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公开(公告)号：KR1020120010330A
公开(公告)日：2012-02-03
申请号：KR1020100071778
申请日：2010-07-26
Applicant: 한국과학기술연구원 , 세종대학교산학협력단
Abstract: PURPOSE: An automatic recognition/configuration PnP(Plug and Play) sensor module interface device and a method thereof are provided to automatically control output voltage and mapping of a sensor appropriately for the connected sensor module without additional configuration by a user. CONSTITUTION: A sensor module includes a digital circuit unit with a sensor and a sensor circuit, an analog circuit unit, and a connection unit. A main control board(200) includes a power supply unit providing power to the sensor module, a control unit(202), an analog multiplexer(204) providing power to the sensor, and a connection uit(210). When the sensor module is connected to the main control board, the board automatically recognizes the sensor type to automatically control output volage and mapping.
Abstract translation: 目的：提供一种自动识别/配置PnP（即插即用）传感器模块接口设备及其方法，用于自动控制输出电压和传感器对连接的传感器模块的适当映射，无需用户的其他配置。 构成：传感器模块包括具有传感器和传感器电路的数字电路单元，模拟电路单元和连接单元。 主控制板（200）包括向传感器模块提供电力的电源单元，控制单元（202），向传感器提供电力的模拟多路复用器（204）和连接uit（210）。 当传感器模块连接到主控板时，板自动识别传感器类型，自动控制输出电压和映射。
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公开(公告)号：KR1020110121123A
公开(公告)日：2011-11-07
申请号：KR1020100040571
申请日：2010-04-30
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/04
CPC classification number: Y02E10/542 , Y02P70/521 , H01G9/2027 , B82Y40/00 , H01G9/2059
Abstract: PURPOSE: A dye sensitized solar cell is provided to increase the conversion efficiency of a solar cell by producing an electroconductive film with a plurality of holes and eliminating an efficiency reducing effect due to resistance or recombination. CONSTITUTION: A thick electroconductive film(20) is formed on a glass substrates(10). One or more holes are formed in the electroconductive film. A nano oxide electrode layer is formed onto the top of the holes. The nano oxide electrode layer includes semiconductor particles(40).
Abstract translation: 目的：提供染料敏化太阳能电池，以通过产生具有多个孔的导电膜来提高太阳能电池的转换效率，并且消除由于电阻或复合引起的效率降低效果。 构成：在玻璃基板（10）上形成厚的导电膜（20）。 在导电膜中形成一个或多个孔。 在孔的顶部形成纳米氧化物电极层。 纳米氧化物电极层包括半导体颗粒（40）。
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公开(公告)号：KR101078005B1
公开(公告)日：2011-10-31
申请号：KR1020090117374
申请日：2009-11-30
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 즉, 본발명에따른전계효과트랜지스터센서어레이에서는검지하고자하는물질수에대응하는게이트전극및 센서의각 행과열에대한공통된드레인전극및 소오스전극을포함하도록구성하고, 이러한전극배열을효과적으로구성할수 있는설계구조및 이를제작할수 있는제조방법을제공함으로써, 다수의검지물질을동시에측정할수 있는소형화된전계효과트랜지스터(Field effect transistor; FET) 센서어레이(Sensor Array) 및이의제조방법을제공하고자한다.
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公开(公告)号：KR101076396B1
公开(公告)日：2011-10-25
申请号：KR1020090072420
申请日：2009-08-06
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: G01J3/10 , G02F1/3501 , G02F1/365 , G02F1/37 , G02F2001/3507 , G02F2001/3528 , G02F2203/13
Abstract: 본발명에서는테라헤르츠파(terahertz wave)와광대역초연속스펙트럼(supercontinuum)을각각의장치에서생성시키던기존방법의문제점을감안하여하나의장치에서효율적으로테라헤르츠파(terahertz wave)와광대역초연속스펙트럼(supercontinuum)을동시에생성하기위한장치, 그방법및 이를이용한스펙트로스코피 (spectroscopy) 방법에관한것으로서, χ프로세스를이용한테라헤르츠파생성과비선형효과를이용한광대역초연속스펙트럼을동시에생성시키는장치, χ프로세스를이용한테라헤르츠파생성과비선형효과를이용한광대역초연속스펙트럼을동시에생성시키는장치및 그방법, 이를이용한스펙트로스코피방법이제시된다.
