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公开(公告)号：KR101245219B1
公开(公告)日：2013-03-19
申请号：KR1020070047831
申请日：2007-05-16
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C16/10 , G11C7/1006 , G11C11/5628 , G11C11/5642 , G11C2211/5642
Abstract: 기입 동작과 독출 동작에서 서로 다른 코드를 이용하는 메모리 셀 기입/독출 방법 및 페이지 버퍼이 개시된다. 본 발명에 따른 메모리 셀 기입/독출 방법은, 복수개의 임계 전압 분포들을 가지는 메모리 셀의 기입/독출 방법으로써, 데이터 기입 단계 및 데이터 독출 단계를 구비한다. 데이터 기입 단계는, 복수개의 임계 전압 분포들 중에서 대응되는 임계 전압 분포를 각각 가리키는 기입 코드들을 이용하여 메모리 셀에 n비트의 데이터를 기입한다. 데이터 독출 단계는, 복수개의 임계 전압 분포들 중에서 대응되는 임계 전압 분포를 각각 가리키는 독출 코드들을 이용하여 메모리 셀로부터 n비트의 데이터를 독출한다. 본 발명에 따른 메모리 셀 기입/독출 방법에서, 기입 코드들 중 일부와 기입 코드들에 대응되는 독출 코드들 중 일부는, 서로 다르다.
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公开(公告)号：KR101194841B1
公开(公告)日：2012-10-25
申请号：KR1020060136822
申请日：2006-12-28
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C16/0483 , G11C11/5628 , G11C2211/5648
Abstract: 메모리 셀 프로그래밍 시의 임계 전압 변화에 따른 커플링 효과를 줄일 수 있는 메모리 셀 프로그래밍 방법이 개시된다. 본 발명에 따른 메모리 셀 프로그래밍 방법은 복수개의 임계 전압 분포들을 가지는 메모리 셀에 n비트의 데이터를 프로그래밍 하는 메모리 셀 프로그래밍 방법이다. 본 발명에 따른 메모리 셀 프로그래밍 방법은 순차적으로 수행되는 제1 내지 제n 프로그래밍 단계를 구비한다. 제1 내지 제n 프로그래밍 단계는 복수개의 임계 전압 분포들을 이용하여 제1 내지 제n 비트를 각각 프로그래밍 한다. 제n 프로그래밍 단계에서 이용되는 임계 전압 분포 사이의 임계 전압 차이는, 나머지 프로그래밍 단계들에서 이용되는 임계 전압 분포 사이의 임계 전압 차이들 중의 적어도 하나보다 작다.
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公开(公告)号：KR1020120109244A
公开(公告)日：2012-10-08
申请号：KR1020110027730
申请日：2011-03-28
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F11/1068 , G06F11/1016 , G06F11/1044 , G06F11/1048 , G06F11/1072 , G11C5/02 , G11C5/025 , G11C29/70 , G11C29/82 , G11C29/883 , H01L27/0688 , H01L27/11514 , H01L27/11521 , H01L27/1157 , H01L27/11578 , H01L27/11582 , H01L27/281 , G06F12/16
Abstract: PURPOSE: A non-volatile memory device and a bad area management method are provided to process a part of accessed memory block in a bad area without processing the entire memory block in the bad area when a bad memory cell is sensed in the accessed memory block. CONSTITUTION: A controller accesses the selected memory block by transmission of an address(S110). The controller determines whether to sense a bad memory cell(S120). In case the bad memory cell is sensed, the controller processes one or more memory layers in a bad area(S130).
Abstract translation: 目的：提供非易失性存储器件和不良区域管理方法，以在坏区中处理访问存储块的一部分，而不会在访问存储块中感测到坏存储器单元时处理坏区中的整个存储块 。 构成：控制器通过发送地址来访问所选存储块（S110）。 控制器确定是否感测到坏的存储单元（S120）。 在感测到坏的存储单元的情况下，控制器处理不良区域中的一个或多个存储器层（S130）。
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公开(公告)号：KR1020120030816A
公开(公告)日：2012-03-29
申请号：KR1020100092583
申请日：2010-09-20
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C11/5621 , G11C16/10 , G11C16/3404 , G11C16/06 , G11C11/5628 , G11C16/32
Abstract: PURPOSE: A flash memory and a self interleaving method thereof are provided to alleviate an imbalance of bit error rate using a self interleaving method. CONSTITUTION: A memory cell array(1110) which includes a plurality of physical pages stores a plurality of logical pages in each physical page. A self interleaver(1141) divides each logical page into a plurality of interleaving units. The self interleaver divides each interleaving unit into a plurality of sectors. The self interleaver performs an interleaving operation by mixing the sectors of the logical pages which are different from each other. A data input/output circuit(1120) stores the logical pages which are mixed to the physical page of the memory cell array.
