오지수 ,  이진욱 ,  김도형 ,  전용호

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/66 ,  H01L29/423 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L21/76895 ,  H01L21/76805 ,  H01L23/535 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

Abstract: 반도체소자는, 기판상에, 상기기판의상면에평행한제1 방향으로연장되는활성패턴, 상기기판의상기상면에평행하고상기제1 방향에교차하는제2 방향으로연장되어, 상기활성패턴을가로지르는게이트전극, 상기게이트전극의상면을덮고, 상기기판의상기상면에수직한방향으로연장되어상기게이트전극의제1 측벽을덮는게이트캐핑패턴, 및상기게이트전극의제2 측벽을덮는게이트스페이서를포함한다. 상기제1 측벽및 상기제2 측벽은상기제2 방향으로서로마주한다.

Abstract translation: 本发明公开了一种半导体器件，包括：有源图案，在平行于基板的上表面的第一方向上平行于基板的上表面且与第一方向相交的第二方向在基板上延伸; 栅极覆盖图案，覆盖栅极电极的上表面并且在垂直于基板的上表面的方向上延伸以覆盖栅极电极的第一侧壁;以及栅极间隔物，覆盖栅极电极的第二侧壁 它包括。 第一侧壁和第二侧壁在第二方向上彼此面对。

公开(公告)号：KR1020150128104A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：KR1020140054924

申请日：2014-05-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박상진 ,  권기상 ,  김도형 ,  윤보언 ,  배근희 ,  양광용 ,  여경환 ,  전용호

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/1104 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/1116 ,  H01L29/06 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7831

Abstract: 반도체장치가제공된다. 반도체장치는, 기판으로부터돌출된형상으로제1 방향으로연장되는핀, 상기핀 내에형성되는리세스, 상기리세스를채우는소자분리막, 상기소자분리막상의더미게이트구조체, 상기핀 상에서상기더미게이트구조체의양 측에각각배치되는제1 및제2 스페이서, 상기제1 및제2 스페이서내측벽에배치되는이너스페이서및 상기리세스양 측에, 상기소자분리막과이격되어배치되는소오스/드레인영역을포함한다.

Abstract translation: 提供半导体器件。 半导体器件包括从基板突出并沿第一方向延伸的鳍状物，形成在销中的凹部，填充在凹部中的器件隔离层，器件隔离层上的伪栅极结构，第一和第二 布置在销上的虚拟栅极结构的两侧的间隔物，布置在第一和第二间隔物的内侧壁上的内隔离物以及与器件隔离层分离的源极/漏极区，在凹部的两侧 。