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公开(公告)号：KR1020110014855A
公开(公告)日：2011-02-14
申请号：KR1020090072426
申请日：2009-08-06
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01S3/05
CPC classification number: H01S1/06
Abstract: PURPOSE: A terahertz wave generator and a method for generating high power terahertz wave using the same are provided to generate high power terahertz signals based on air plasma by providing continuous focusing. CONSTITUTION: A terahertz wave generator includes a spherical body(10) and a focusing lens(40). The spherical body includes an empty space(20). The focusing lens is installed at the cut part of the spherical body. The inside of the spherical body is coated with metal, preferably aluminum. A continuous focusing process is implemented based on the empty space of the spherical body. High power terahertz wave is generated based on a plurality of air plasma through the focusing process.
Abstract translation: 目的：提供太赫兹波发生器和使用其产生大功率太赫兹波的方法，以通过提供连续聚焦来产生基于空气等离子体的高功率太赫兹信号。 构成：太赫兹波发生器包括球体（10）和聚焦透镜（40）。 球体包括空的空间（20）。 聚焦透镜安装在球体的切割部分。 球体的内部涂有金属，优选铝。 基于球体的空白空间实现连续的聚焦过程。 通过聚焦过程基于多个空气等离子体产生大功率太赫兹波。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100704546B1
公开(公告)日：2007-04-10
申请号：KR1020040073803
申请日：2004-09-15
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 자기 광학적 효과를 이용한 다중모드 간섭영역을 갖는 집적화된 광 아이솔레이터 제조방법에 관한 것으로, 특히 다중모드 간섭을 일으키는 1 ×1 단일 다중모드 영역에 자장을 인가하여 유효 굴절율을 변화시킨 광 아이솔레이터를 제조하는 방법에 관한 것이다.
본 발명의 자기 광학적 효과를 이용한 다중모드 간섭영역을 갖는 집적화된 광 아이솔레이터 제조방법은 다중모드 도파로 영역에 빛의 진행방향에 수직이면서 광 도파로 평면에 평행한 방향으로 외부 자장을 가하여 전방으로 진행하는 빛과 후방으로 진행하는 빛이 각각 서로 다른 유효 굴절율(effective refractive index)을 갖도록 하는 자기 광학적 효과를 이용한 다중모드 간섭영역을 갖는 집적화된 광 아이솔레이터 제조방법을 포함한다.
자기 광학적 효과, 다중모드 간섭영역, 집적화된 광 아이솔레이터-
公开(公告)号：KR100571871B1
公开(公告)日：2006-04-17
申请号：KR1020030074203
申请日：2003-10-23
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01P1/36
CPC classification number: G02F1/0955 , G02B6/2746 , G02B2006/12157 , G02F2001/212 , G02F2202/32
Abstract: 반도체 자기광학 집적 광 아이솔레이터는 자기 물질의 광학적 특성인 광의 진행 경로 방향이 달라질 때 발생하는 비가역적 위상변위를 이용하여 광 도파로의 클래딩 층이나 가이딩 층이 자기물질로 구성된 마하젠더(Mach-Zehnder) 형태의 집적 광 아이솔레이터로 구현하고 있다. 이런 비가역적 위상변위을 일으키는 기본적인 요소는 자기 물질이 가지고 있는 패러데이 회전(Faraday rotation) 때문이다. 그러므로, 단길이의 집적화된 광 아이솔레이터를 제작하기 위해서는 큰 패러데이 회전 값이 필수적이다. 하지만 벌크 상태의 자기 물질은 패러데이 값이 크지 않기 때문에 아이솔레이터를 제작하기 위해서는 수 ㎜ 단위의 길이가 필요하다.