Abstract translation: 目的：提供一种闪速存储器及其自交错方法，以便使用自交错方法来减轻误码率不平衡。 构成：包括多个物理页面的存储单元阵列（1110）在每个物理页面中存储多个逻辑页面。 自交织器（1141）将每个逻辑页划分成多个交织单元。 自交织器将每个交织单元划分成多个扇区。 自交织器通过混合彼此不同的逻辑页面的扇区来执行交织操作。 数据输入/输出电路（1120）存储与存储单元阵列的物理页面混合的逻辑页面。
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公开(公告)号：KR101116215B1
公开(公告)日：2012-03-06
申请号：KR1020070015616
申请日：2007-02-14
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: F04C18/3564 , F01C21/0863 , F04C11/001 , F04C23/001 , F04C27/005 , F04C28/185
Abstract: 압축실의밀폐효과를높일수 있고, 공회전을하는압축실로냉매나오일이유입되는현상을최소화할수 있도록한 회전압축기를개시한다. 이회전압축기는상호구획된제1 및제2압축실을갖춘하우징과, 제1압축실과제2압축실의폐쇄를위해하우징에각각결합된제1 및제2플랜지와, 제1압축실과제2압축실을구획하는중간판과, 제1 및제2압축실내에각각회전하도록설치된제1 및제2롤러와, 제1 및제2압축실의반경방향으로진퇴하며제1 및제2압축실을각각구획하는제1 및제2베인과, 압축용량가변을위해흡입압력과토출압력을이용하여제1베인의진퇴동작을제어하는베인제어장치를포함하는회전압축기에있어서, 제1롤러의단부쪽에형성되는제1간극이제2롤러의단부쪽에형성되는제2간극보다작은것이다.
Abstract translation: 本发明公开了一种旋转式压缩机，其能够增强压缩室的密封效果并且使进入压缩室的制冷剂怠速的现象最小化。 该旋转式压缩机包括具有彼此分隔开的第一和第二压缩室的壳体，分别联接到壳体以用于关闭第一压缩室的压缩室的第一和第二凸缘以及两个压缩室， 和设置成旋转每个招牌的第一mitje第二辊，所述隔室的第一mitje第二压缩室，所述第一mitje第二压缩第一破碎mitje第二叶片前进和在径向方向上进退，并且每个限定第二压缩室第一mitje 并且，第一间隙现在是形成在包括叶片控制单元用于使用吸入压力和用于推进和缩回所述第一叶片的动作，以一个可变的压缩容量，所述第一辊的侧端部的排出压力控制的旋转式压缩机2个辊 小于端侧上形成的第二间隙。
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Patent Agency Ranking146.发明公开
公开(公告)号：KR1020110137192A
公开(公告)日：2011-12-22
申请号：KR1020100057265
申请日：2010-06-16
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C16/10 , G11C16/0483 , G11C16/3454 , G11C16/3459 , G11C16/12 , G11C16/24 , G11C16/34
Abstract: PURPOSE: A multi-page program method, a nonvolatile memory device using the same, and a data storage system including the same are provided to prevent program disturbance by simultaneously programming memory cells of word lines. CONSTITUTION: A nonvolatile memory device(1000) includes a plurality of strings arranged in rows or columns. Selection lines in one row are partially or entirely activated based on program data. A bit line corresponding to one row is driven with a bit lien program voltage. Until all bit lines corresponding to the rows are driven, the selection lines are repetitively driven and the bit line is repetitively driven with the bit line program voltage.
Abstract translation: 目的：提供多页面程序方法，使用该方法的非易失性存储装置和包括该多页面程序方法的数据存储系统，以通过同时编程字线的存储单元来防止程序干扰。 构成：非易失性存储装置（1000）包括以行或列排列的多个串。 一行中的选择行基于程序数据部分或全部被激活。 对应于一行的位线由位置编程电压驱动。 在驱动对应于行的所有位线之前，重复地驱动选择线，并且利用位线编程电压重复地驱动位线。
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公开(公告)号：KR1020100013485A
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：KR1020080075020
申请日：2008-07-31
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C16/349 , G11C11/5628 , G11C2211/5644
Abstract: PURPOSE: A memory device including a controller selecting a memory cell and a wear leveling method are provided to improve the durability of the memory cell by operating a wear leveling based on an elapsed time after the memory cell is erased. CONSTITUTION: A memory cell array(110) comprises a first memory cell and a second memory cell. A control unit(120) selects one of the first memory cell or the second memory cell. The programming unit(130) saves a data to the memory cell. The control unit generates a first parameter based on an elapsed time after the first memory cell is erased and the number of times which the first memory cell is erased. The control unit generates a second parameter based on an elapsed time after the second memory cell is erased and the number of times which the second memory cell is erased.
Abstract translation: 目的：提供包括选择存储单元的控制器和磨损均衡方法的存储器件，以通过基于擦除存储器单元之后的经过时间进行磨损均衡来提高存储器单元的耐久性。 构成：存储单元阵列（110）包括第一存储单元和第二存储单元。 控制单元（120）选择第一存储单元或第二存储单元中的一个。 编程单元（130）将数据保存到存储单元。 控制单元基于擦除第一存储单元之后的经过时间和第一存储单元被擦除的次数来生成第一参数。 控制单元基于在擦除第二存储单元之后的经过时间和第二存储单元被擦除的次数来生成第二参数。
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公开(公告)号：KR1020090123658A
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：KR1020080049830
申请日：2008-05-28
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C16/10 , G11C11/5628 , G11C2211/5621
Abstract: PURPOSE: A memory device and a memory programming method are provided to reduce a width of dissemination of threshold voltage of a memory cell by using a programming part and a controller. CONSTITUTION: A memory cell array(110) comprises a plurality of memory cells. A programming part(120) applies a plurality of pulses corresponding to program voltage to a gate terminal of each memory cell. The programming part applies program condition voltage to a bit line connected to a memory cell having threshold voltage lower than verification voltage among the memory cells. The programming part stores data in each memory cell by varying the threshold voltage of each memory cell. A controller(130) increases the program voltage at each pulse as much as a first increment during a first time interval. The controller increases the program voltage at each pulse as much as a second increment during a second time interval. An identification unit(140) identifies the memory cell having the threshold voltage lower than the verification voltage among the memory cells.
Abstract translation: 目的：提供存储器件和存储器编程方法，以通过使用编程部件和控制器来减小存储器单元的阈值电压的传播宽度。 构成：存储单元阵列（110）包括多个存储单元。 编程部件（120）将对应于编程电压的多个脉冲施加到每个存储器单元的栅极端子。 编程部分将编程条件电压应用于与存储单元中具有低于验证电压的阈值电压的存储单元连接的位线。 编程部分通过改变每个存储单元的阈值电压将数据存储在每个存储单元中。 控制器（130）在第一时间间隔期间将每个脉冲处的编程电压增加多达第一增量。 控制器在第二时间间隔期间将每个脉冲处的编程电压增加多达第二增量。 识别单元（140）识别具有低于存储器单元中的验证电压的阈值电压的存储单元。
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公开(公告)号：KR1020090123656A
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：KR1020080049828
申请日：2008-05-28
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C16/3454 , G11C11/5628 , G11C2211/5621
Abstract: PURPOSE: A memory device and a memory programming method are provided to reduce errors in a process of reading data from a memory cell by using a new programming method. CONSTITUTION: A memory cell array(110) comprises a plurality of memory cells. A controller(120) extracts status information of each of the plural memory cells. The controller partitions the plural memory cells into a first group and a second group based on the extracted status information. The controller assigns first verification voltage to memory cells of the first group. The controller assigns second verification voltage to memory cells of the second group. A programming part(130) changes threshold values of the memory cells of the first and second groups.
Abstract translation: 目的：提供存储器件和存储器编程方法，以通过使用新的编程方法来减少从存储器单元读取数据的过程中的错误。 构成：存储单元阵列（110）包括多个存储单元。 控制器（120）提取多个存储单元中的每一个的状态信息。 控制器基于所提取的状态信息将多个存储单元划分成第一组和第二组。 控制器将第一验证电压分配给第一组的存储单元。 控制器将第二验证电压分配给第二组的存储单元。 编程部分（130）改变第一和第二组的存储器单元的阈值。
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公开(公告)号：KR100919402B1
公开(公告)日：2009-10-05
申请号：KR1020070043378
申请日：2007-05-04
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 열교환 핀에 간편하게 결합되어 열교환기의 전체 표면에 골고루 물이 살포되게 하여서 가습작용과 응축작용이 효과적으로 이루어질 수 있게 한 공기조화기의 열교환기가 개시된다. 본 발명의 열교환기는 열교환 핀의 상부에서 열교환 핀을 관통하여 끼워져서 열교환 핀의 하부로 물이 살포되도록 하는 살수부재를 구비한다. 살수부재는 적어도 하나 이상의 살수관을 구비하고, 살수관의 하부에는 살수관을 흐르는 물이 하향으로 낙하하도록 슬롯 또는 다수의 홀이 형성된다. 살수관은 전체 열교환 핀을 관통하게 배치된다.
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