본 발명은 자기 광학적 물질과 유전체 물질이 주기적인 구조를 가지는 자기 광자 결정을 이용한 집적 광 아이솔레이터를 구현한다. 이로 인해, 자기 광자 결정은 벌크 상태의 자기 물질보다 큰 패러데이 회전 값을 가지게 되어 비가역적 위상변위가 커지게 된다. 집적 광 아이솔레이터의 제작시 소자의 길이를 줄일 수 있어 단길이 집적화가 가능하다. 따라서, 마하젠더 형태의 광 아이솔레이터 소자의 길이를 줄이기 위해서 큰 패러데이 회전 값을 가지는 자기 광자 결정을 이용한 것이다.
자기 광자 결정(Magnetic Photonic Crystal), 패러데이 회전, 집적 광 아이솔레이터, 비가역적 위상변위, 마하젠더(Mach-Zehnder) 간섭계-
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公开(公告)号：KR1020050028412A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：KR1020030064638
申请日：2003-09-18
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G02F3/00
Abstract: A method of realizing an all-optical AND logical device using a semiconductor optical amplifier is provided to use gain saturation characteristics of the amplifier in order to implement the device. One semiconductor optical amplifier(SOA2) of two semiconductor optical amplifiers(SOA1,SOA2) receives a clock signal(CLOCK) of a constant time period as the first irradiation signal along with the first pump signal(B) and generates a gain-modulated output value. The other semiconductor optical amplifier(SOA1) thereof receives the second irradiation signal(A) along with the gain-modulated output value as the second pump signal and outputs an AND signal(AB).
Abstract translation: 提供一种使用半导体光放大器实现全光AND AND逻辑器件的方法，以使用放大器的增益饱和特性来实现器件。 两个半导体光放大器（SOA1，SOA2）的一个半导体光放大器（SOA2）与第一泵浦信号（B）一起接收作为第一辐射信号的恒定时间段的时钟信号（CLOCK），并产生增益调制输出 值。 其他半导体光放大器（SOA1）连同增益调制输出值作为第二泵浦信号接收第二照射信号（A），并输出“与”信号（AB）。
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公开(公告)号：KR1020040036805A
公开(公告)日：2004-05-03
申请号：KR1020020065155
申请日：2002-10-24
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G02F3/00
Abstract: PURPOSE: A method for realizing a wavelength variable all-optic NOR logic element is provided to apply a forward bias current to an EAM(Electro-Absorption Modulator) area of an EMILD(Electro-absorption Modulation Integrated Laser Diode) element, and to induce gain saturation, thereby realizing an all-optic NOR logic element. CONSTITUTION: An EMILD element(10) receives an RF signal from an EAM area(11), modulates a CW optical signal generated from a DFB-LD area(12), and makes a necessary signal. An electrical isolation area(15) is disposed between the EAM area(11) and the DFB-LD area(12) in 20 micrometers. An AR(Anti Reflection) coating portion(13) is formed by AR-coating a front side, and an HR(High Reflection) coating portion(14) is formed by HR-coating a rear side, such that light is incident or emitted on the front side only.
Abstract translation: 目的：提供一种实现波长可变全光NOR逻辑元件的方法，用于向EMILD（电吸收式调制集成激光二极管）元件的EAM（电吸收调制器）区域施加正向偏置电流，并诱导 增益饱和，从而实现全光NOR逻辑元件。 构成：EMILD元件（10）从EAM区域（11）接收RF信号，调制从DFB-LD区域（12）产生的CW光信号，并且产生必要的信号。 电隔离区域（15）以20微米的形式设置在EAM区域（11）和DFB-LD区域（12）之间。 通过AR正面涂覆AR（防反射）涂布部分（13），HR（高反射）涂层部分（HR）通过HR涂覆后侧形成，使得光线入射或发射 只在前方
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